當前位置：首頁 > EDA > 電子設(shè)計自動化

半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測

時間：2011-01-05 08:35:26

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體業(yè) DRAM 爾必達海力士

手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導(dǎo)讀]2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，

2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，使DRAM價格走向跌勢，并于2010年12月下半跌破1美元，僅達0.97美元。

DRAM價格自2010年6月開始出現(xiàn)跌幅，其價格跌勢預(yù)估將持續(xù)至2011年第1季，第2季則可望由谷底回升。據(jù)記憶體市場研究機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，主要DRAM價格2011年上半仍將維持在1美元以下。因此2011年上半海內(nèi)外DRAM制造商仍無法避免營收不佳的情況。

然而據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等南韓DRAM制造商，將以領(lǐng)先的制程技術(shù)繼續(xù)強化市場支配能力。

南韓NH投資證券公司研究員表示，DRAM價格下跌雖然對三星和海力士短期的營收造成影響，但就中長期來說，與其他競爭企業(yè)相比，韓廠擁有較先進的制程技術(shù)，在價格競爭力上也較占優(yōu)勢。

50納米制程生產(chǎn)的DRAM至少需以1.2美元金額進行交易才能產(chǎn)生利潤，然40納米制程產(chǎn)品交易價維持0.8~0.9美元便有利潤產(chǎn)生。三星和海力士 40納米制程DRAM生?ㄓ餼囿?0%，營收雖受影響，但不至于出現(xiàn)赤字。而爾必達(Elpida)、美光(Micron)、南亞等競爭廠目前仍以50納米制程為主。

主要DRAM價格2011年上半仍將維持1美元以下價格，許多DRAM制造商上半年將面臨赤字危機。然而南韓證券公司預(yù)估，三星和海力士2011年第1季仍各可創(chuàng)下1兆韓元(約8.92億美元)和1,000億韓元(約8,920萬美元=瑰蝺~利益，形成對比。

尤其DRAM價格下跌，財務(wù)結(jié)構(gòu)受影響的爾必達、美光及南亞等企業(yè)將可能正式以購并(M&A)的方式維持正常運作。爾必達2010年12月積極推動與臺3間DRAM制造商進行合并。

爾必達計劃與力晶、茂德、瑞晶等廠進行統(tǒng)合，以挽回受到DRAM激烈競爭及價格下跌對營收所產(chǎn)生的影響。美光2011年也可能與臺廠進行購并或策略合作。

南韓業(yè)者表示，DRAM制造商爾必達、美光、南亞等將會正式進行合縱連橫，而就中長期來說，三星和海力士等業(yè)者將能獲得最終生存權(quán)。

另一方面，受到東芝(Tochiba)停電效應(yīng)以及智慧型手機(Smartphone)和平板電腦(TabletPC)需求增加等影響，2011年快閃記憶體(NANDFlash)業(yè)者也將持續(xù)受惠。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系本站刪除。

換一批

三星LPDDR5X DRAM運行速度可達8.5 Gbps

（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過...

關(guān)鍵字： DRAM GBPS 三星 LPDDR5

[TrendForce集邦]

研報丨消費性需求不見起色，供應(yīng)鏈庫存仍高，第四季DRAM價格跌幅擴大至13~18%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購，導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供應(yīng)...

關(guān)鍵字：消費性 DRAM 智能手機

[產(chǎn)業(yè)新聞]

8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高

- 在驍龍（Snapdragon）移動平臺上，三星以8.5Gbps的運行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗證，為LPDDR（移動端）內(nèi)存打開了新市場。深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

關(guān)鍵字： DRAM GBPS 三星 LPDDR5

[通信先鋒]

存儲是主發(fā)力領(lǐng)域，三星公布未來3大規(guī)劃方向

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。

關(guān)鍵字：存儲三星 NAND DRAM

[快科技]

未來3年存儲很慘：SSD雪崩腰斬只是開始 1TB不到300甚至更低？

據(jù)韓媒報道，在日前舉辦的行業(yè)活動上，IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計，存儲半導(dǎo)體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計來年三季度DRAM和NAN...

關(guān)鍵字： SSD DRAM IDC INSIGHT

[工業(yè)控制技術(shù)文庫]

供過于求，存儲芯片價格持續(xù)走低

與其他類型的半導(dǎo)體相比，存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲芯片更加商品化，對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。

關(guān)鍵字：存儲芯片半導(dǎo)體 DRAM

[快訊]

韓國半導(dǎo)體業(yè)籠罩危機感

一種“危機感”籠罩著韓國半導(dǎo)體行業(yè)。全球芯片戰(zhàn)愈演愈烈，這個東亞國家正準備迎接來自美國和中國的更強大挑戰(zhàn)。韓國官員和行業(yè)高管越來越擔(dān)憂，隨著國內(nèi)芯片制造商在補貼和稅收優(yōu)惠的吸引下，爭相在美國興建半導(dǎo)體工廠，韓國在該領(lǐng)域的...

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體業(yè) 存儲芯片芯片制造商芯片領(lǐng)域

[TrendForce集邦咨詢]