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[導(dǎo)讀]東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布,其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)

東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布,其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)CMOS工藝。東芝表示,他們通過對(duì)晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善,實(shí)現(xiàn)了這次突破。

在傳統(tǒng)工藝中,由于電子活動(dòng)性降低,通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級(jí)制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料,解決了這一問題,成功實(shí)現(xiàn)了20nm級(jí)的體硅CMOS。這三層材料中,最頂層為外延硅,中間硅層摻雜碳,底層則摻雜硼(nMOS)或砷(pMOS)。

東芝宣稱,這種新工藝在性能上比傳統(tǒng)溝道結(jié)構(gòu)提升了15%到18%,并且通過簡(jiǎn)單的工藝改進(jìn)即可實(shí)現(xiàn),不需要使用成本更高的SOI工藝或3D柵極結(jié)構(gòu)。

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在過去的幾個(gè)月里,東芝一直想推行戰(zhàn)略重組計(jì)劃,不過再次遇到挫折,近日遭到了過半數(shù)股東反對(duì)而被否決。鑒于東芝未來(lái)經(jīng)營(yíng)改革方針走向不明,外資大股東傾向于讓東芝私有化退市。

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