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美光新加坡廠明年投產(chǎn)　NAND Flash卡位戰(zhàn)再起

時(shí)間：2010-12-17 13:23:03

關(guān)鍵字： Flash NAND 新加坡美光

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[導(dǎo)讀]美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NANDFlash市場供需可維持健康的狀態(tài)。

美光近來年陸續(xù)在34奈米和25奈米技術(shù)世代上，都接連領(lǐng)先三星和東芝，在全球NANDFlash技術(shù)地位上大幅提升，加上與英特爾合資建廠，也使得全球NANDFlash市占率增加，2010年第3季達(dá)10%。

展望2011年NANDFlash市場概況，三星和東芝都有擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)畫，三星興建的Line-16新廠房預(yù)計(jì)將以NANDFlash產(chǎn)品為主，東芝與快閃記憶卡龍頭大廠新帝(SanDisk)合資興建的Fab5，也預(yù)計(jì)在2011年投產(chǎn)。

面對三星和東芝對于擴(kuò)產(chǎn)NANDFlash產(chǎn)能來勢洶洶，美光在新加坡的新廠也將于2011年加入投產(chǎn)，預(yù)計(jì)此廠房的產(chǎn)能規(guī)模約10萬片，預(yù)計(jì)2011年底前先完成50%機(jī)器設(shè)備裝置。

面對2011年NANDFlash產(chǎn)能大幅增加，美光表示，其實(shí)在終端應(yīng)用上，也同步在往上，包括平板計(jì)算機(jī)、固態(tài)硬碟(SSD)、智能型手機(jī)等對于NANDFlash需求量都大增，預(yù)期2011年的NANDFlash市場供需將是健康穩(wěn)定成長。

再者，美光除了制程技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先外，美光在產(chǎn)品技術(shù)上，也一直緊抓市場脈動(dòng)包括eMMC解決方案之外，也領(lǐng)先推出ClearNAND產(chǎn)品，將ECC除錯(cuò)機(jī)制(ErrorCorrectingCode)功能包裹在芯片之內(nèi)，預(yù)計(jì)未來可搶占平板計(jì)算機(jī)商機(jī)。

面對NANDFlash技術(shù)在25奈米以下離瓶頸期越來越近，美光也持續(xù)開發(fā)下世代快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，在購并恒憶(Numonyx)之后，也獲得相變化存儲(chǔ)器(Phase-ChangeMemory；PCM)技術(shù)和專利，美光看好PCM可以取代NANDFlash和DRAM技術(shù)，這會(huì)是美光未來布局的重點(diǎn)之一。

再者，美光指出，新存儲(chǔ)器技術(shù)包括CrossPointMemory和3D技術(shù)等，也都是未來布局的一環(huán)。

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