2005年，得益于蘋果iPod的熱銷，閃存芯片產業(yè)得到前所未有的火爆。蘋果甚至以12.5億美元的高價與五大閃存廠商簽訂了未來幾年的閃存芯片訂單。受此影響，業(yè)者紛紛調整產能，轉向閃存芯片的生產，也間接導致了DRAM內存芯片的供應量不足。

自2006年1月起，DDR2型DRAM內存價格正在逐步回升。戴爾、惠普等大廠商增加了對DDR2產品的采購量，從而導致產品供應不足。采購量的加大導致價格的回升，但分析預計這種狀況不會持續(xù)太久。2006年4月供應不足的局面將有所緩解，而且可能導致價格暴跌。

　NAND型閃存和DRAM內存之間價格浮動關系密切。目前，排名第一第二的分別是三星電子和現(xiàn)代半導體，均相同的生產線生產兩種內存。第1季度DRAM和NAND型閃存所出現(xiàn)的價格波動，就是因為廠商降低了2005年第4季度價格下滑的DRAM內存產品比例，而提高了NAND型閃存比例。

現(xiàn)代半導體盡管準備控制NAND型閃存比例的上升，但繼續(xù)堅持NAND型閃存，因為價格一降，需求就會增長。美光科技也從06年起也采取了平衡生產兩種內存的戰(zhàn)略，第1季度美光準備提高NAND型閃存比例。三星準備將部分生產線由NAND型閃存向DDR2型DRAM內存方面恢復。因而只有三星的產能向DRAM內存傾斜。其他臺灣和日本廠商也計劃增加DDR2的產量，因此，4月起DDR2內存產品供應不足的局面將消除。如果閃存需求沒有增長，價格持續(xù)下跌的話，現(xiàn)代和美光轉向DRAM內存，那么DRAM內存價格必將暴跌。