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[導讀]即將到來的新一代芯片工藝將不僅使器件密度有極大增加,而且由工藝及器件變化帶來的挑戰(zhàn)比20年前所有工藝帶來的挑戰(zhàn)更為嚴峻,波特蘭州立大學電氣與計算機工程教授Robert Daasch如是說。在國際測試會議的一次講演中,

即將到來的新一代芯片工藝將不僅使器件密度有極大增加,而且由工藝及器件變化帶來的挑戰(zhàn)比20年前所有工藝帶來的挑戰(zhàn)更為嚴峻,波特蘭州立大學電氣與計算機工程教授Robert Daasch如是說。在國際測試會議的一次講演中,Daasch預言:“材料的重新組合,加之原子級粒度,將使下一代半導體更易受器件變化的影響。”

Daasch稱,挑戰(zhàn)之一就是器件變化對已設計的芯片的影響,挑戰(zhàn)之二則是要如何把變化考慮到芯片測試之中,然后管理相應的測試工藝。作為波特蘭州IC設計與測試實驗室的負責人,Daasch負責設計與測試之間相互依賴關系的研究與教學活動。

Daasch預測,材料的變化及日益增加的器件的可變性將導致更多的統(tǒng)計測試。由于特征(尺寸)依據(jù)單個原子而變化,制造工藝將在基本CMOS器件中產(chǎn)生更多的缺陷。Daasch說:“故障模式的數(shù)量與類型將會增加到這樣一個程度:我們看到的是不能輕易辨別物理原因的故障?!毙滦推骷蛟S會存在固有的不可靠性,除非設計時對工藝的可變性予以考慮并把測試整合到設計之中。

Daasch稱,業(yè)界正在形成不同的趨勢。硅缺陷水平將上升,而其結果導致的故障模型的增加會對測試成本造成壓力。與此同時,統(tǒng)計測試會導致測試數(shù)量及測試延續(xù)時間的減少。隨著缺陷的增加,測試將不得不解決對更快缺陷分類的需要。測試還必需反饋這些信息以使有關成品率和可靠性的補救努力成為可能。Daasch說:“系統(tǒng)性缺陷將減少可接受的窗口?!?

統(tǒng)計測試構架能扮演數(shù)據(jù)采集點的角色并幫助創(chuàng)建自適應測試格式。從長遠看,自適應測試將預示一個更富動態(tài)的測試,這一測試將導致每一塊裸片有不同的測試結果。

下一代的設計將必需同時解決材料與設計測試的問題。僅僅擴展現(xiàn)有的實踐無法預見統(tǒng)一的“材料—設計—測試”工藝能克服面臨的問題所帶來的挑戰(zhàn),Daasch說。

“設計進度表需要改變并縮短,以便測試開發(fā)及非關鍵路徑的調(diào)試,”他說,“否則,測試就會成為產(chǎn)品開發(fā)過程中最大的瓶頸。”

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