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ATMI與Ovonyx合作取得CVD制程PCM技術(shù)突破

時間：2010-09-08 06:24:00

關(guān)鍵字： ATM PCM OV 內(nèi)存

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[導(dǎo)讀]ATMI和 Ovonyx 兩家公司日前宣布，雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)制程商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物(Germanium Antimony Telluride，GST)的相變化內(nèi)存(PCM)方面取得突破性進展。兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進步

ATMI和 Ovonyx 兩家公司日前宣布，雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)制程商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物(Germanium Antimony Telluride，GST)的相變化內(nèi)存(PCM)方面取得突破性進展。
兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進步，該采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)的、基于鍺銻碲化物的相變化內(nèi)存，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)制程微縮，而且是一種具有成本競爭力的內(nèi)存技術(shù)。由于具有獨特的性能，相變化內(nèi)存是內(nèi)存體系中的新生代產(chǎn)品，且是NOR型閃存的替代性產(chǎn)品；相變化內(nèi)存還能取代相當(dāng)大部分先進制程節(jié)點的DRAM。
此項研究在高長寬比的相變化內(nèi)存單元中實現(xiàn)了均勻沉積，與組件結(jié)構(gòu)可對比的、采用濺鍍沉積(sputter-deposited)技術(shù)之GST 225相比，顯示出了良好的電學(xué)特性。結(jié)果包括各種CVD合金的沉積，設(shè)定速度低于50奈秒(ns)，典型耐受時間為108~1010個周期，100°C以上的信息保存時間為10年。
「基于鍺銻碲化物的相變化內(nèi)存仍具備顯著的商業(yè)化潛力，是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性內(nèi)存技術(shù)。」ATMI執(zhí)行副總裁與微電子事業(yè)部總經(jīng)理Tod Higinbotham表示：「但在實現(xiàn)更快速微縮制程的過程中面臨的挑戰(zhàn)之一，便是缺乏能夠生產(chǎn)可進一步調(diào)低復(fù)位電流(reset current)的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低內(nèi)存的耗電量，延長電池壽命和提高資料帶寬，這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度可攜式的消費性電子設(shè)備來說都是很重要的功能。」
兩家公司計劃向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)授權(quán)這些技術(shù)，ATMI將提供相關(guān)的前驅(qū)體材料(precursor materials)和沈積技術(shù)，進一步推動和促進PCM高性能內(nèi)存的商業(yè)化，并將于2010年第四季展示12吋晶圓CVD GST技術(shù)。

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