DDR3內(nèi)存給行業(yè)注入正能量

2012年是近年內(nèi)存行業(yè)最為輝煌的一年，內(nèi)存顆粒制造工藝全面推薦到30nm，DDR3內(nèi)存提高頻率到1600MHz，同時(shí)8GB DDR3內(nèi)存進(jìn)入普及。不但廠家從里面獲利，廣大網(wǎng)友們也樂(lè)在其中，形成真正的雙贏。毫無(wú)疑問(wèn)，新技術(shù)下的DDR3內(nèi)存給整個(gè)行業(yè)注入了正能量。

硬盤行業(yè)：東芝大放異彩

2012年硬盤行業(yè)沒(méi)有推出新技術(shù)產(chǎn)品，2011年希捷率先推出單碟1TB技術(shù)至今引領(lǐng)整個(gè)硬盤行業(yè)，無(wú)論是西數(shù)還是HGST（原日立）注定只能當(dāng)追隨者。值得一提的是，東芝開始涉足3.5英寸家用硬盤生產(chǎn)，推出單碟1TB技術(shù)的1TB-3TB硬盤，它的整體性能接近希捷單碟1TB技術(shù)，價(jià)格較之西數(shù)和希捷具有優(yōu)勢(shì)。

SSD行業(yè)：三代SSD綻放

2012年上半年，OCZ Vertex4 SSD以高超的IOPS完秒其他任何一款二代SSD，從而拉開三代SSD的戰(zhàn)爭(zhēng)序幕。2012年5月，浦科特率先推出業(yè)界第一款三代SSD，隨后三星跟進(jìn)推出840PRO，緊接著OCZ推出自家第一款三代SSD。至此，三代SSD形成三足鼎立的局面，如同艷麗的花朵綻放。

移動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)：全面進(jìn)入單碟500技術(shù)

2012年影響最深的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品是什么？雷電接口？不是，這個(gè)高價(jià)高性能的設(shè)備暫時(shí)無(wú)法惠及大眾，注定束之高閣。優(yōu)盤全面進(jìn)入U(xiǎn)SB3.0？這個(gè)推廣N年的東西終于普及了。

有什么東西是我們感受最深、惠及面最廣？它就是移動(dòng)硬盤，它有比優(yōu)盤大得多的存儲(chǔ)空間，具備USB3.0接口，而且還能連接雷電接口，甚至插上無(wú)線Wifi搖身一變成高端貨。

而單碟500GB技術(shù)是推動(dòng)移動(dòng)硬盤普及的原動(dòng)力，它大幅提高移動(dòng)硬盤的存儲(chǔ)容量，壓縮移動(dòng)硬盤的厚度，提高至少20%的性能。這些功績(jī)足以讓它載入史冊(cè)。

硬盤行業(yè)在去年和今年的亮點(diǎn)，那就是單碟1TB技術(shù)的誕生和推廣普及。明年硬盤行業(yè)有什么看點(diǎn)呢？在SSD盛行的今天，硬盤如果簡(jiǎn)單靠提高容量，顯然不足以站穩(wěn)腳跟。

希捷第二代混合硬盤

明年的看點(diǎn)是混合存儲(chǔ)，有網(wǎng)友可能會(huì)問(wèn)到，不是已經(jīng)有了么？希捷的混合硬盤。沒(méi)錯(cuò)，希捷混合硬盤已經(jīng)發(fā)展到兩代，但它是2.5英寸版本，容量較小、速度不快。我們需要容量更大、速度更快的混合存儲(chǔ)產(chǎn)品。

SSD固態(tài)硬盤實(shí)際上是一塊面積較小PCB板上，進(jìn)行一定的電路設(shè)計(jì)，它的核心是主控、閃存、緩存。如果我們對(duì)比mSATA固態(tài)硬盤，就可以想象我們?cè)谂_(tái)式機(jī)硬盤的背面PCB板上，集成SSD固態(tài)硬盤可以說(shuō)是輕而易舉的事情。

混合硬盤是HDD和SSD的結(jié)合產(chǎn)品

我們?cè)诮衲晁芰私獾降?，西?shù)和東芝今年開始生產(chǎn)小尺寸混合硬盤，希捷明年將在明年第一季度發(fā)布新的混合存儲(chǔ)產(chǎn)品。這反映了傳統(tǒng)硬盤行業(yè)的創(chuàng)新，面對(duì)SSD的強(qiáng)大壓力，他們需要開發(fā)新產(chǎn)品與之抗衡。

那么希捷的新混合產(chǎn)品會(huì)是什么樣子呢？它可能是3.5英寸的混合硬盤，最小容量也比2.5英寸的混合硬盤要大，速度翻倍，也許SSD部分能達(dá)到16GB或者32GB。同時(shí)它的算法經(jīng)過(guò)改良或者重新設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升隨機(jī)讀寫能力，甚至能像緩存盤那樣起到提高硬盤速度的作用。

2011年首款DDR4從韓國(guó)三星誕生，隨后海力士迅速跟進(jìn)研制生產(chǎn)；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品，并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進(jìn)行測(cè)試，預(yù)計(jì)2013年開始量產(chǎn)。

