DDR3需求熱絡(luò) 華東訂單能見(jiàn)度到9月
時(shí)間：2010-03-17 08:50:00
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[導(dǎo)讀]華東科技總經(jīng)理于鴻祺16日表示，DDR3客戶需求熱絡(luò)，目前訂單能見(jiàn)度看到9月，產(chǎn)能依舊滿載局面，封測(cè)利用率達(dá)到90%以上，產(chǎn)能已幾近不敷使用，該公司有意尋求新廠房，同時(shí)也不排除上修全年度資本支出。
提及DDR3市
華東科技總經(jīng)理于鴻祺16日表示，DDR3客戶需求熱絡(luò)，目前訂單能見(jiàn)度看到9月，產(chǎn)能依舊滿載局面，封測(cè)利用率達(dá)到90%以上，產(chǎn)能已幾近不敷使用，該公司有意尋求新廠房，同時(shí)也不排除上修全年度資本支出。
提及DDR3市場(chǎng)，于鴻祺表示，由于客戶對(duì)產(chǎn)業(yè)景氣前景樂(lè)觀，給予長(zhǎng)達(dá)6個(gè)月的預(yù)估訂單，預(yù)期到9月的訂單皆相當(dāng)熱絡(luò)，使后段產(chǎn)能維持緊俏局面，不僅測(cè)試緊上加緊，就連封裝產(chǎn)能也自3月開(kāi)始趨于吃緊狀態(tài)，現(xiàn)今封裝和測(cè)試產(chǎn)能利用率皆攀升至90%以上。該公司加緊進(jìn)行征召人才動(dòng)作，希望能夠增加10~20%的聯(lián)機(jī)操作員。
為支應(yīng)客戶需求，華東也提前增購(gòu)測(cè)試機(jī)臺(tái)的動(dòng)作。于鴻祺說(shuō)，機(jī)臺(tái)進(jìn)駐時(shí)程已提前半年，估計(jì)到年中高速測(cè)試機(jī)臺(tái)將比2009年底增加20~30%。華東內(nèi)部以擴(kuò)大市占率為2010年經(jīng)營(yíng)主軸，因此該公司打算積極擴(kuò)充機(jī)臺(tái)腳步，計(jì)劃提高全年資本支出，高于新臺(tái)幣30億元，這將是華東首度上修資本支出。此外，華東高雄廠區(qū)空間幾近不敷使用，不排除在高雄或大陸尋求新廠房。
在華東搶攻DDR3市場(chǎng)下，該公司目前標(biāo)準(zhǔn)型DRAM皆以DDR3為主，但以整體DRAM出貨而言，其占比約接近50%，到第2季DDR3比重勢(shì)必會(huì)超過(guò)50%。
對(duì)于硅品先前? X售DRAM測(cè)試機(jī)臺(tái)，被業(yè)界視為該公司等同退出DRAM后段領(lǐng)域。對(duì)此，于鴻祺說(shuō)，目前尚未感受到客戶自硅品訂單流出的情況，但「與客戶談?wù)摌I(yè)務(wù)和價(jià)格的口氣已以往有所不同?！? 言也暗示，產(chǎn)業(yè)秩序有趨于健康之意。
于鴻祺16日參加GSA舉辦的內(nèi)存論壇，會(huì)中三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉提及系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)和硅穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用于內(nèi)存產(chǎn)品上。
對(duì)此，于鴻祺在會(huì)后表示，三星內(nèi)部具有TSV技術(shù)，但尚未量產(chǎn)。由于三星具有前段代工和后段封測(cè)等一元化制程，確實(shí)最有利也最適合開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)，但TSV技術(shù)很貴，致使市場(chǎng)接受度并不高。對(duì)內(nèi)存封測(cè)廠而言，TSV是利基市場(chǎng)，并不適合強(qiáng)調(diào)量大、標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品的主力市場(chǎng)，現(xiàn)在談內(nèi)存產(chǎn)業(yè)切入TSV的時(shí)機(jī)尚稱(chēng)太早。
提及DDR3市場(chǎng)，于鴻祺表示，由于客戶對(duì)產(chǎn)業(yè)景氣前景樂(lè)觀，給予長(zhǎng)達(dá)6個(gè)月的預(yù)估訂單，預(yù)期到9月的訂單皆相當(dāng)熱絡(luò)，使后段產(chǎn)能維持緊俏局面，不僅測(cè)試緊上加緊，就連封裝產(chǎn)能也自3月開(kāi)始趨于吃緊狀態(tài)，現(xiàn)今封裝和測(cè)試產(chǎn)能利用率皆攀升至90%以上。該公司加緊進(jìn)行征召人才動(dòng)作，希望能夠增加10~20%的聯(lián)機(jī)操作員。
為支應(yīng)客戶需求，華東也提前增購(gòu)測(cè)試機(jī)臺(tái)的動(dòng)作。于鴻祺說(shuō)，機(jī)臺(tái)進(jìn)駐時(shí)程已提前半年，估計(jì)到年中高速測(cè)試機(jī)臺(tái)將比2009年底增加20~30%。華東內(nèi)部以擴(kuò)大市占率為2010年經(jīng)營(yíng)主軸，因此該公司打算積極擴(kuò)充機(jī)臺(tái)腳步，計(jì)劃提高全年資本支出，高于新臺(tái)幣30億元，這將是華東首度上修資本支出。此外，華東高雄廠區(qū)空間幾近不敷使用，不排除在高雄或大陸尋求新廠房。
在華東搶攻DDR3市場(chǎng)下，該公司目前標(biāo)準(zhǔn)型DRAM皆以DDR3為主，但以整體DRAM出貨而言，其占比約接近50%，到第2季DDR3比重勢(shì)必會(huì)超過(guò)50%。
對(duì)于硅品先前? X售DRAM測(cè)試機(jī)臺(tái)，被業(yè)界視為該公司等同退出DRAM后段領(lǐng)域。對(duì)此，于鴻祺說(shuō)，目前尚未感受到客戶自硅品訂單流出的情況，但「與客戶談?wù)摌I(yè)務(wù)和價(jià)格的口氣已以往有所不同?！? 言也暗示，產(chǎn)業(yè)秩序有趨于健康之意。
于鴻祺16日參加GSA舉辦的內(nèi)存論壇，會(huì)中三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉提及系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)和硅穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用于內(nèi)存產(chǎn)品上。
對(duì)此，于鴻祺在會(huì)后表示，三星內(nèi)部具有TSV技術(shù)，但尚未量產(chǎn)。由于三星具有前段代工和后段封測(cè)等一元化制程，確實(shí)最有利也最適合開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)，但TSV技術(shù)很貴，致使市場(chǎng)接受度并不高。對(duì)內(nèi)存封測(cè)廠而言，TSV是利基市場(chǎng)，并不適合強(qiáng)調(diào)量大、標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品的主力市場(chǎng)，現(xiàn)在談內(nèi)存產(chǎn)業(yè)切入TSV的時(shí)機(jī)尚稱(chēng)太早。
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