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[導讀]市場調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導體設(shè)備市場預測,2010年增長一倍以上,達122%,但是2011年及2012年分別僅增長10%及7.4%,速度明顯的放慢。然而,有的公司看法更為悲觀,如巴克萊的CJ Muse, 它對2011年的設(shè)備看法,

市場調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導體設(shè)備市場預測,2010年增長一倍以上,達122%,但是2011年及2012年分別僅增長10%及7.4%,速度明顯的放慢。

然而,有的公司看法更為悲觀,如巴克萊的CJ Muse, 它對2011年的設(shè)備看法, 由原先增長20%,下調(diào)至下降10%, 反差之大讓人驚慌。并預計2011年全球半導體設(shè)備將再次下滑至250億美元。它的理由是由于全球經(jīng)濟不確定的前景, 整個技術(shù)供應鏈的市場需求不足,尤其是存儲器與代工市場的變?nèi)?。Muse認為,未來的態(tài)勢與之前工業(yè)曾經(jīng)歷過的態(tài)勢非常相似, 如2004-2006的周期, 在2004年增長60%之后, 緊接著2005年持平及2006年又一個19%的增長。

利用簡單的計算,Muse計算出 對于前道制造設(shè)備(WFE)Q3 2010的訂單為260-340億美元,意味著2011年WFE的訂單很快達到峰頂,從Q4 2010開始, 尤其是Q1 2011將繼續(xù)下降。

Muse著重提出有一件事, 由SICAS報告的數(shù)據(jù), 從此次市場需求的小循環(huán)看,2010年上半年的產(chǎn)能僅很小量的增加,0,3%,而2009年的產(chǎn)能下降達11%,反映目前的產(chǎn)能遠未回復到09年之前的水平。另外,SICAS還提出, 先進制程(<60nm) 的產(chǎn)能僅增加近500kwspm(每月50萬片), 所以沒有富余的產(chǎn)能, 尤其是尺寸縮小變得越來越困難(即浸入式光刻設(shè)備交貨延遲), 這表示此次投資的增大將延續(xù)到2012年。Muse認為推動此波關(guān)鍵增長是NAND, 而DRAM的市場需求隨著價格下降, 及智能手機和iPad的需求增長會出現(xiàn)起伏, 但是能推動代工業(yè)務(wù)增長。

總體上,Muse對于2011年看到4個趨勢;

代工的設(shè)備訂單上升, 這是源自全球代工再次燃起競爭, 如GlobalFoundries及Samsung欲與臺積電爭高低。

NAND市場需求上升, 有3-4個大型NAND閃存項目上馬, 將推動投資升高。

韓國投資上升, 韓國半導體繼續(xù)盈利, 所以它們繼續(xù)投資DRAM, 更多的在技術(shù)升級,而不是產(chǎn)能增加。

臺灣地區(qū)有足夠多的資金。在Formosa Plastics的邦助下,南亞/Inotera繼續(xù)投資。

2011年投資下降的若干方面;

邏輯電路, 2011與2010年相比下降5%。原因是一方面在英特爾領(lǐng)導下的反周期投資及22nm推動上升, 但是其它邏輯電路廠可能持平或下降。

其中英特爾的光刻設(shè)備是關(guān)鍵, 因為英特爾會從過去依Nikon訂單為主轉(zhuǎn)變?yōu)锳SML為主。另外方面看iPad能削弱多少Netbook(上網(wǎng)本)的訂單, 由此影響到英特爾的業(yè)績。(iPad使用三星代工的處理器)

代工,2011與2010年相比下降20%。

全球頂級代工的產(chǎn)能利用率將在Q42010至Q12011看到季節(jié)性減弱。Muse認為,臺積電在fabless, 如Nvidia等減少訂單的影響下, 所以其2011年投資下降30%。臺積電CEO Morris張可能轉(zhuǎn)變投資策略, 這可能是受宏觀經(jīng)濟大環(huán)境的影響。對于聯(lián)電因受Xilinx的訂單轉(zhuǎn)向三星及臺積電的影響而下降投資。在另一方面,三星LSI將繼續(xù)增加投資, 及GlobalFoundries的投資可能小幅下降。

DRAM 2011與2010年相比下降15%。

因為DRAM的價格持續(xù)波動, 預計直到Q1 2011仍是季節(jié)性的弱勢。尤其是頂級供應商如Samsung,Hynix及Micron都希望軟著陸。隨著它們加快采用4x技術(shù), 其中1-2家的DDR3成本可能首先突破1美元/Gb。Micron將減少DRAM投資(Nanya/Inotera的產(chǎn)能利用率不高), 但是Elpida/Rexchip/Powerchip的投資仍保持在2010年水平。在二線DRAM競爭者的積極投資推動下三星將繼續(xù)跟進投資。


NAND閃存2011與2010年相比投資增長19%。

下表可看到2011年各家的投資。NAND的價格起伏,Apple的產(chǎn)品需要更多的memory及三星正積極興建Line 16,WFE的投資達25億美元,Toshiba/Sandisk的WFE達20億美元及IM Flash的WFE達15億美元。

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