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PCM才是閃存之后真正的下一代存儲器技術(shù)

時間：2009-09-16 09:33:34
關(guān)鍵字： PCM    存儲器    電流    應(yīng)用市場   
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[導(dǎo)讀]目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器（FeRAM）和新興的磁性存儲器（MRAM），那么MRAM會成為下一代存儲器嗎？有沒有可能未來市場上下一

目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器（FeRAM）和新興的磁性存儲器（MRAM），那么MRAM會成為下一代存儲器嗎？有沒有可能未來市場上下一代存儲器一統(tǒng)天下？

華中科技大學(xué)電子系教授繆向水在IIC-China 2009秋季展武漢站上說，下一代存儲器技術(shù)既不是MRAM，也不是FeRAM，而是目前還正處于研發(fā)階段的相變存儲器（PCM）。他預(yù)測，商業(yè)化PCM產(chǎn)品要到2012年前后才可能出來，目前大量應(yīng)用的閃存發(fā)展到32nm節(jié)點后就到頂了，之后就將逐漸被PCM所取代。

FeRAM盡管已上市很多年了，但其應(yīng)用市場一直很有限，打不開，這也從另一方面說明了該技術(shù)的局限性。MRAM雖然比較新（已上市2-3年），但應(yīng)用市場也有限，規(guī)模也上不去。盡管這兩種存儲器都有很多超越閃存的優(yōu)點，但其市場表現(xiàn)說明市場對這些新優(yōu)勢的需求不是那么迫切，閃存的低成本對市場更有吸引力。

MRAM的最大固有發(fā)展障礙是容量，由于位存儲是靠電流產(chǎn)生的磁性來實現(xiàn)的，因此要實現(xiàn)大容量需要供給很大的電流，在越來越強調(diào)低功耗的今天，這一需求顯然是和市場大趨勢相違背的，因此MRAM不會成為下一代存儲器。

繆向水表示，目前Numonyx、英特爾和三星都在積極開發(fā)PCM，他們誰也不敢掉以輕心，因為誰在這場競賽中輸了，誰就要丟失整整一代存儲器市場。

來源：國際電子商情

作者：tee

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