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聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

時(shí)間：2010-06-22 07:12:00

關(guān)鍵字：聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM

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[導(dǎo)讀]聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生產(chǎn)，2012年首顆整合芯片將正式量產(chǎn)。

三家公司選定以硅晶圓穿孔（TSV）技術(shù)為基礎(chǔ)，進(jìn)行TSV 3D芯片開發(fā)。優(yōu)先切入整合基頻、射頻、儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）及DRAM等整合性芯片，搶食追求輕薄短小的手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場。

昨天三家公司由聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉、爾必達(dá)社長坂本幸雄及力成董事長蔡篤恭共同簽署技術(shù)合作協(xié)議。

孫世偉強(qiáng)調(diào)，爾必達(dá)在聯(lián)電有多年的合作關(guān)系，去年首度以TSV技術(shù)，成功開發(fā)80億字節(jié)的DRAM，聯(lián)電也完成28奈米邏輯技術(shù)與邏輯設(shè)計(jì)接口，力成則在內(nèi)存堆棧有深厚的技術(shù)，透過三方在TSV的優(yōu)勢結(jié)合，將縮短提供TSV 3D芯片整體解決方案的時(shí)程，成為摩爾定律外的另一個(gè)選擇。

爾必達(dá)董事兼技術(shù)長安達(dá)隆郎表示，TVS技術(shù)最大的優(yōu)勢是可以在邏輯與DRAM組件間建立大量的I／O連結(jié)，可大幅增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俾什⑶覝p少功率消耗，使新型式的高效能組件能夠運(yùn)作，這項(xiàng)擇術(shù)必須有值得信賴的邏輯晶圓專工伙伴才能達(dá)成這個(gè)目標(biāo)。

聯(lián)電副總暨先進(jìn)技術(shù)開發(fā)處長簡山杰表示，針對(duì)TSV 3D芯片的前段制程研發(fā)，聯(lián)電將與爾必達(dá)在日本共同開發(fā)，未來生產(chǎn)，若是聯(lián)電的客戶，將入在聯(lián)電臺(tái)灣的晶圓廠以28奈米先進(jìn)制程生產(chǎn)，封裝將由力成負(fù)責(zé)。

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