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[導(dǎo)讀]美國(guó)諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus Systems)宣布,該公司面向銅(Cu)布線的W通孔開發(fā)出了厚度僅為2nm的WN下層膜技術(shù)。如果使用該項(xiàng)技術(shù)的話,便可將銅布線技術(shù)用于3Xnm工藝內(nèi)存中。為了實(shí)現(xiàn)DRAM和閃存的高速化,銅布線被大量

美國(guó)諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus Systems)宣布,該公司面向銅(Cu)布線的W通孔開發(fā)出了厚度僅為2nm的WN下層膜技術(shù)。如果使用該項(xiàng)技術(shù)的話,便可將銅布線技術(shù)用于3Xnm工藝內(nèi)存中。

為了實(shí)現(xiàn)DRAM和閃存的高速化,銅布線被大量采用。大多在第一層金屬布線中使用銅,第二層以上使用鋁(Al)布線。諾發(fā)此次開發(fā)的是連接銅布線和鋁布線的W通孔下層膜技術(shù)。W通孔下層膜原來一直使用濺射成膜的Ti和MOCVD成膜的TiN積層膜(合計(jì)厚度為20nm左右)。不過問題是隨著微細(xì)化的發(fā)展,形成下層膜時(shí)產(chǎn)生的懸突(Overhang)影響越來越顯著,W通孔的嵌入變得困難。

為了解決這個(gè)問題,諾發(fā)系統(tǒng)開發(fā)出了可以將Ti/TiN積層膜替換為通過CVD成膜的WN(厚度為2nm)單層膜技術(shù)。通過采用該公司開發(fā)出來的“PNL”技術(shù),可以對(duì)微晶(Micro Crystalline)構(gòu)造形成WN膜。微晶WN單層膜即使將厚度減至2nm,也可以確保所需要的阻隔(Barrier)性能。與原來的Ti/TiN相比可將厚度減至1/10,由此解決了懸突問題。另外,通過減小電阻較高的下層膜厚度等,將通孔電阻降低30%。WN成膜裝置采用了該公司的“Altus”。(記者:長(zhǎng)廣 恭明)


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