[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體設(shè)備商傳出,晶圓代工龍頭臺(tái)積電不懼景氣走勢(shì)轉(zhuǎn)緩,明年資本支出將逆勢(shì)加碼至60億美元(約新臺(tái)幣1,900億元),再創(chuàng)歷史新高,估計(jì)2009年至2011年,資本支出總和將高達(dá)145億美元(約新臺(tái)幣4,500億元)。
半導(dǎo)體設(shè)備商傳出,晶圓代工龍頭臺(tái)積電不懼景氣走勢(shì)轉(zhuǎn)緩,明年資本支出將逆勢(shì)加碼至60億美元(約新臺(tái)幣1,900億元),再創(chuàng)歷史新高,估計(jì)2009年至2011年,資本支出總和將高達(dá)145億美元(約新臺(tái)幣4,500億元)。
業(yè)界解讀,臺(tái)積電展現(xiàn)雄厚的現(xiàn)金實(shí)力,透過擴(kuò)產(chǎn)穩(wěn)固高階制程的40、28奈米市占率,藉此甩開全球晶圓(Globalfoundries)、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,希望像英特爾在微處理器(CPU)拿下八成高市占一般,在晶圓代工界取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
臺(tái)積電昨(22)日表示,目前正在評(píng)估明年資本支出規(guī)模,實(shí)際金額要等明年1月的法說才公布。臺(tái)積電去年資本支出27.6億美元,今年一口氣調(diào)高到59億美元,創(chuàng)下歷史新高。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前預(yù)估,明年全球半導(dǎo)體年成長(zhǎng)率將從今年的30%遽降為5%,從高度成長(zhǎng)轉(zhuǎn)向穩(wěn)定成長(zhǎng)。市場(chǎng)原本認(rèn)為,在半導(dǎo)體景氣趨緩下,先進(jìn)制程供需趨于平衡,臺(tái)積電投資手筆將在今年到達(dá)最高峰,明年回調(diào)。
設(shè)備商近期傳出,臺(tái)積電今年?duì)I收、獲利都將創(chuàng)下歷史新高,手上握有2,000多億元的現(xiàn)金,將再提升在市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位,明年資本支出逆勢(shì)加碼至60億美元,拉高同業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)門坎。
設(shè)備商表示,臺(tái)積電明年中科Fab15要裝機(jī),竹科Fab12第五期本季量產(chǎn)后,第六期也計(jì)劃明年動(dòng)土,加上太陽能薄膜廠與LED研發(fā)量產(chǎn)中心也有裝機(jī)需求,都是明年高資本支出的重點(diǎn)。
高盛證券分析師呂東風(fēng)認(rèn)為,晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)大戰(zhàn)開打,全球晶圓喊出2014年產(chǎn)能比今年增加三倍,臺(tái)積電2011至2015年每年須投入60億美元資本支出,比2010年的58億美元還高,才能在這次擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽中脫穎而出。
張忠謀 筑起雙高墻
臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀去年回任執(zhí)行長(zhǎng)后,已三度調(diào)高資本支出,今年資本支出更從48億美元提高到59億美元,手筆在全球半導(dǎo)體業(yè)僅次于三星,明年若真加碼到60億美元,無疑向同業(yè)宣示,未來十年誰也搶不走龍頭老大的地位。
晶圓代工業(yè)者不比整合組件大廠,可以控制自己產(chǎn)能,要擴(kuò)產(chǎn)多少就有多少。張忠謀曾說,晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)不單是先進(jìn)技術(shù),最重要的還有生產(chǎn)與伙伴關(guān)系。業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積資本支出不手軟,另外一層意義,也代表臺(tái)積電40、28奈米技術(shù)受到客戶肯定,對(duì)客戶訂單老神在在。
張忠謀日前表示:「臺(tái)積電明年不會(huì)供過于求」,期許臺(tái)積電2015年前,每年?duì)I收成長(zhǎng)一成。支撐這些信心與目標(biāo)最大的力量,是他對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)與產(chǎn)能「雙向并進(jìn)」的擘畫。張忠謀要透過產(chǎn)能規(guī)模經(jīng)濟(jì)筑出高墻,杜絕對(duì)手滲透。
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,臺(tái)積電目前正在規(guī)劃在日本擴(kuò)充產(chǎn)能,或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝,除了現(xiàn)在熊本縣的工廠之外,日本政府也歡迎臺(tái)積電在日本其他地方進(jìn)行進(jìn)一步規(guī)劃。雖然臺(tái)積電目前沒有做出明確的表態(tài),但是正在研究可行性。
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臺(tái)積電
日本
早前,就有消息稱臺(tái)積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝,預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升,而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。
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臺(tái)積電
三星
芯片
半導(dǎo)體
LCD 液晶屏是 Liquid Crystal Display 的簡(jiǎn)稱,LCD 的構(gòu)造是在兩片平行的玻璃當(dāng)中放置液態(tài)的晶體,兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線,透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向,將光線折射出來產(chǎn)...
