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[導讀]半導體制造商GLOBALFOUNDRIES日前在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會,該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結和2011年的展望。 ● 重點提高晶圓加工能力 Grose首先對2010年進行了回


半導體制造商GLOBALFOUNDRIES日前在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會,該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結和2011年的展望。
● 重點提高晶圓加工能力
Grose首先對2010年進行了回顧,他表示:“半導體工藝技術日益微細化,材料和光刻技術以及封裝技術都需要不斷得改進,設計復雜性也在不斷增加。而IDM(整合元件制造商)企業(yè)依然傾向無生產線或輕生產線模式的發(fā)展方向。因此對我們這樣的晶圓加工企業(yè)的需求也是一直不斷增加的。”
GLOBALFOUNDRIES在2010年收購新加坡特許半導體制造公司(Chartered Semiconductor Manufacturing)之后,其員工數量總計超過11000名,業(yè)務開展橫跨三大州分布在12個地方。GLOBALFOUNDRIES擁有涵蓋IBM在內的150家無生產線或輕生產線模式的企業(yè)客戶,并一直專注于利用尖端技術向這些客戶提供批量生產時限短或附加增值的代工晶圓產品。
為實現進一步投資,GLOBALFOUNDRIES將擴大德國德累斯頓Fab1工廠的生產能力。除額外增加生產設備,還將新建9900平方米的潔凈車間。預計到2011年中期Fab1工廠晶圓加工能力將達到月產8萬個。
而美國紐約州Fab 8工廠正在興建中,計劃將在2013年開始投入量產。由于處于生產初期,Fab 8工廠將主要集中生產20/28nm工藝制品,其加工能力有望達到月產6萬張。
另外,GLOBALFOUNDRIES已在阿布扎比國際機場附近選好建廠地址,計劃新建一個技術集群區(qū),該區(qū)主要用于協作合作伙伴研究IP解決方案。GLOBALFOUNDRIES還將提供獎學金計劃進行人才培養(yǎng),以支持長期投資計劃。
● 集中精力于28nm工藝
為在技術方面有所提高,GLOBALFOUNDRIES將集中發(fā)展28nm工藝。相比40nm工藝 ,28nm 的Gate First(先柵極)可使集成密度增加兩倍,速度提升50%,轉換器和能源皆減少50%。此技術還將繼續(xù)結合HKMG(High-K絕緣層金屬柵極)。28nm工藝有望在2011年第二季度對外進行測試。
另一方面,GLOBALFOUNDRIES將于2011年期間大規(guī)模量產32nm工藝。AMD的Llano將采用GLOBALFOUNDRIES 32nm工藝制造,Llano是擁有四核x86 CPU、支持DirectX 11且集成了GPU的APU產品。此外,三星將首次采用High-K金屬柵極技術發(fā)布SoC產品。
最近,28nm工藝受到了越來越多的關注,移動產品市場的不斷擴大是其中的一個重要因素。Grose表示:“近幾年,3G網絡用戶急劇增長,網絡視頻的普及增加了對通信量的需求。要想在移動環(huán)境中實現網絡視頻功能,就必須保證高性能、低功耗且電池壽命長等特性,而28nm工藝可實現客戶期待的這些特性?!?br /> 而且GLOBALFOUNDRIES還將與Common Platform Alliance成員企業(yè)IBM、三星、意法半導體合作,在2011年期間實現28nm工藝制造工廠同步的目標。采用28nm工藝的客戶將可獲得大批量且靈活生產的益處。
此外,預計移動設備未來還將大幅增長,GLOBALFOUNDRIES為此加強了與ARM的戰(zhàn)略合作,推出了業(yè)界首顆28nm 工藝的Cortex-A9處理器。其功耗最多可減少30%,待機模式下的電池壽命可延長一倍,且多任務處理和圖形性能也得到了大幅度的提升。此外,基于Cortex-A9架構的SoC處理器也正處開發(fā)中,其雙核宏的主頻范圍為10MHz~2.5GHz。
● 2011年擴大投資 發(fā)展20nmEUV光刻技術
GLOBALFOUNDRIES 2011年的計劃投資金額將增至54億美元,相當于2010年的兩倍。其投資重點將放在200mm晶圓生產線,計劃致力于MEMS元件(壓力傳感器和加速度傳感器及回速器)的生產。投資還計劃用于前面所述的,擴大Fab 1工廠產能、擴建Fab 8以及實現阿布扎比技術集群區(qū)計劃。
在開發(fā)實用的28nm工藝同時,GLOBALFOUNDRIES還將著手22/20nm工藝的基礎研究。此外,28nm工藝采用了Gate First技術,而20nm工藝將采用Gate Last(后柵極)技術結合HKMG(High-K絕緣層金屬柵極)的方式。
在 MEMS方面,市場目前主要以150mm晶圓生產為主,通過采用200mm晶圓可滿足未來的大量需求。大型無晶圓廠MEMS企業(yè)對此也可能非常期待。
GLOBALFOUNDRIES還將研發(fā)先進的封裝技術,改善3D堆疊技術成本并提高其性能。
隨著半導體制造業(yè) 0 0 博客 小組 論壇 share.floatwin('GLOBALFOUNDRIES CEO:2011主攻28nm工藝');
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