三星計劃于今年晚些時候推出相變內(nèi)存卡(PCM),旨在取代當前手機等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術。
相變內(nèi)存由相變材料制成,通過加熱材料形式來存儲數(shù)據(jù)。與閃存存儲相比,相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時更加省電,預計可延長電池續(xù)航時間20%。
在速度方面,相變內(nèi)存的優(yōu)勢更加明顯,其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示,相變內(nèi)存模塊預計于今年晚些時候下線,最初的容量為512MB。三星預計,對于多種電子產(chǎn)品,相變內(nèi)存最終取代當前的閃存技術。
值得一提的是,相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時所需溫度在150至600攝氏度之間,盡管該溫度對于電子產(chǎn)品而言是安全的,但對于經(jīng)常把手機揣著兜里的用戶而言可能會有些顧慮。
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