[導讀]聯電（2303）、爾必達（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結合在三維（3D）IC的設計、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機存取內存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導入聯電的28奈米制程生
聯電（2303）、爾必達（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結合在三維（3D）IC的設計、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機存取內存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導入聯電的28奈米制程生產，2012年首顆整合芯片將正式量產。
三家公司選定以硅晶圓穿孔（TSV）技術為基礎，進行TSV 3D芯片開發(fā)。優(yōu)先切入整合基頻、射頻、儲存型閃存（NAND Flash）及DRAM等整合性芯片，搶食追求輕薄短小的手機及數字相機等消費性電子產品市場。
昨天三家公司由聯電執(zhí)行長孫世偉、爾必達社長坂本幸雄及力成董事長蔡篤恭共同簽署技術合作協(xié)議。
孫世偉強調，爾必達在聯電有多年的合作關系，去年首度以TSV技術，成功開發(fā)80億字節(jié)的DRAM，聯電也完成28奈米邏輯技術與邏輯設計接口，力成則在內存堆棧有深厚的技術，透過三方在TSV的優(yōu)勢結合，將縮短提供TSV 3D芯片整體解決方案的時程，成為摩爾定律外的另一個選擇。
爾必達董事兼技術長安達隆郎表示，TVS技術最大的優(yōu)勢是可以在邏輯與DRAM組件間建立大量的I／O連結，可大幅增加數據傳輸的速率并且減少功率消耗，使新型式的高效能組件能夠運作，這項擇術必須有值得信賴的邏輯晶圓專工伙伴才能達成這個目標。
聯電副總暨先進技術開發(fā)處長簡山杰表示，針對TSV 3D芯片的前段制程研發(fā)，聯電將與爾必達在日本共同開發(fā)，未來生產，若是聯電的客戶，將入在聯電臺灣的晶圓廠以28奈米先進制程生產，封裝將由力成負責。
三家公司選定以硅晶圓穿孔（TSV）技術為基礎，進行TSV 3D芯片開發(fā)。優(yōu)先切入整合基頻、射頻、儲存型閃存（NAND Flash）及DRAM等整合性芯片，搶食追求輕薄短小的手機及數字相機等消費性電子產品市場。
昨天三家公司由聯電執(zhí)行長孫世偉、爾必達社長坂本幸雄及力成董事長蔡篤恭共同簽署技術合作協(xié)議。
孫世偉強調，爾必達在聯電有多年的合作關系，去年首度以TSV技術，成功開發(fā)80億字節(jié)的DRAM，聯電也完成28奈米邏輯技術與邏輯設計接口，力成則在內存堆棧有深厚的技術，透過三方在TSV的優(yōu)勢結合，將縮短提供TSV 3D芯片整體解決方案的時程，成為摩爾定律外的另一個選擇。
爾必達董事兼技術長安達隆郎表示，TVS技術最大的優(yōu)勢是可以在邏輯與DRAM組件間建立大量的I／O連結，可大幅增加數據傳輸的速率并且減少功率消耗，使新型式的高效能組件能夠運作，這項擇術必須有值得信賴的邏輯晶圓專工伙伴才能達成這個目標。
聯電副總暨先進技術開發(fā)處長簡山杰表示，針對TSV 3D芯片的前段制程研發(fā)，聯電將與爾必達在日本共同開發(fā)，未來生產，若是聯電的客戶，將入在聯電臺灣的晶圓廠以28奈米先進制程生產，封裝將由力成負責。
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