全球晶圓(GlobalFoundries)及三星電子決定針對28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程進(jìn)行合作，同時(shí)開放兩方共4座12寸晶圓廠，讓客戶自由選擇下單投片地點(diǎn)。
三星及全球晶圓希望能爭取到更多智能型手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)等核心芯片訂單，特別是爭取蘋果A6或高通Snapdragon等ARM架構(gòu)應(yīng)用處理器代工訂單，讓臺積電(2330)在擴(kuò)展28納米制程上，面臨強(qiáng)大競爭壓力。
事實(shí)上，包括三星、全球晶圓、IBM、意法半導(dǎo)體等4家半導(dǎo)體廠，去年中旬已宣布28納米HKMG制程合作計(jì)劃，并將旗下12寸廠制程進(jìn)行同步，確保客戶芯片設(shè)計(jì)能夠在3個(gè)國家的多座晶圓廠內(nèi)靈活生產(chǎn)，無需重新設(shè)計(jì)。
三星及全球晶圓此次推出的28納米高性能低漏電制程(28nmLPH)，主要鎖定行動裝置核心芯片市場，同樣也采取晶圓廠同步計(jì)劃，包括全球晶圓的德國德勒斯登(Dresden)Fab1、美國紐約Fab8，三星的韓國器興S1、美國德州S2等4座12寸廠等，讓客戶自由選擇投片地點(diǎn)，同時(shí)也能提高晶圓廠的整體利用率。
臺積電先前已宣布推出代號為28HPM的28納米新制程，主要是針對行動裝置核心芯片所設(shè)計(jì)，今年第4季就可導(dǎo)入量產(chǎn)。
28HPM制程采用的是臺積電第1代HKMG技術(shù)，可以讓芯片運(yùn)算時(shí)脈達(dá)到1.8GHz，核心電壓也僅有0.9伏特。
但值得注意之處，在于三星及全球晶圓采用的28納米是基于前閘極(gate-first)技術(shù)，與臺積電28納米HKMG制程采用的后閘極(gate-last)不同。對上游客戶來說，同一顆產(chǎn)品進(jìn)行2種不同技術(shù)的設(shè)計(jì)，成本太高，所以現(xiàn)在面臨的是要如何選擇出最佳的晶圓代工伙伴。
設(shè)備業(yè)者指出，臺積電、三星及全球晶圓等兩大陣營，28納米采用的閘極技術(shù)不同，上游客戶得在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，就決定要下單臺積電，或是下單三星或全球晶圓。也就是說，28納米的訂單流向，將會是贏者全拿的情況。以今年底為止的28納米ARM處理器新芯片設(shè)計(jì)定案(tape-out)情況來看，臺積電現(xiàn)在位居領(lǐng)先地位，這可能是迫使三星及全球晶圓攜手合作的原因之一。