IBM聯(lián)盟否認(rèn)在Gate-first高k工藝上遇到了問題
IBM技術(shù)聯(lián)盟成員GlobalFoundries和Samsung否認(rèn)了近期聯(lián)盟在高k/金屬柵技術(shù)上遇到了麻煩。
在高k/金屬柵上IBM集團(tuán)采用Gate-first工藝，而Intel和臺(tái)積電等大廠則采用Gate-last工藝。
Barclay銀行分析師Andrew Lu稱，IBM集團(tuán)在采用Gate-first工藝的過程中遇到了熱穩(wěn)定性、閾值電壓漂移和柵堆疊層再生長等問題，這對(duì)于PMOS來說是非常嚴(yán)重的問題。
Lu還表示，預(yù)計(jì)臺(tái)積電有望憑借Gate-last工藝在28nm轉(zhuǎn)移戰(zhàn)中占得先機(jī)。
但I(xiàn)BM集團(tuán)成員否認(rèn)這一說法。GlobalFoundries稱，在Gate-first問題上存在著一些誤區(qū)?！拔覀兒徒鹑诜治鰩煹穆?lián)系不是很緊密，因?yàn)槲覀儾皇且患疑鲜泄荆运麄兊玫降牟⒎亲钚滦畔?。”三星則稱：“大家都知道我們?cè)?月就認(rèn)證了32nm高k/金屬柵工藝，并未遇到這種問題。”
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http://www.eetimes.com/electronics-news/4208861/IBM--fab-club--denies-problems-with-high-k-semiconductor
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