爾必達(dá)和夏普共同開發(fā)ReRAM填補(bǔ)DRAM與NAND閃存的性能差
[導(dǎo)讀]新一代存儲(chǔ)器的大型共同開發(fā)項(xiàng)目即將在日本啟動(dòng)。爾必達(dá)存儲(chǔ)器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級(jí)可變電阻式存儲(chǔ)器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲(chǔ)器擁
新一代存儲(chǔ)器的大型共同開發(fā)項(xiàng)目即將在日本啟動(dòng)。爾必達(dá)存儲(chǔ)器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級(jí)可變電阻式存儲(chǔ)器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲(chǔ)器擁有的量產(chǎn)技術(shù)等。
此次開發(fā)的ReRAM瞄準(zhǔn)彌補(bǔ)便攜產(chǎn)品和各種臺(tái)式產(chǎn)品中DRAM與NAND閃存之間的性能差。在電子設(shè)備中作為工作內(nèi)存（WorkMemory）使用的DRAM時(shí)，最近通過導(dǎo)入DDR3接口，傳輸速度不斷提高。今后還將導(dǎo)入DDR4接口等，估計(jì)傳輸速度將會(huì)更快。而另一方面，作為存儲(chǔ)介質(zhì)不斷推進(jìn)利用的NAND閃存方面，伴隨著以多值化為代表的大容量化，寫入速度等性能出現(xiàn)降低趨勢(shì)?！癉RAM與NAND閃存的性能差不斷擴(kuò)大，因此，為彌補(bǔ)這種性能差必須開發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)器”（爾必達(dá)執(zhí)行董事兼CTO安達(dá)隆郎）。作為其候補(bǔ)，爾必達(dá)等選中的是寫入速度比NAND閃存快幾位數(shù)的ReRAM。今后的目標(biāo)是，使ReRAM至少擁有與DRAM同等以上的大容量。
在大規(guī)模地開發(fā)ReRAM芯片的同時(shí)，定量估算將ReRAM實(shí)際導(dǎo)入電子設(shè)備時(shí)的高性能化及低功耗化效果的嘗試也正式開始。與爾必達(dá)和夏普等共同開發(fā)ReRAM的東京大學(xué)研究生院工學(xué)研究系電氣工學(xué)專業(yè)副教授竹內(nèi)健的開發(fā)小組，在2010年9月22～24日于東京舉行的半導(dǎo)體元件/材料相關(guān)國際會(huì)議“SSDM（SolidStateDevicesandMaterials）2010”上，公布了估算結(jié)果。具體內(nèi)容如下：作為SSD（SolidStateDrive，固態(tài)硬盤）的緩存使用ReRAM時(shí)，寫入數(shù)據(jù)時(shí)的耗電量可比原來降低97％，運(yùn)行可靠性的指標(biāo)——允許誤比特率可提高至原來的3.6倍。
此次開發(fā)的ReRAM瞄準(zhǔn)彌補(bǔ)便攜產(chǎn)品和各種臺(tái)式產(chǎn)品中DRAM與NAND閃存之間的性能差。在電子設(shè)備中作為工作內(nèi)存（WorkMemory）使用的DRAM時(shí)，最近通過導(dǎo)入DDR3接口，傳輸速度不斷提高。今后還將導(dǎo)入DDR4接口等，估計(jì)傳輸速度將會(huì)更快。而另一方面，作為存儲(chǔ)介質(zhì)不斷推進(jìn)利用的NAND閃存方面，伴隨著以多值化為代表的大容量化，寫入速度等性能出現(xiàn)降低趨勢(shì)?！癉RAM與NAND閃存的性能差不斷擴(kuò)大，因此，為彌補(bǔ)這種性能差必須開發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)器”（爾必達(dá)執(zhí)行董事兼CTO安達(dá)隆郎）。作為其候補(bǔ)，爾必達(dá)等選中的是寫入速度比NAND閃存快幾位數(shù)的ReRAM。今后的目標(biāo)是，使ReRAM至少擁有與DRAM同等以上的大容量。
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