國際電子商情訊 英飛凌科技股份公司宣布,與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
通過廣泛的半導體技術專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議,飛兆半導體將向英飛凌支付許可費,但協(xié)議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經達成和解,并將申請撤訴。
作為半導體行業(yè)的全球領袖,英飛凌目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判。英飛凌認為,這些談判對持續(xù)保護其知識產權和商業(yè)利益至關重要。
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