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[導讀]韓國三星電子宣布,已經(jīng)開始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面

韓國三星電子宣布,已經(jīng)開始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAMDRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面向服務(wù)器。

16GB的模塊以1066Mbit/秒的速度運行。可將兩個插口的CPU服務(wù)器系統(tǒng)的總內(nèi)存容量增至192GB。16GB的RDIMM的驅(qū)動電壓為1.35V,與以1.5V電壓工作的GDDR3相比,耗電量可降低約20%。另外,16GB的RDIMM采用由兩個芯片(Die)構(gòu)成的封裝,因此與采用由四個芯片構(gòu)成的封裝相比,降低了成本、提高了性能。

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