[導(dǎo)讀]TSV(through silicon via,硅貫通孔)技術(shù)開(kāi)發(fā)企業(yè)法國(guó)Alchimer S.A.首席執(zhí)行官Steve Lermer與首席技術(shù)官Claudio Truzzi為參加“SEMICON Japan 2010”(2010年12月1~3日,幕張MESSE會(huì)展中心)來(lái)到日本,并就該公司
TSV(through silicon via,硅貫通孔)技術(shù)開(kāi)發(fā)企業(yè)法國(guó)Alchimer S.A.首席執(zhí)行官Steve Lermer與首席技術(shù)官Claudio Truzzi為參加“SEMICON Japan 2010”(2010年12月1~3日,幕張MESSE會(huì)展中心)來(lái)到日本,并就該公司的“AquiVia”技術(shù)及今后的業(yè)務(wù)開(kāi)展計(jì)劃等接受了媒體采訪(fǎng)。該公司開(kāi)發(fā)完成了TSV用成膜技術(shù),使用該技術(shù),可將形成TSV的加工、成膜及平坦化處理等所有工藝的總成本較原來(lái)最多削減65%。
關(guān)于可削減工藝成本的理由,Truzzi表示,“加工成本可削減50%,成膜成本可削減70%,平坦化處理成本可削減50%”。能夠削減加工成本是因?yàn)樘岣吡宋g刻速度。Truzzi稱(chēng),使用該公司的濕式成膜技術(shù),即使加工后的導(dǎo)通孔內(nèi)壁出現(xiàn)名為“Scallop”的凹凸也可以成膜。以前為防止“Scallop”出現(xiàn),降低了蝕刻速度,而此次無(wú)需這樣做,因此可大幅提高蝕刻速度。成膜成本可通過(guò)減少對(duì)制造裝置的投資來(lái)削減。以前一直使用需要真空系統(tǒng)的干式工藝,另外在使絕緣膜、籽晶層及鍍膜等成膜時(shí)需要不同的裝置。而該公司的技術(shù)均可利用濕式工藝成膜,因此無(wú)需真空系統(tǒng),在同一裝置內(nèi)即可處理所有工藝。平坦化處理成本能夠削減是因?yàn)槔闷教够に噾?yīng)該除去的膜厚度變薄,縮短了工藝時(shí)間。采用此次的技術(shù),向TSV嵌入時(shí),宛如從TSV的底部生長(zhǎng)出來(lái)一樣。因此,表面部分形成的膜變薄,應(yīng)除去的膜也變薄。
關(guān)于今后的業(yè)務(wù)開(kāi)展計(jì)劃,Lermer表示,“將開(kāi)展向半導(dǎo)體廠商提供此次技術(shù)的技術(shù)授權(quán)業(yè)務(wù)”。屆時(shí),在制造裝置方面,可對(duì)半導(dǎo)體廠商的現(xiàn)有鍍膜裝置進(jìn)行改造,也可新導(dǎo)入裝置。Lermer稱(chēng),新導(dǎo)入裝置時(shí),該公司可對(duì)裝置廠商進(jìn)行介紹。成膜材料方面,該公司與長(zhǎng)瀨產(chǎn)業(yè)及Nagase chemteX簽訂了藥液制造授權(quán)協(xié)議。將由Nagase chemteX為半導(dǎo)體廠商提供藥液。(記者:長(zhǎng)廣 恭明)
Steve Lermer(左)與首席技術(shù)官Claudio Truzzi(右)(點(diǎn)擊放大)
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