企業(yè)節(jié)省支出 惠瑞捷：測(cè)試業(yè)景氣依舊疲軟
時(shí)間：2010-07-23 09:02:00
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[導(dǎo)讀]自動(dòng)測(cè)試(ATE)設(shè)備商惠瑞捷策略營(yíng)銷(xiāo)部副總裁Mark Allison表示，2010年內(nèi)存測(cè)試景氣依舊疲軟，主因是測(cè)試設(shè) 備的資本支出尚未有所提升。他認(rèn)為，新的晶圓廠有新的產(chǎn)出恐怕得等到2011年，同時(shí)，內(nèi)存制造廠仍使用舊型、
自動(dòng)測(cè)試(ATE)設(shè)備商惠瑞捷策略營(yíng)銷(xiāo)部副總裁Mark Allison表示，2010年內(nèi)存測(cè)試景氣依舊疲軟，主因是測(cè)試設(shè) 備的資本支出尚未有所提升。他認(rèn)為，新的晶圓廠有新的產(chǎn)出恐怕得等到2011年，同時(shí)，內(nèi)存制造廠仍使用舊型、二手仍堪用的機(jī)臺(tái)進(jìn) 行測(cè)試，以節(jié)省資本支出。
盡管如此，惠瑞捷依舊推出新機(jī)臺(tái)，以 支應(yīng)往后新世代的DRAM測(cè)試需求，復(fù)制DDR3高速測(cè)試機(jī)成功的模式，搶先布局DDR4和繪圖芯片用GDDR5測(cè)試機(jī)臺(tái)。其 中在GDDR5用的惠瑞捷新的測(cè)試機(jī)，已安裝用于客戶最新設(shè)計(jì)芯片的工程和生產(chǎn)測(cè)試。
惠 瑞捷在2008年切入內(nèi)存高速測(cè)試機(jī)，領(lǐng)先該領(lǐng)域龍頭愛(ài)德萬(wàn)(Advantest)，到2009年惠瑞捷在DDR3領(lǐng)域市占率位舊 保持領(lǐng)先。隨著2010年DDR3逐漸取代DDR2躍居主流，綜觀內(nèi)存封測(cè)廠，DDR3出貨比重在年中皆占到DRAM的 一半以上，惟惠瑞捷腳步遂被愛(ài)德萬(wàn)趕上。
目前愛(ài)德萬(wàn)高速測(cè)試機(jī) T5503的同測(cè)顆數(shù)可達(dá)到256顆DDR3，而惠瑞捷的同測(cè)數(shù)256顆的V93000HSM2300的機(jī)臺(tái)現(xiàn)已經(jīng)準(zhǔn)備 好，正待內(nèi)存廠進(jìn)行認(rèn)證。據(jù)DRAM業(yè)者表示，預(yù)計(jì)8~9月應(yīng)可完成通過(guò)認(rèn)證。
惠 瑞捷挾著過(guò)去DDR3高速測(cè)試機(jī)領(lǐng)先的經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)，著眼于繪圖芯片用GDDR5和DDR4未來(lái)商機(jī)，推出新測(cè)試機(jī)臺(tái)，前者為 HSM6800，而后者為HSM3G。在GDDR5方面，惠瑞捷已在南韓客戶的生產(chǎn)設(shè)備內(nèi)安裝，并驗(yàn)證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)，此為當(dāng)今唯一運(yùn)行速度超過(guò)每接腳4 Gbps GDDR5超快內(nèi)存的全速高良率測(cè)試解決方案。
在 DDR4方面，惠瑞捷推出全新的HSM3G高速內(nèi)存測(cè)試解決方案，具備未來(lái)可升級(jí)性的優(yōu)勢(shì)，能夠?yàn)閺?strong>DDR3到DDR4 再到將來(lái)更高級(jí)的主流DRAM等至少3個(gè)世代產(chǎn)品提供數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)6.8 Gbps且價(jià)格低廉的測(cè)試服務(wù)。
盡管如此，惠瑞捷依舊推出新機(jī)臺(tái)，以 支應(yīng)往后新世代的DRAM測(cè)試需求，復(fù)制DDR3高速測(cè)試機(jī)成功的模式，搶先布局DDR4和繪圖芯片用GDDR5測(cè)試機(jī)臺(tái)。其 中在GDDR5用的惠瑞捷新的測(cè)試機(jī)，已安裝用于客戶最新設(shè)計(jì)芯片的工程和生產(chǎn)測(cè)試。
惠 瑞捷在2008年切入內(nèi)存高速測(cè)試機(jī)，領(lǐng)先該領(lǐng)域龍頭愛(ài)德萬(wàn)(Advantest)，到2009年惠瑞捷在DDR3領(lǐng)域市占率位舊 保持領(lǐng)先。隨著2010年DDR3逐漸取代DDR2躍居主流，綜觀內(nèi)存封測(cè)廠，DDR3出貨比重在年中皆占到DRAM的 一半以上，惟惠瑞捷腳步遂被愛(ài)德萬(wàn)趕上。
目前愛(ài)德萬(wàn)高速測(cè)試機(jī) T5503的同測(cè)顆數(shù)可達(dá)到256顆DDR3，而惠瑞捷的同測(cè)數(shù)256顆的V93000HSM2300的機(jī)臺(tái)現(xiàn)已經(jīng)準(zhǔn)備 好，正待內(nèi)存廠進(jìn)行認(rèn)證。據(jù)DRAM業(yè)者表示，預(yù)計(jì)8~9月應(yīng)可完成通過(guò)認(rèn)證。
惠 瑞捷挾著過(guò)去DDR3高速測(cè)試機(jī)領(lǐng)先的經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)，著眼于繪圖芯片用GDDR5和DDR4未來(lái)商機(jī)，推出新測(cè)試機(jī)臺(tái)，前者為 HSM6800，而后者為HSM3G。在GDDR5方面，惠瑞捷已在南韓客戶的生產(chǎn)設(shè)備內(nèi)安裝，并驗(yàn)證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)，此為當(dāng)今唯一運(yùn)行速度超過(guò)每接腳4 Gbps GDDR5超快內(nèi)存的全速高良率測(cè)試解決方案。
在 DDR4方面，惠瑞捷推出全新的HSM3G高速內(nèi)存測(cè)試解決方案，具備未來(lái)可升級(jí)性的優(yōu)勢(shì)，能夠?yàn)閺?strong>DDR3到DDR4 再到將來(lái)更高級(jí)的主流DRAM等至少3個(gè)世代產(chǎn)品提供數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)6.8 Gbps且價(jià)格低廉的測(cè)試服務(wù)。
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