0.18微米BCD工藝在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)是華虹NEC針對(duì)數(shù)字電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、音頻功放、LED驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)是華虹NEC針對(duì)數(shù)字電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、音頻功放、LED驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)和高端電源管理等新興應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的，具有高集成度、低功耗、低開(kāi)啟電阻、多樣工藝選項(xiàng)和可編程等優(yōu)點(diǎn)，極大地方便客戶(hù)選擇，為客戶(hù)提供更多的價(jià)值。
作為國(guó)內(nèi)首家提供0.35微米BCD和CDMOS量產(chǎn)工藝平臺(tái)的代工廠，華虹NEC積累了豐富的BCD工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)?；诹慨a(chǎn)五年以上的成熟的0.18微米邏輯CMOS工藝，結(jié)合自身積累的BCD技術(shù)，華虹NEC進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了具有國(guó)際先進(jìn)水平的0.18微米BCD量產(chǎn)平臺(tái)，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，由此成為國(guó)內(nèi)首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.18微米BCD量產(chǎn)工藝的代工廠之一。
該工藝平臺(tái)配備了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的1.8V/5V的數(shù)?；旌螩MOS技術(shù)，有助于減少設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證邏輯電路的時(shí)間，從而減少開(kāi)發(fā)周期。精心設(shè)計(jì)的高功率LDMOS具有世界先進(jìn)水平的低導(dǎo)通電阻和柵寄生電容，其最大工作電壓可達(dá)40V，主要面向模擬和高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠度，開(kāi)關(guān)速度更快，能量轉(zhuǎn)化效率更高，安全工作區(qū)更廣。
“BCD180提供了垂直的NPN，水平的PNP和襯底PNP三種雙極型器件，來(lái)簡(jiǎn)化客戶(hù)的設(shè)計(jì)并且更具有靈活性，獨(dú)特設(shè)計(jì)的LDMOS提高了客戶(hù)的競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)配備了一系列可選器件如高精度的電阻、高密度的電容及一次與多次可編程存儲(chǔ)器(OTP/MTP)等供客戶(hù)選用?！比A虹NEC副總裁兼首席技術(shù)官梅紹寧博士表示，“為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的電源管理芯片市場(chǎng)需求，華虹NEC成功開(kāi)發(fā)了0.18微米BCD技術(shù)平臺(tái)，以期為高端電源管理SOC芯片提供最佳代工解決方案。公司將繼續(xù)深耕模擬領(lǐng)域，不斷提高技術(shù)水平，致力成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者。”
作為國(guó)內(nèi)首家提供0.35微米BCD和CDMOS量產(chǎn)工藝平臺(tái)的代工廠，華虹NEC積累了豐富的BCD工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)?；诹慨a(chǎn)五年以上的成熟的0.18微米邏輯CMOS工藝，結(jié)合自身積累的BCD技術(shù)，華虹NEC進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了具有國(guó)際先進(jìn)水平的0.18微米BCD量產(chǎn)平臺(tái)，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，由此成為國(guó)內(nèi)首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.18微米BCD量產(chǎn)工藝的代工廠之一。
該工藝平臺(tái)配備了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的1.8V/5V的數(shù)?；旌螩MOS技術(shù)，有助于減少設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證邏輯電路的時(shí)間，從而減少開(kāi)發(fā)周期。精心設(shè)計(jì)的高功率LDMOS具有世界先進(jìn)水平的低導(dǎo)通電阻和柵寄生電容，其最大工作電壓可達(dá)40V，主要面向模擬和高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠度，開(kāi)關(guān)速度更快，能量轉(zhuǎn)化效率更高，安全工作區(qū)更廣。
“BCD180提供了垂直的NPN，水平的PNP和襯底PNP三種雙極型器件，來(lái)簡(jiǎn)化客戶(hù)的設(shè)計(jì)并且更具有靈活性，獨(dú)特設(shè)計(jì)的LDMOS提高了客戶(hù)的競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)配備了一系列可選器件如高精度的電阻、高密度的電容及一次與多次可編程存儲(chǔ)器(OTP/MTP)等供客戶(hù)選用?！比A虹NEC副總裁兼首席技術(shù)官梅紹寧博士表示，“為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的電源管理芯片市場(chǎng)需求，華虹NEC成功開(kāi)發(fā)了0.18微米BCD技術(shù)平臺(tái)，以期為高端電源管理SOC芯片提供最佳代工解決方案。公司將繼續(xù)深耕模擬領(lǐng)域，不斷提高技術(shù)水平，致力成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者。”
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