[導(dǎo)讀]英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計者設(shè)計出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場對時尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝：英飛凌和意法半導(dǎo)體將推出采用這種創(chuàng)新封裝的MOSFET，分別為ThinPAK8x8（英飛凌）和PowerFLAT? 8x8 HV（意法半導(dǎo)體），為客戶提供不同的優(yōu)質(zhì)選擇。
英飛凌高壓MOS產(chǎn)品線經(jīng)理Jan-WillemReynaerts指出：“今天我們與意法半導(dǎo)體合作推出的新型封裝，為高壓MOSFET的無管腳SMD封裝樹立了行業(yè)新標(biāo)桿。CoolMOS?等硅技術(shù)已發(fā)展到可高效快速開關(guān)的高級階段。在該階段，傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)過孔封裝逐漸成為限制能效和功率密度進(jìn)一步提升的因素?！?br /> ThinPAK8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感（D2PAK的寄生電感為6nH）、與D2PAK類似的散熱性能，而且其獨立的驅(qū)動源連接點可以保證干凈的柵極信號。因此，ThinPAK8x8封裝可使功率MOSFET實現(xiàn)更快速、高效的開關(guān)，更輕松地處理開關(guān)行為和電磁干擾。
初期，英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS?器件：199毫歐（IPL60R199CP）、299毫歐（IPL60R299CP）和385毫歐（IPL60R385CP）。
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