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英特爾25nm閃存量產(chǎn) 演繹新固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代

時(shí)間：2010-05-21 14:02:58

關(guān)鍵字：英特爾固態(tài)硬盤(pán) 5NM 美光

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[導(dǎo)讀]據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾證實(shí)它與美光閃存公司合作開(kāi)發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，并開(kāi)始向消費(fèi)者供貨。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾證實(shí)它與美光閃存公司合作開(kāi)發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，并開(kāi)始向消費(fèi)者供貨。

IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二月份發(fā)布了官方聲明。英特爾和美光公司都期望25nm NAND閃存被用在新一代固態(tài)硬盤(pán)上。英特爾同時(shí)致力于開(kāi)發(fā)一款支持ONFI2.2的新NAND閃存控制器。

IMFT 8GB NAND芯片尺寸僅為一百六十七平方毫米，可容納2,000首歌曲，7000張照片或8小時(shí)的視頻。由于iPad和智能手機(jī)的出現(xiàn)，以后對(duì)于NAND閃存的要求會(huì)越來(lái)越高。固態(tài)硬盤(pán)，USB和高容量存儲(chǔ)卡的需求也會(huì)增長(zhǎng)。

更小的芯片尺寸使IMFT以最小的成本增加閃存芯片的容量。在去年七月發(fā)布34nm 產(chǎn)品時(shí)，英特爾將它的固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格降低了60%。

今年整個(gè)閃存芯片產(chǎn)業(yè)會(huì)有很大的發(fā)展。Hynix準(zhǔn)備在七月量產(chǎn)26nm NAND，Toshiba和SanDisk準(zhǔn)備24nm產(chǎn)品。美光公司稱(chēng)以上產(chǎn)品都屬于20nm級(jí)的技術(shù)。

這種技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是密度和封裝尺寸。美光的25nm NAND封裝達(dá)到12毫米，符合業(yè)界20毫米的薄型小尺寸封裝標(biāo)準(zhǔn)。

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