Chipidea USB IP獲特許半導(dǎo)體工藝技術(shù)認證
MIPS 科技公司模擬業(yè)務(wù)部 Chipidea 今天宣布其 USB 高速物理層（PHY）IP 已獲得特許半導(dǎo)體（Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd）65nm 和 90nm工藝技術(shù)認證。Chipidea 的 USB 2.0 OTG 物理層內(nèi)核符合 USB 2.0 標準并獲得了獨立認證權(quán)威 USB 實施者論壇（USB-IF）的認證，是業(yè)界 USB 高速物理層 IP 最豐富產(chǎn)品組合的一部分，經(jīng)過了硅驗證并獲得了特許半導(dǎo)體客戶就緒代工廠解決方案 0.18um、0.13um、90nm 及 65nm 認證。
Chipidea 的 USB IP 有助于加快用戶設(shè)計的 USB 和 USB OTG Supplement 進入便攜式計算設(shè)備的上市時間，如手持設(shè)備、移動電話、海量存儲設(shè)備及數(shù)碼相機。這些設(shè)備的市場正在迅速發(fā)展。市場研究機構(gòu) In-Stat 的報告顯示，2006 年全球 USB 設(shè)備的出貨量超過了 20 億臺，該機構(gòu)預(yù)測到 2011 年，年出貨量將增長 12.3%。
特許半導(dǎo)體平臺聯(lián)盟部高級總監(jiān) Walter Ng 表示：“我們正在與幾個客戶合作，這些客戶都把 Chipidea 的USB 解決方案集成到他們的高速互連產(chǎn)品，這反映了對 Chipidea IP 的市場需求和客戶信任度。Chipidea 在及時供貨及其 IP 解決方案一次通過投片成功方面有著驕人的紀錄。公司的 USB 高速物理層產(chǎn)品滿足了我們?yōu)樘卦S半導(dǎo)體客戶提供的標稱 65nm 和 90nm 低功耗公共平臺技術(shù)工藝嚴格的 IP 質(zhì)量基準?！?
Chipidea 物理解決方案部總監(jiān) Celio Albuquerque 表示：“USB-IF 在特許半導(dǎo)體的 65nm 和 90nm工藝的物理層認證建立在我們成為市場上第一個在今天各個最先進技術(shù)節(jié)點提供硅驗證 IP的基礎(chǔ)之上?？蛻艨梢岳梦覀兊?nbsp;USB IP 解決方案，包括物理層器件和控制器，以最低的成本和最快的集成時間推向市場?！?
Chipidea 的 CI12323cn（USB 2.0 OTG PHY）是作為 65 nm 標稱工藝的特許半導(dǎo)體公共平臺解決方案的一部分獲得硅驗證的。CI12343cm （USB 2.0 OTG PHY）也同樣獲得了 90nm低功耗工藝下的硅驗證。該內(nèi)核可以在多種工藝規(guī)格下使用。
Chipidea 的 USB IP 有助于加快用戶設(shè)計的 USB 和 USB OTG Supplement 進入便攜式計算設(shè)備的上市時間，如手持設(shè)備、移動電話、海量存儲設(shè)備及數(shù)碼相機。這些設(shè)備的市場正在迅速發(fā)展。市場研究機構(gòu) In-Stat 的報告顯示，2006 年全球 USB 設(shè)備的出貨量超過了 20 億臺，該機構(gòu)預(yù)測到 2011 年，年出貨量將增長 12.3%。
特許半導(dǎo)體平臺聯(lián)盟部高級總監(jiān) Walter Ng 表示：“我們正在與幾個客戶合作，這些客戶都把 Chipidea 的USB 解決方案集成到他們的高速互連產(chǎn)品，這反映了對 Chipidea IP 的市場需求和客戶信任度。Chipidea 在及時供貨及其 IP 解決方案一次通過投片成功方面有著驕人的紀錄。公司的 USB 高速物理層產(chǎn)品滿足了我們?yōu)樘卦S半導(dǎo)體客戶提供的標稱 65nm 和 90nm 低功耗公共平臺技術(shù)工藝嚴格的 IP 質(zhì)量基準?！?
Chipidea 物理解決方案部總監(jiān) Celio Albuquerque 表示：“USB-IF 在特許半導(dǎo)體的 65nm 和 90nm工藝的物理層認證建立在我們成為市場上第一個在今天各個最先進技術(shù)節(jié)點提供硅驗證 IP的基礎(chǔ)之上?？蛻艨梢岳梦覀兊?nbsp;USB IP 解決方案，包括物理層器件和控制器，以最低的成本和最快的集成時間推向市場?！?
Chipidea 的 CI12323cn（USB 2.0 OTG PHY）是作為 65 nm 標稱工藝的特許半導(dǎo)體公共平臺解決方案的一部分獲得硅驗證的。CI12343cm （USB 2.0 OTG PHY）也同樣獲得了 90nm低功耗工藝下的硅驗證。該內(nèi)核可以在多種工藝規(guī)格下使用。
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