除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20%。
這份文件是海力士新任社長權五哲(Kwon Oh-chul)上任后2個月后推出，投資額由3月所提及的2.3兆韓元，大幅拉高至9兆韓元。在最新的計畫中，海力士預估2010投資2.5兆韓元、 2011及2012年的投資額分別為3兆、3.5兆韓元。
在財務方面的目標，海力士希望在2012年的營收提升至12兆韓元、稅前息前折舊攤提前獲利(EBITDA)為5兆韓元，分別由2010年的目標成長1倍。當2007年全球半導體產業(yè)表現(xiàn)強健，海力士創(chuàng)下營收的最高紀錄，金額為8.6 兆韓元。
此外，海力士將提高財務穩(wěn)健程度，冀望2012年的負債比下降至20%以下，現(xiàn)金部位提高至4兆韓元；該公司目前的現(xiàn)金約有1.5 兆韓元。
除了財務層面外，該份文件也指出海力士的長期成長策略中，有意加強晶圓代工事業(yè)，與臺積電的競爭程度可能提升。
海力士目前仍在替28%的股權尋找買主，2001年時的債權人轉變成為股東，但是相當積極的希望能夠出脫其持股。
海力士在2010年第1季創(chuàng)下自2006年第4季以來最好的獲利紀錄，金額達8,172億韓元。海力士預期2010年來自DRAM的營收可望上看253億美元，2012年則提升至 304億美元。
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