GlobalFoundries 22/20nm工藝啟用極紫外光刻 AMD等不及
[導(dǎo)讀]在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)Semicon West 2010上，GlobalFoundries公布了該公司推動(dòng)極紫外(EUV)光刻技術(shù)投入量產(chǎn)的一些規(guī)劃細(xì)節(jié)。按照這份計(jì)劃書，GF將在 2014-2015年左右將極紫外光刻技術(shù)推向商用，屆時(shí)半導(dǎo)體制造工藝也會(huì)進(jìn)化
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)Semicon West 2010上，GlobalFoundries公布了該公司推動(dòng)極紫外(EUV)光刻技術(shù)投入量產(chǎn)的一些規(guī)劃細(xì)節(jié)。按照這份計(jì)劃書，GF將在 2014-2015年左右將極紫外光刻技術(shù)推向商用，屆時(shí)半導(dǎo)體制造工藝也會(huì)進(jìn)化到22nm和20nm。不幸的是，AMD并不會(huì)歡迎這種消息。
GF技術(shù)研發(fā)高級副總裁Gregg Bartlett在會(huì)上發(fā)表主題演講時(shí)稱：“我們的策略是跳過預(yù)產(chǎn)設(shè)備階段，直接購買量產(chǎn)級別設(shè)備，并安裝在位于紐約州的在建高級新工廠Fab 8。我們計(jì)劃于2012年下半年安裝這種(極紫外光刻)設(shè)備，然后立即開始研發(fā)工作，確保2014-2015年間開始批量生產(chǎn)。我們在研發(fā)上采取了合作策略，因此能夠做出這樣的行動(dòng)，從而加速為整個(gè)產(chǎn)業(yè)批量生產(chǎn)(極紫外光刻芯片)?！薄@然，這里所謂的合作來自IBM領(lǐng)導(dǎo)的晶圓廠俱樂部。
他解釋說：“我們可以把從沉浸式(光刻)中得到的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用于極紫外光刻。從我們的角度說，沉浸式光刻能夠到達(dá) 22/20nm工藝節(jié)點(diǎn)，但是會(huì)帶來嚴(yán)峻的成本挑戰(zhàn)，并增加復(fù)雜性。我們需要另外一種方案，而我們看來極紫外光刻是最有希望的?！?br>
“我們是EUV LLC(極紫外光刻有限責(zé)任公司)的初創(chuàng)成員之一，而且我們的研究人員也參與了極紫外光刻的幾個(gè)重要里程碑，包括首款全場極紫外測試芯片的生產(chǎn)。我們承諾將會(huì)繼續(xù)維持這種領(lǐng)先地位，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)走向極紫外光刻的量產(chǎn)?！?br>
GF Fab 8工廠計(jì)劃于2012年投入運(yùn)營，初期生產(chǎn)28nm工藝芯片，然后轉(zhuǎn)向22nm，但是時(shí)間上恐怕至少要等到2014年了。相比之下，Intel打算在 2011年下半年就進(jìn)軍22nm，量產(chǎn)最晚時(shí)間也不過2012年上半年。
不過Intel雖然也一直在深入研究極紫外光刻技術(shù)，但是短期內(nèi)并不打算真正使用它，這樣一來GF雖然進(jìn)度上會(huì)落后很多，但是一旦成功就能在技術(shù)大大領(lǐng)先，只是對AMD等代工客戶來說就麻煩大了——AMD 平均每兩年就需要新的處理器和顯卡芯片制造工藝，最晚2013年的時(shí)候應(yīng)該就要用到22/20nm，但現(xiàn)在看來2011-2014年間AMD只能依靠32 /28nm來維持了。
GF技術(shù)研發(fā)高級副總裁Gregg Bartlett在會(huì)上發(fā)表主題演講時(shí)稱：“我們的策略是跳過預(yù)產(chǎn)設(shè)備階段，直接購買量產(chǎn)級別設(shè)備，并安裝在位于紐約州的在建高級新工廠Fab 8。我們計(jì)劃于2012年下半年安裝這種(極紫外光刻)設(shè)備，然后立即開始研發(fā)工作，確保2014-2015年間開始批量生產(chǎn)。我們在研發(fā)上采取了合作策略，因此能夠做出這樣的行動(dòng)，從而加速為整個(gè)產(chǎn)業(yè)批量生產(chǎn)(極紫外光刻芯片)?！薄@然，這里所謂的合作來自IBM領(lǐng)導(dǎo)的晶圓廠俱樂部。
他解釋說：“我們可以把從沉浸式(光刻)中得到的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用于極紫外光刻。從我們的角度說，沉浸式光刻能夠到達(dá) 22/20nm工藝節(jié)點(diǎn)，但是會(huì)帶來嚴(yán)峻的成本挑戰(zhàn)，并增加復(fù)雜性。我們需要另外一種方案，而我們看來極紫外光刻是最有希望的?！?br>
“我們是EUV LLC(極紫外光刻有限責(zé)任公司)的初創(chuàng)成員之一，而且我們的研究人員也參與了極紫外光刻的幾個(gè)重要里程碑，包括首款全場極紫外測試芯片的生產(chǎn)。我們承諾將會(huì)繼續(xù)維持這種領(lǐng)先地位，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)走向極紫外光刻的量產(chǎn)?！?br>
GF Fab 8工廠計(jì)劃于2012年投入運(yùn)營，初期生產(chǎn)28nm工藝芯片，然后轉(zhuǎn)向22nm，但是時(shí)間上恐怕至少要等到2014年了。相比之下，Intel打算在 2011年下半年就進(jìn)軍22nm，量產(chǎn)最晚時(shí)間也不過2012年上半年。
不過Intel雖然也一直在深入研究極紫外光刻技術(shù)，但是短期內(nèi)并不打算真正使用它，這樣一來GF雖然進(jìn)度上會(huì)落后很多，但是一旦成功就能在技術(shù)大大領(lǐng)先，只是對AMD等代工客戶來說就麻煩大了——AMD 平均每兩年就需要新的處理器和顯卡芯片制造工藝，最晚2013年的時(shí)候應(yīng)該就要用到22/20nm，但現(xiàn)在看來2011-2014年間AMD只能依靠32 /28nm來維持了。
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