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DRAM封測制程沿革

時間：2011-01-04 07:57:00
關鍵字： DRAM    SDRAM    DDR3    封裝技術   
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[導讀]李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進封裝技術的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進封裝技術的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代。在測試制程方面，傳輸速率亦由800 MHZ逐步提升至1.3GHZ以上，原有的封測設備已不敷使用，均需再投資新設備，而在高技術及資金門檻的情況下，也更加速封測廠商的整合。目前臺灣封裝廠商有34家，測試廠商有36家，在面對封裝測試產(chǎn)業(yè)后續(xù)龐大資本支出需求，造就集團式經(jīng)營的趨勢。

DRAM模組價格與原料DRAM的漲跌息息相關，整體產(chǎn)業(yè)受景氣波動影響甚深，因此模組廠商唯有保持最佳的營運績效、以最低的成本、最快的生產(chǎn)效率，以及搭配良好的行銷通路，才能在激烈的競爭環(huán)境中存活。(李洵穎)



來源：Digitimes

作者：zhaobin

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