半導體研究機構ICinsights 指出，全球記憶體下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM 與NAND 快閃記憶體均是如此。

盡管漲勢減緩，但DRAM 與NAND 今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。以DRAM 為例，DRAM 平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993 年有紀錄以來之最。

記憶體價格從去年第三季起漲，ICinsights 預期動能可能持續(xù)至2017 年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。

ICinsights 指出，隨著價格走揚，記憶體制造商也再次增加資本投資，但多數(shù)不是擴充產能，而是開發(fā)更先進技術，如今年有關于快產記憶體的投資，幾乎全數(shù)投入3D NAND 技術的開發(fā)。

一路狂飆的NAND Flash和DRAM

從去年以來，有關存儲漲價和缺貨的消息一直不絕于耳。導致存儲器市場出現(xiàn)這種亂象的原因是供需失衡，一方面是應用需求不斷增長，另一方面是存儲器處于寡頭時代，供應不足。

隨著DRAM先進工藝制程的發(fā)展，DRAM 產業(yè)應用范圍越來越廣。從主流應用 PC端、手機等消費電子，發(fā)展到現(xiàn)階段又開啟了新一代應用包括服務器、云端、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、人工智能等，可以說當前DRAM 產業(yè)已經進入多元化應用。而這些多元化應用都將帶動存儲器需求，尤其當前堪稱萬億級市場的物聯(lián)網(wǎng)與5G通信對存儲器需求量會更大。因而，DRAM 或將面臨產能不足、長期供不應求的局面。

其次，與廣泛的應用領域形成鮮明對比的是，存儲器產業(yè)的高度集中。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度，全球DRAM市場份額分布為三星(50.2%)、海力士(24.8%)、美光(18.5%)、南亞(3.1%)、華邦電子(1.7%)、力晶科技(0.6%)、其他(1.2%)。內存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內存模組廠商，2015年市占率高達68%。可以說，全球主要DRAM產能僅由幾間廠家壟斷提供，寡頭競爭格局尤為突出，這直接導致全球范圍內的持續(xù)缺貨。

IC Insights 表示，DRAM 價格自2016 年中以來快速走高。根據(jù)統(tǒng)計，DRAM 平均售價已自2016 年4 月的2.41 美元，大幅攀高到2017 年2 月的3.7 美元，漲幅高達至54%。

NAND Flash同樣有這種現(xiàn)象。2017上半年NAND Flash價格持續(xù)走高，4月份價格行情走到高點，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket綜合價格指數(shù)顯示，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。

5月中國市場智能型手機、平板等消費類產品需求下滑，再加上NAND Flash價格持續(xù)走高，高價壓力下的 SSD市場需求低迷，NAND Flash綜合價格指數(shù)下滑3.4%。不過，6月市場迎旺季需求，市場買氣有所回升，另一方面Flash原廠64層/72層3D NAND要等到Q3才能夠釋放出來，帶動NAND Flash價格再次拉漲，漲幅2.2%。

連快要被媒體遺忘的Nor Flash也睽違四年多來首次漲價，首季調漲5~7%不等。

可以看出，似乎一個屬于存儲的春天到來。

謹防產能爬坡帶來的價格崩塌

現(xiàn)在的存儲缺貨成為普遍現(xiàn)象，而供應商們全都掙得盤滿缽滿?？吹竭@個龐大需求市場的持續(xù)紅利輸出，很多企業(yè)都在加碼這個領域，但我們要看到背后的風險。

在上個世紀90年代，也有過一段存儲的漲價潮，然后很多企業(yè)都投入了更多的產線來提高產能。甚至有些之前不是做這個的企業(yè)看到有利可圖，專門涉足這個行業(yè)。最后導致了存儲產業(yè)的崩盤。因此我們要看到這種風險的存在。

不過有一點跟以往不同的是。這次的缺貨和漲價現(xiàn)象，是因為新技術沒完善，舊產線被逐漸淘汰造成的。而大部分先進企業(yè)做的就是加快投資新技術，推動產品供應壓力緩解，而不是盲目地擴充落后的產線，這種眼光值得學習，相信也不會出現(xiàn)之前的那種價格雪崩現(xiàn)象。

但我們要看到，中國長江存儲現(xiàn)在擁有很雄偉的目標，如果他們的產品如期到來，會否對產業(yè)造成沖擊呢?這就需要長江存儲的領導人有高瞻遠矚的思維。