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[導(dǎo)讀]DRAM封測(cè)廠首季展望樂(lè)觀,由于DDR3封測(cè)制程改變,代工價(jià)格較DDR2增加約20%,加上DDR2封測(cè)代工價(jià)今年初已調(diào)漲10%,DRAM封測(cè)廠首季平均價(jià)格(ASP)明顯優(yōu)于去年第4季,加上上游DRAM廠提升投片量,法人預(yù)估福懋科(81

DRAM封測(cè)廠首季展望樂(lè)觀,由于DDR3封測(cè)制程改變,代工價(jià)格較DDR2增加約20%,加上DDR2封測(cè)代工價(jià)今年初已調(diào)漲10%,DRAM封測(cè)廠首季平均價(jià)格(ASP)明顯優(yōu)于去年第4季,加上上游DRAM廠提升投片量,法人預(yù)估福懋科(8131)、華東(8110)等首季營(yíng)收季增率上看1成,力成(6239)有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)90億元大關(guān)。

在美光加快技轉(zhuǎn)動(dòng)作下,南亞科及華亞科本季已全力進(jìn)行50奈米制程升級(jí),預(yù)計(jì)3月后50奈米DDR3占產(chǎn)能比重將提升到3成以上,第2季下旬將逾5成,加上兩家DRAM廠今年合計(jì)資本支出將超過(guò)700億元,用來(lái)擴(kuò)充12吋廠產(chǎn)能及加快42奈米微縮。

由于DRAM制程由70奈米推進(jìn)至50奈米后,單片晶圓顆粒產(chǎn)出量將增加8成至9成,50奈米再推進(jìn)至42奈米后,還可再增加7成至8成,所以市場(chǎng)推算兩家DRAM廠今年位成長(zhǎng)率(bit growth)將上看7成,而承接南亞科及華亞科后段DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)的福懋科、華東等,自然受惠最大。

爾必達(dá)陣營(yíng)今年?duì)I運(yùn)策略主要以50奈米制程微縮為主,包括力晶、瑞晶、茂德、華邦電等,已經(jīng)全速導(dǎo)入50奈米世代新技術(shù)量產(chǎn)DDR3。以現(xiàn)在進(jìn)度來(lái)看,今年中旬也會(huì)有接近7成產(chǎn)能改以50奈米投片,配合爾必達(dá)陣營(yíng)DRAM廠的投片量拉高到滿載水位,今年DRAM產(chǎn)出將因制程微縮而逐季拉高,后段封測(cè)廠力成、華東等自然也是接單暢旺,訂單能見(jiàn)度已達(dá)第2季中下旬。

至于力成除了受惠于爾必達(dá)陣營(yíng)DRAM產(chǎn)能開(kāi)出,東芝擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能力圖提升市占率,也有助于力成今年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)。



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