[導(dǎo)讀]李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品,其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP),自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA),延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代
李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品,其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP),自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA),延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代。在測試制程方面,傳輸速率亦由800 MHZ逐步提升至1.3GHZ以上,原有的封測設(shè)備已不敷使用,均需再投資新設(shè)備,而在高技術(shù)及資金門檻的情況下,也更加速封測廠商的整合。目前臺灣封裝廠商有34家,測試廠商有36家,在面對封裝測試產(chǎn)業(yè)后續(xù)龐大資本支出需求,造就集團(tuán)式經(jīng)營的趨勢。
DRAM模組價格與原料DRAM的漲跌息息相關(guān),整體產(chǎn)業(yè)受景氣波動影響甚深,因此模組廠商唯有保持最佳的營運(yùn)績效、以最低的成本、最快的生產(chǎn)效率,以及搭配良好的行銷通路,才能在激烈的競爭環(huán)境中存活。(李洵穎)
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(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時,各DRAM供應(yīng)...
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消費(fèi)性
DRAM
智能手機(jī)
- 在驍龍(Snapdragon)移動平臺上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為LPDDR(移動端)內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
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存儲
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報道,在日前舉辦的行業(yè)活動上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計,存儲半導(dǎo)體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計來年三季度DRAM和NAN...
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SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲芯片更加商品化,對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。
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存儲芯片
半導(dǎo)體
DRAM
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑 研究機(jī)構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
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DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機(jī)
Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠(yuǎn)程教育需求增長,電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動DRAM模組的出貨增長,據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2021年全球DRAM模組市場整體銷售額達(dá)181...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
8月20日消息,據(jù)國外媒體報道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。
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三星
DRAM
面板
存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場的四分之一至三分之一。存儲器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。盡管存儲器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營收貢獻(xiàn)的角度來看,DRAM和Flash(NAND、N...
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ReRAM
DRAM
NAND
JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進(jìn)程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進(jìn)的DRAM芯片。Inp...
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DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個代工的模式,那么,持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā),則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計2022年量產(chǎn)的3納米,臺積電平均2年開發(fā)一代新制程,...
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光刻技術(shù)
封裝技術(shù)
EUV光刻機(jī)
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個代工的模式,那么,持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā),則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計2022年量產(chǎn)的3納米,臺積電平均2年開發(fā)一代新制程,...
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光刻技術(shù)
封裝技術(shù)
EUV光刻機(jī)
(全球TMT2022年7月7日訊)高階應(yīng)用市場的高性能運(yùn)算系統(tǒng)芯片成長強(qiáng)勁,伴隨的是前所未有對先進(jìn)封裝技術(shù)的依賴。由臺積電所研發(fā)的先進(jìn)封裝技術(shù)CoWoS 及InFO 2.5D/3D封裝對于成功部署當(dāng)今的HPC SoC...
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封裝
電子
IC
封裝技術(shù)
(全球TMT2022年6月9日訊)SK海力士宣布公司開始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合...
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DRAM
英偉達(dá)
SK海力士
HB
在這篇文章中,小編將對開發(fā)板的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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FPGA
開發(fā)板
SDRAM
與以往版本相比,新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一 三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本,以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署 深圳2022年5...
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DRAM
三星
內(nèi)存
擴(kuò)展器
2022第一季度財務(wù)亮點(diǎn): 一季度實(shí)現(xiàn)收入為人民幣81.4億元,同比增長21.2%,創(chuàng)歷年同期新高。 一季度經(jīng)營活動產(chǎn)生現(xiàn)金人民幣16.4億元,同比增長36.1%...
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長電科技
晶圓
封裝技術(shù)
半導(dǎo)體器件
(全球TMT2022年4月27日訊)SK海力士發(fā)布截至2022年3月31日的2022財年第一季度財務(wù)報告。公司2022財年第一季度結(jié)合并收入為12.156萬億韓元,營業(yè)利潤為2.860萬億韓元,凈利潤為1.983萬億韓...
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SK海力士
DRAM
NAND
SOLID