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[導(dǎo)讀]在最近舉行的臺積電2011技術(shù)討論會上,臺積電正式公布了業(yè)內(nèi)首款號稱專門為智能手機(jī)/平板電腦應(yīng)用優(yōu)化的芯片制程工藝,這款新制程工藝將成為臺積電28nm制程工藝的新成員,其代號則為28HPM(高性能移動設(shè)備用制程),

在最近舉行的臺積電2011技術(shù)討論會上,臺積電正式公布了業(yè)內(nèi)首款號稱專門為智能手機(jī)/平板電腦應(yīng)用優(yōu)化的芯片制程工藝,這款新制程工藝將成為臺積電28nm制程工藝的新成員,其代號則為28HPM(高性能移動設(shè)備用制程),據(jù)臺積電研發(fā)部門的高級副總裁蔣尚義表示,該制程專為智能手機(jī),平板電腦相關(guān) 的產(chǎn)品優(yōu)化。

另有報(bào)道指28HPM制程推出的一個主要目標(biāo)是蘋果公司的產(chǎn)品,此前一直有傳言稱臺積電將為蘋果代工A5處理器的未來型號產(chǎn)品.

當(dāng)然,臺積電可能也考慮了其它在智能手機(jī)/平板電腦應(yīng)用領(lǐng)域的合作伙伴,如Nvidia,高通等。當(dāng)記者詢問蔣尚義該制程是否專為某家客戶量身定做時,蔣僅回答稱該制程是為基于ARM處理器架構(gòu)的處理器產(chǎn)品而推出的。

算上28HPM之后,目前為止臺積電在28nm節(jié)點(diǎn)一共有四種不同的制程,分別是:

1-代號為CLN28LP(簡稱28LP)的制程,該制程仍采用傳統(tǒng)的SiON柵絕緣層技術(shù);

2-代號為CLN28HPL((簡稱28HPL)的制程,該制程采用臺積電第一代HKMG技術(shù),為低功耗制程;

3-代號為CLN28HP(簡稱28HP)的制程,該制程同樣采用臺積電第一代HKMG技術(shù),為高性能制程;

4-代號為CLN28HPM(28HPM)的制程,該制程同樣采用臺積電第一代HKMG技術(shù),主要面向智能手機(jī)/平板電腦產(chǎn)品,為采用了ARM架構(gòu)的處理器優(yōu)化,可適用于運(yùn)行頻率在1.8GHz以上,功耗在440mW水平的產(chǎn)品。與其它幾種臺積電的28nm制程類似,該制程的核心電壓為0.9V,支持1.8/2.5V兩種電壓級別的I/O電壓,計(jì)劃今年第四季度進(jìn)行生產(chǎn)。

另據(jù)蔣尚義表示,臺積電的HKMG制程已經(jīng)通過了 可靠性驗(yàn)證,并已經(jīng)向兩家客戶發(fā)送了原型樣件。他并否認(rèn)了先前外界預(yù)測的臺積電HKMG制程(臺積電將在28nm節(jié)點(diǎn)推出其首代HKMG制程技術(shù))將延后推出的說法,并稱臺積電將如期推出有關(guān)的制程技術(shù)。

臺積電在會上還再次聲明,在28nm之后,臺積電將推出幾種20nm制程,包括CLN20G(20nm通用制程)以及CLN20SOC兩款,均基于臺積電第二代HKMG制程,其中CLN20G定于2012年第四季度試產(chǎn),而CLN20SOC則定于2013年第二季度試產(chǎn)。

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