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三星
Galaxy A14
LCD屏
10月3日,三星電子在美國(guó)加州硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇&SAFE論壇”。論壇上三星芯片代工部門表示,將于2025年開始生產(chǎn)2nm制程工藝芯片,然后在2027年開始生產(chǎn)1.4nm工藝芯片。據(jù)了解,此前臺(tái)積電也曾規(guī)劃在20...
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三星
1.4nm
芯片
提到臺(tái)積電,相信大家都不陌生,作為全球頂尖的晶圓代工機(jī)構(gòu)。僅臺(tái)積電、三星兩家晶圓代工廠的市場(chǎng)份額,就占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的70%左右。
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3nm
芯片
三星
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道,全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間由外界預(yù)計(jì)的9月底推遲到第四季度后,再一次將其延后一個(gè)季度,預(yù)計(jì)將于明年才能量產(chǎn)。
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臺(tái)積電
3nm
周四美股交易時(shí)段,受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。
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臺(tái)積電
半導(dǎo)體
芯片
iQOO Neo7 新品發(fā)布會(huì)將于 10 月 20 日 19:00 召開,官方已經(jīng)放出了新機(jī)的正面渲染圖,并給出了新機(jī)的更多配置信息。
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iQOO Neo7
三星
E5柔性直屏
在接下來的5G時(shí)代當(dāng)中,華為也將會(huì)憑借著自身的優(yōu)勢(shì),從而處于遙遙領(lǐng)先的地位,但其實(shí)厲害的又不僅僅是華為企業(yè),如今,作為國(guó)際巨頭的三星開始了在6G當(dāng)中的研發(fā),6G接下來的網(wǎng)速,將會(huì)是5G的50倍,對(duì)于三星的這一個(gè)大動(dòng)作,華...
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5G
6G
三星
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
根據(jù)5G設(shè)備市場(chǎng)的調(diào)研數(shù)據(jù)當(dāng)中來看,三星所拿下的5G設(shè)備市場(chǎng)份額就達(dá)到了10.4%,也就是說,排在了第四名的位置。
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6G
三星
華為
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,目前三星正在研發(fā)一種智能戒指,佩戴后可以監(jiān)測(cè)使用者的活動(dòng)健康數(shù)據(jù),因?yàn)檩p便續(xù)航高且可長(zhǎng)時(shí)間佩戴等優(yōu)點(diǎn),不少業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為其會(huì)取代智能手環(huán)和手表。
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智能手環(huán)
智能手表
三星
智能戒指
目前,各式芯片自去年第4季起開始緊缺,帶動(dòng)上游晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求,聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)等代工廠早有不同程度的漲價(jià),以聯(lián)電、力積電漲幅最大,再加上疫情影響,產(chǎn)品制造的各個(gè)環(huán)節(jié)都面臨著極為緊張的市場(chǎng)需求。推估今年全年漲幅...
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工廠
芯片
晶圓代工
三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境,三星超過了自身...
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GBPS
三星
內(nèi)存
LPDDR5
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為L(zhǎng)PDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
(全球TMT2022年10月18日訊)三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和...
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GBPS
三星
亞馬遜
內(nèi)存
人臉識(shí)別,是基于人的臉部特征信息進(jìn)行身份識(shí)別的一種生物識(shí)別技術(shù)。用攝像機(jī)或攝像頭采集含有人臉的圖像或視頻流,并自動(dòng)在圖像中檢測(cè)和跟蹤人臉,進(jìn)而對(duì)檢測(cè)到的人臉進(jìn)行臉部識(shí)別的一系列相關(guān)技術(shù),通常也叫做人像識(shí)別、面部識(shí)別。
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三星
雙屏
攝像頭專利
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺(tái)積電代工,但可惜的是,鑒于目前美國(guó)歐盟對(duì)俄羅斯的芯片制裁政策,大概率會(huì)導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。
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臺(tái)積電
16nm
俄羅斯
S1000
芯片
12 月 15 日消息,英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺(tái)積電,敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外,digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù),曝光了臺(tái)積電前 10 大客戶營(yíng)收貢獻(xiàn)占比。
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英特爾
臺(tái)積電
蘋果