[導(dǎo)讀]DRAM封測(cè)廠首季展望樂(lè)觀,由于DDR3封測(cè)制程改變,代工價(jià)格較DDR2增加約20%,加上DDR2封測(cè)代工價(jià)今年初已調(diào)漲10%,DRAM封測(cè)廠首季平均價(jià)格(ASP)明顯優(yōu)于去年第4季,加上上游DRAM廠提升投片量,法人預(yù)估福懋科(81
DRAM封測(cè)廠首季展望樂(lè)觀,由于DDR3封測(cè)制程改變,代工價(jià)格較DDR2增加約20%,加上DDR2封測(cè)代工價(jià)今年初已調(diào)漲10%,DRAM封測(cè)廠首季平均價(jià)格(ASP)明顯優(yōu)于去年第4季,加上上游DRAM廠提升投片量,法人預(yù)估福懋科(8131)、華東(8110)等首季營(yíng)收季增率上看1成,力成(6239)有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)90億元大關(guān)。
在美光加快技轉(zhuǎn)動(dòng)作下,南亞科及華亞科本季已全力進(jìn)行50奈米制程升級(jí),預(yù)計(jì)3月后50奈米DDR3占產(chǎn)能比重將提升到3成以上,第2季下旬將逾5成,加上兩家DRAM廠今年合計(jì)資本支出將超過(guò)700億元,用來(lái)擴(kuò)充12吋廠產(chǎn)能及加快42奈米微縮。
由于DRAM制程由70奈米推進(jìn)至50奈米后,單片晶圓顆粒產(chǎn)出量將增加8成至9成,50奈米再推進(jìn)至42奈米后,還可再增加7成至8成,所以市場(chǎng)推算兩家DRAM廠今年位成長(zhǎng)率(bit growth)將上看7成,而承接南亞科及華亞科后段DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)的福懋科、華東等,自然受惠最大。
爾必達(dá)陣營(yíng)今年?duì)I運(yùn)策略主要以50奈米制程微縮為主,包括力晶、瑞晶、茂德、華邦電等,已經(jīng)全速導(dǎo)入50奈米世代新技術(shù)量產(chǎn)DDR3。以現(xiàn)在進(jìn)度來(lái)看,今年中旬也會(huì)有接近7成產(chǎn)能改以50奈米投片,配合爾必達(dá)陣營(yíng)DRAM廠的投片量拉高到滿載水位,今年DRAM產(chǎn)出將因制程微縮而逐季拉高,后段封測(cè)廠力成、華東等自然也是接單暢旺,訂單能見(jiàn)度已達(dá)第2季中下旬。
至于力成除了受惠于爾必達(dá)陣營(yíng)DRAM產(chǎn)能開(kāi)出,東芝擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能力圖提升市占率,也有助于力成今年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)。
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(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過(guò)...
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DRAM
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三星
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據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)...
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DRAM
智能手機(jī)
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為L(zhǎng)PDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開(kāi)了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
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中國(guó)上海,2022年10月14日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e現(xiàn)貨供應(yīng)東芝最新系列智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。新增系列光耦合器包括TLP5212和TLP5222,適用于工業(yè)控制設(shè)備中的逆變器電路、太陽(yáng)能系...
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e絡(luò)盟
東芝
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。
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存儲(chǔ)
三星
NAND
DRAM
東芝公司(Toshiba)關(guān)于經(jīng)營(yíng)重組方案,計(jì)劃與國(guó)內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”(JIP)為核心的企業(yè)聯(lián)盟優(yōu)先展開(kāi)談判。JIP向中部電力、歐力士等多家日企尋求出資參與東芝重組。東芝9月30日宣布,從通過(guò)第一輪招標(biāo)的多個(gè)陣營(yíng)...
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東芝
IP
TOSHIBA
電力
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東芝
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據(jù)韓媒報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...
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SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
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DRAM
在過(guò)去的幾個(gè)月里,東芝一直想推行戰(zhàn)略重組計(jì)劃,不過(guò)再次遇到挫折,近日遭到了過(guò)半數(shù)股東反對(duì)而被否決。鑒于東芝未來(lái)經(jīng)營(yíng)改革方針走向不明,外資大股東傾向于讓東芝私有化退市。
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Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)...
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DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑 研究機(jī)構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
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DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機(jī)
據(jù)相關(guān)消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月13日,日本東芝半導(dǎo)體旗下東芝電子元件及儲(chǔ)存裝置表示,因兩天前進(jìn)行設(shè)施檢查時(shí)發(fā)生停電,導(dǎo)致Japan Semiconductor的巖手事業(yè)所工廠停工,此次停電導(dǎo)致正在進(jìn)行的半成品報(bào)廢,預(yù)計(jì)要恢復(fù)到...
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東芝
Aug. 29, 2022 ---- 由于過(guò)去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠(yuǎn)程教育需求增長(zhǎng),電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動(dòng)DRAM模組的出貨增長(zhǎng),據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì),2021年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷售額達(dá)181...
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8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。
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三星
DRAM
面板
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一至三分之一。存儲(chǔ)器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。盡管存儲(chǔ)器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營(yíng)收貢獻(xiàn)的角度來(lái)看,DRAM和Flash(NAND、N...
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JSR株式會(huì)社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開(kāi)發(fā)進(jìn)程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進(jìn)的DRAM芯片。Inp...
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DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
e絡(luò)盟與東芝加強(qiáng)全球合作,以方便全球用戶獲取市場(chǎng)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體和其他分立器件,推動(dòng)新技術(shù)加速上市
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e絡(luò)盟
東芝
功率半導(dǎo)體
分立器件
(全球TMT2022年6月9日訊)SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合...
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DRAM
英偉達(dá)
SK海力士
HB
與以往版本相比,新開(kāi)發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一 三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級(jí)版本,以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署 深圳2022年5...
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DRAM
三星
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