SanDisk聯(lián)手東芝開發(fā)3D存儲芯片 欲取代NAND技術
[導讀] 據(jù)一份提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件，為了擴大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計劃合作開發(fā)某些類型的可重寫3D存儲芯片。
由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻和交叉授權與這項3D合
據(jù)一份提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件，為了擴大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計劃合作開發(fā)某些類型的可重寫3D存儲芯片。
由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻和交叉授權與這項3D合作有關的技術，并將共同開展研發(fā)，作為提供知識產(chǎn)權授權的組成部分，SanDisk將接受東芝支付的一定金額的授權費?！?
多年以來，東芝和SanDisk一直在NAND閃存方面開展合作。雙方目前正在供應43納米NAND閃存，每單元3位(x3)技術正在開發(fā)之中。
市場調(diào)研公司Forward Insights的總裁Gregory Wong認為，這項3D技術面臨許多挑戰(zhàn)?！?級3D R/W內(nèi)存將必須至少在制程方面追上NAND閃存，才能被視為可與x4 NAND閃存競爭，”Wong表示，指的是基于NAND的每單元4位技術。
“這將使3D R/W內(nèi)存至少要等3-4年后才能問世，”Wong表示，“另一個問題是，8級堆疊是否能夠以較高的成品率生產(chǎn)出來。Matrix曾于2003年展示過一款8級堆疊，但采用的是不太先進的0.25μm制程。用領先制程生產(chǎn)8級內(nèi)存堆疊是另外一回事。”
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