但是能制造和量產(chǎn)DDR4，并不意味著它就能上市，因?yàn)闆](méi)有規(guī)范，你有你的標(biāo)準(zhǔn)，我有我的標(biāo)準(zhǔn)，必須有權(quán)威機(jī)構(gòu)制定一個(gè)統(tǒng)一的DDR4規(guī)范，讓內(nèi)存廠家按照規(guī)范進(jìn)行生產(chǎn)。

DDR4規(guī)范終于誕生：

于是DDR4規(guī)范誕生了，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)在2012年10月公布了下一代內(nèi)存規(guī)格DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范“JEDEC DDR4(JESD79-4)”。DDR4和目前的DDR3相比，它的頻率幾乎翻番，性能顯著提高，更低的電壓可有效降低功耗，但是內(nèi)存延遲進(jìn)一步延長(zhǎng)。

規(guī)范來(lái)了，DDR4進(jìn)入實(shí)用化還會(huì)遠(yuǎn)么？但是有內(nèi)存，沒(méi)主板，巧婦難為無(wú)米之炊。

DDR4的外觀和DDR3沒(méi)多大區(qū)別，主要是接口位置有差異

按照歷來(lái)內(nèi)存新品的發(fā)布規(guī)律，企業(yè)級(jí)和服務(wù)器市場(chǎng)將率先使用DDR4內(nèi)存。大家會(huì)看到單面9個(gè)顆粒的DDR4內(nèi)存，其中一顆用做ECC校驗(yàn)，顯然它們不能用于家用市場(chǎng)。即使DDR4到了家用市場(chǎng)，我們不妨回味一下當(dāng)年DDR3內(nèi)存最先上市的日子，DDR3內(nèi)存賣到天價(jià)。

隨著英特爾明天推出新的Haswell平臺(tái)，給DDR4內(nèi)存的率先應(yīng)用帶來(lái)期盼，轉(zhuǎn)向DDR4已經(jīng)成了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)興的唯一希望。

說(shuō)起三代SSD，我們耳熟能詳?shù)挠腥?40PRO、浦科特M5P、OCZVector，但是他們均為非壓縮算法主控，而恰恰是非壓縮算法主控的方案成本是偏高的。大家只要看看他們的價(jià)格就知道，我們不能指望這些高端產(chǎn)品普及SSD。

SandForce暫時(shí)還沒(méi)推出三代主控

說(shuō)起SandForce SF-2281主控，難免有網(wǎng)友對(duì)它吐槽。壓縮算法的主控實(shí)際上沒(méi)那么的性能不濟(jì)。只要用戶買對(duì)牌子，它們經(jīng)過(guò)固件的優(yōu)化算法，壓縮算法SSD的性能還是相當(dāng)不錯(cuò)的，至少壓縮算法主控的方案成本低、兼容性好。

細(xì)心的網(wǎng)友已經(jīng)看出問(wèn)題來(lái)了，三代SSD目前清一色非壓縮算法主控，沒(méi)壓縮算法主控，SSD還真就玩不轉(zhuǎn)?？纯次覀兛诖芯o巴巴的銀子，我們要的是便宜好用的SSD。[!--empirenews.page--]

SandForce SF3XXX主控芯片性能參數(shù)

停留在二代水平的壓縮算法主控在今年苦苦支撐，SandForce明年將推出最新一代SF3000系列主控，就連美光這樣的廠家也轉(zhuǎn)投SF系陣營(yíng)。那么SF3000系列主控有什么新的特點(diǎn)么？它的讀寫速度更快，IOPS值幾乎能有翻倍的效果。這些足以讓我們期待，就算網(wǎng)友們不買，它也能促進(jìn)SSD降價(jià)，幫助我們拉低非壓縮算法SSD的價(jià)格。

●移動(dòng)存儲(chǔ)：閃存卡容量/速度翻番

如果說(shuō)2012年是移動(dòng)硬盤輝煌的一年，那么2013年則可能是閃存卡爆發(fā)的一年。32GB優(yōu)盤/閃存卡將成為主流，我們不再滿足Class10的讀寫速度。閃存芯片的發(fā)展可謂十分迅猛、潛力巨大，擴(kuò)展到各個(gè)領(lǐng)域，在存儲(chǔ)行業(yè)占據(jù)重要位置。2012年閃存芯片的制造工藝步入10nm級(jí)別，預(yù)計(jì)2013年新品的良品率提高后，其成本更低，加速推動(dòng)閃存的普及。

東芝16GB 超高速SD卡

另一方面智能手機(jī)飛速發(fā)展，對(duì)TF的速度和容量提出了更高的要求，手指片大小的TF卡，讀寫速度高達(dá)90MB/秒，16GB已不能滿足容量需求，32GB TF卡也將成為主流。

在2013年，預(yù)測(cè)閃存卡將會(huì)成為發(fā)展最快的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品之一，顯然再用U1或者Clas10已經(jīng)無(wú)法去規(guī)范這些產(chǎn)品。目前讀取速度在260MB/秒、寫入速度在130MB/秒的閃存芯片已經(jīng)研發(fā)生產(chǎn)出來(lái)，明年進(jìn)入量產(chǎn)實(shí)用化階段，速度更快的閃存卡將在明年出現(xiàn)。

WifiSD卡

閃存卡中的SD卡將往Wifi化發(fā)展，廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)，它的容量不會(huì)很大，速度不算特別快，同時(shí)成本較高，因此它在2013年并不會(huì)普及。（責(zé)編：damon）