諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)宣布已經(jīng)開發(fā) conformal film deposition (CFD)技術(shù)，可在高寬比4:1的結(jié)構(gòu)上有100%的階梯覆蓋能力。這項創(chuàng)新的 CFD 技術(shù)可以提供 32奈米以下在前段制程的需求，例如 gate liners、spacers、shallow trench 隔絕的高介電金屬閘極 (HKMG) liners和用在雙曝光技術(shù)的spacers。諾發(fā)的CFD氧化物薄膜擁有和爐管熱反應(yīng)的氧化薄膜相同的質(zhì)量和成分，包含低漏電、高崩潰電壓和很低的濕蝕刻率。

32奈米制程以下的晶體管尺寸變異量極為重要，并且會影響組件表現(xiàn)，新的高conformal spacer薄膜已經(jīng)被開發(fā)出來可以控制這些芯片上的臨界尺寸(critical dimensions)。當(dāng)整合方法和先進(jìn)制程控制技術(shù)可以將芯片之間、批貨之間的變異量降到最小，在芯片上的變異量就可以用spacer薄膜控制。然后更進(jìn)一步，這些用在spacer薄膜的介電層必須在夠低的溫度下沉積，以降低雜質(zhì)擴(kuò)散。

諾發(fā)已經(jīng)開發(fā)出CFD技術(shù)可沉積高質(zhì)量的conformal 薄膜，可應(yīng)用在前段制程并且符合32奈米以下質(zhì)量以及低溫的需求。電流-電壓圖顯示出CFD薄膜具有很高的崩潰電壓特性，更進(jìn)一步的分析指出薄膜質(zhì)量在側(cè)邊等同于大塊區(qū)域。和一些用原子層沉積制程的競爭者比較，結(jié)合諾發(fā)的CFD技術(shù)和VECTOR多平臺順序沉積方式(MSSD)可以提供優(yōu)異的芯片上和芯片之間的一致性，并且擁有顯著的高產(chǎn)率和很低的化學(xué)品用量。

因為Extreme UV (EUV) 曝光技術(shù)的延遲，半導(dǎo)體工業(yè)轉(zhuǎn)向以spacer技術(shù)為主的雙曝光技術(shù)用在3X奈米和2X奈米以下的邏輯組件。最成本節(jié)省的雙曝光技術(shù)利用光阻當(dāng)核心，再沉積百分之百階梯覆蓋的spacer薄膜。這種spacer薄膜必須使用溫度和化學(xué)方式沉積并且兼容于光阻材料。應(yīng)用在雙曝光技術(shù)的Spacer薄膜必須展現(xiàn)出極佳的conformality，并且沒有會造成線彎曲的loading 效應(yīng)，因此才能提供出色之芯片上曝光的均勻性。

諾發(fā)PECVD事業(yè)部資深副總Kevin Jennings說：「CFD技術(shù)提供了低溫沉積介電薄膜并具有和爐管相同質(zhì)量的突破。當(dāng)組件縮小到32奈米以下，許多應(yīng)用會需要CFD技術(shù)沉積的薄膜，可靠的、已經(jīng)被量產(chǎn)證實的VECTOR 平臺，有此能力可以確保極佳的芯片上和芯片間的制程穩(wěn)定性，并有極高之產(chǎn)率以及低的化學(xué)品成本。」