按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預(yù)計在未來的十年內(nèi)中國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場將增加一倍。

由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺了鼓勵政策，促進在未來十年中設(shè)備及材料的采購會大幅增加。

除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設(shè)備的大量進口也大大促進了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。

自1997年中國半導(dǎo)體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內(nèi)產(chǎn)出僅56億美元，相當(dāng)于國內(nèi)需求的8%。

到2011年中國的IC市場有望增加到850億美元，相應(yīng)的IC產(chǎn)出為82億美元,近10%(取自iSuppli，ICInsight及CSIA數(shù)據(jù))。到2013年時中國IC市場將增大到占全球IC市場的35%。

在過去由于計算機、手機及汽車電子等存在供需之間的不平衡促進了中國在半導(dǎo)體方面的投資增加，因而產(chǎn)能日益擴大。

然而有些觀察家已經(jīng)看到在奧運會之后中國經(jīng)濟可能轉(zhuǎn)緩，或者是對于全球經(jīng)濟的影響程度越來越顯著。在全球經(jīng)濟仍在恢復(fù)之中，中國經(jīng)濟以超高速的增長，國際貨幣基金會IMF預(yù)計中國的GDP在2009年達8.5%及在2010年將有9%的增長。

在2008年11月中國政府推出4萬億經(jīng)濟刺激計劃(5860億美元)，這批資金的使用將延續(xù)到2010年。除此之外在宏觀經(jīng)濟中，中國政府也仍是中國半導(dǎo)體業(yè)的最大投資者。

在過去5年中，中國政府在新建芯片生產(chǎn)線中至少已經(jīng)資助了70億美元。在未來的5年中地方政府可能繼續(xù)成為中國IC生產(chǎn)線建設(shè)的主要投資主體。展望未來，到2020年中國政府可能投資300億美元在半導(dǎo)體方面(包括半導(dǎo)體設(shè)備與材料)，包括軟件及高端制造設(shè)備中。

在2009年中國政府己投資總計達26億美元在VLSI設(shè)備和材料的研發(fā)中，其中有54個項目,包括工藝技術(shù)、設(shè)備、材料、備件和其它半導(dǎo)體制造研究。

涉及的項目中有90納米量產(chǎn)，65納米引導(dǎo)線及45納米工藝技術(shù)研發(fā)，內(nèi)容涵蓋前道及后道制造,，計劃直到2012年。從2008到2020年中國的國家級研究發(fā)展規(guī)劃將繼續(xù)集中在核心技術(shù)研究與開發(fā)，包括軟件和高端芯片的研制。

中國為了縮小鴻溝而付出的努力將促進中國的設(shè)備和材料市場大幅增加，對于全球供應(yīng)商都是十分重要的。

按SEMI的全球生產(chǎn)線預(yù)測報告(World Fab Forecast)，在2010年中國在前道生產(chǎn)線的投資，超過20個廠(廠房與設(shè)備)將增長67%，總計達20億美元。顯然這是包括新、二手及一切自制設(shè)備的采購總量。

到2010年中國半導(dǎo)體的安裝產(chǎn)能將增加到每月超過150萬片，相當(dāng)于全球硅片總產(chǎn)能的10%(依8英寸等值計)。

在材料方面，在2010年中國的消費預(yù)計達37.5億美元，比09年上升15%，超過歐洲，接近美國的支出(釆自SEMI的Consensue預(yù)測)。