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英特爾在硅光電子學取得重大技術突破

時間：2008-12-09 09:22:34

關鍵字：光電子英特爾雪崩光電探測器傳感

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[導讀]12月8日消息，英特爾公司8日對外宣布，其在硅光電子學領域取得了又一項重大的技術突破，這項突破可以基于硅的雪崩光電探測器(Silicon-based Avalanche Photodetector)實現(xiàn)了創(chuàng)世界紀錄的高性能，與目前市場上的同類器

12月8日消息，英特爾公司8日對外宣布，其在硅光電子學領域取得了又一項重大的技術突破，這項突破可以基于硅的雪崩光電探測器(Silicon-based Avalanche Photodetector)實現(xiàn)了創(chuàng)世界紀錄的高性能，與目前市場上的同類器件相比可大幅度降低成本并提高性能。

英特爾稱，此次在硅光電子學上取得的重大技術突破是繼英特爾實現(xiàn)快速硅調制器和混合硅激光器等技術后的又一項重大進展。這項技術可在寬帶、萬億次計算、傳感與安全領域有潛在的應用。

英特爾企業(yè)技術事業(yè)部電子技術研究室高級研究員亢宜敏博士向新浪科技介紹，特爾研究人員領導的團隊成功研制出的硅基雪崩光電探測器，通過探測微弱光信號并將其放大而擁有卓越的靈敏度。這款雪崩光電探測器使用硅和CMOS工藝實現(xiàn)了有史以來最高的340 GHz“增益-帶寬積”。這為降低40Gpbs或更高數(shù)據(jù)傳輸速度的光學鏈路的成本開啟了大門，同時也第一次證明了硅光電子元器件的性能可以超過現(xiàn)有的使用磷化銦(InP)等更昂貴傳統(tǒng)材料制造的光電子元器件的性能。

中國科學院半導體研究所研究員成步文解釋說，英特爾研究人員實現(xiàn)的增益帶寬積達到的340GHz打破了記錄，具有明顯的成本優(yōu)勢，這再次證明了Si基材料可以用于制備性能優(yōu)越、價格低廉的光電子器件，并顯示出Si基光子學所蘊涵的巨大應用潛力和廣闊的發(fā)展空間。

英特爾院士、光電子學技術實驗室總監(jiān)Mario Paniccia博士在一份聲明中表示：“這項研究成果再次展示了硅可以用于制造超高性能的光電產(chǎn)品。除了光學通信，這些硅基雪崩光電探測器還可以應用于傳感、成像、量子密碼學或生物學等領域。”

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