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安智電子材料與IBM共同開發(fā)新世代微影技術

時間：2010-12-29 09:22:34

關鍵字： IBM 電子 AD LM

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[導讀]在半導體和平面顯示器產(chǎn)業(yè)居領導地位的主要電子化學品供應商安智(AZ)電子材料(倫敦股票交易所：AZEM)與IBM簽署了一項協(xié)議(紐約證券交易所：IBM)開發(fā)新世代的微影技術。安智將與IBM-Almaden研究中心的材料研發(fā)團隊共同

在半導體和平面顯示器產(chǎn)業(yè)居領導地位的主要電子化學品供應商安智(AZ)電子材料(倫敦股票交易所：AZEM)與IBM簽署了一項協(xié)議(紐約證券交易所：IBM)開發(fā)新世代的微影技術。安智將與IBM-Almaden研究中心的材料研發(fā)團隊共同開發(fā)一種以塊狀聚合物為基礎的材料，可以應用在與傳統(tǒng)的微影及半導體制程設備相容的定向自組裝(Directed Self-Assembly, DSA)制程。

市場預估應用奈米技術的產(chǎn)品到2015年將達到2.41兆美元的規(guī)模，因此降低半導體制造成本，改善元件性能是必要的。這項致力于基礎科學研究及解決方案的合作，將廣泛影響工業(yè)的發(fā)展應用，包括從醫(yī)療到消費性電子裝置的手機和電腦等的應用。例如，根據(jù)2009年國際半導體技術藍圖(www.itrs.net)，DSA技術已經(jīng)被視為可以滿足16奈米及11奈米半間距(half-pitch)設計要求的潛在制程。

與IBM-Almaden研發(fā)團隊的合作，提供AZ很好的機會,運用既有領先的底層技術、材料設計和放大能力，發(fā)展替代的定義圖案(patterning)解決方案，安智的執(zhí)行長Geoff Wild表示：「IBM在這個領域的先驅(qū)地位，為AZ-IBM這項未來應用于半導體制造技術的DSA制程的成功，奠定了深厚的技術基礎?！?。

“當半導體產(chǎn)業(yè)朝向，克服縮小設計節(jié)點的既有挑戰(zhàn)，導致了設計、制程開發(fā)和光罩成本的上升”，IBM研發(fā)的副總裁TC 陳說：“與安智的合作將使我們能夠發(fā)展新的突破性及創(chuàng)新性的微影技術，使得整體半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展持續(xù)前進，同時兼顧降低生產(chǎn)設備及制程的總成本”。

“從長遠來說，我預期電子產(chǎn)業(yè)將持續(xù)專注于改善操作成本。其中一個方式是藉由導入由下而上的制程，使用〝智慧型化學品〞來擴展和增強用于定義圖案的半導體設備功能”，安智的技術長Ralph Dammel表示：“DSA技術正是朝此方向邁進，我期待我們將會看到這項技術的實際應用遠多于我們現(xiàn)在所討論的，這也正是安智企盼建構(gòu)在IBM多年DSA的經(jīng)驗基礎上，使我們能成為這項材料的首要供應商”。

這個長達多年的合作計劃，將會在安智電子材料位于美國、德國、韓國的研發(fā)單位以及IBM在美國的Almaden研發(fā)中心共同進行。