東麗宣布開發(fā)出了用于以智能手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品為中心廣泛采用的倒裝芯片封裝和三維封裝的薄膜，將于2011年1月正式銷售。上述用途過(guò)去采用的是底部填充樹脂。此次的薄膜與底部填充樹脂相比，具有可支持10μm以下的狹縫、能夠簡(jiǎn)化封裝工藝和降低成本等優(yōu)點(diǎn)。該公司表示，將把使用此次薄膜的封裝技術(shù)培育成業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，從而在目前規(guī)模約為100億日元且以年均10％左右的速度持續(xù)增長(zhǎng)的底部填充樹脂市場(chǎng)上奪取幾成的份額。

倒裝芯片封裝和三維封裝原來(lái)是在連接芯片與底板及芯片間的電極后填充環(huán)氧類填充樹脂。倒裝芯片封裝的具體工藝是：首先將形成了倒裝芯片用電極（凸點(diǎn)）的晶圓切割成單個(gè)芯片。然后，用粘片機(jī)一邊加熱一邊將朝下的芯片配置在底板上，然后通過(guò)加熱焊接等確保芯片與底板電氣連接。最后在芯片與底板的縫隙間填充底部填充樹脂，使其熱硬化，從而將芯片完全固定在底板上。但存在問(wèn)題是：如果電極極板間距變窄或高度降低，底部就難以填充樹脂，而必須在配備的芯片中一個(gè)一個(gè)地在底部填充樹脂，并且填充耗費(fèi)時(shí)間，因此成本容易增加，另外底部填充樹脂有時(shí)露在芯片周圍，占用多余的封裝面積。

而此次開發(fā)的聚酰亞胺薄膜能夠克服上述問(wèn)題。在倒裝芯片封裝中使用此次的薄膜時(shí)，首先將薄膜貼在晶圓和底板上（層壓）。其次用粘片機(jī)一邊加熱一邊配置朝下的芯片。這時(shí)，通過(guò)調(diào)整加熱方法，可以通過(guò)一次加熱工藝實(shí)現(xiàn)極板間的電性連接和用來(lái)固定芯片的薄膜熱硬化。此次的薄膜加熱到120℃左右，會(huì)暫時(shí)融化成粘液狀，具有流動(dòng)性?；谶@個(gè)性質(zhì)，焊接時(shí)薄膜材料在電極上移動(dòng)，從而使芯片與底板的電極接觸。進(jìn)一步加熱，通過(guò)焊接等確保芯片與底板電性連接。最后，薄膜逐漸硬化，從而使芯片就固定在底板上了。

為了能夠支持這種封裝工藝，東麗改進(jìn)了聚酰亞胺材料。具體是在納米水平上控制相溶體（多種物質(zhì)成分相互通過(guò)親和性混合在一起的物體）的構(gòu)造，實(shí)現(xiàn)了未硬化狀態(tài)和硬化狀態(tài)兩種狀態(tài)分別要求的特性。在未硬化狀態(tài)下，滿足了以下特性：向電極和底板上粘貼時(shí)不出現(xiàn)氣泡；通過(guò)晶圓貼合后的焊接，薄膜也能夠一起切斷；即使遇到芯片焊接工藝中焊接等所需要的200℃以上高溫，薄膜也不分解等。另一方面，據(jù)該公司介紹，硬化后實(shí)現(xiàn)了與底部填充樹脂同等的粘結(jié)牢靠性和絕緣可靠性。另外，此次的薄膜將在與“第40屆INTER NEPCON JAPAN”同時(shí)舉行的“第12屆半導(dǎo)體封裝技術(shù)展”（2011年1月19～21日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上展出。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）