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海外轉(zhuǎn)移設備刺激中國半導體產(chǎn)能增長

時間：2008-05-07 10:06:29

關(guān)鍵字：中國半導體 FAB 晶圓制造 NEC

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[導讀] 回顧過去五年的產(chǎn)業(yè)大勢，中國一直是半導體晶圓制造產(chǎn)能增長速度最快的區(qū)域。最大產(chǎn)能增速出現(xiàn)在2003和2004年，這兩年產(chǎn)能分別增長了100％和82％。而全球的半導體晶圓產(chǎn)能在2003年僅增長了4％，2004年增長為9％。最

回顧過去五年的產(chǎn)業(yè)大勢，中國一直是半導體晶圓制造產(chǎn)能增長速度最快的區(qū)域。最大產(chǎn)能增速出現(xiàn)在2003和2004年，這兩年產(chǎn)能分別增長了100％和82％。而全球的半導體晶圓產(chǎn)能在2003年僅增長了4％，2004年增長為9％。最近幾年增長速度有所放緩，這是中國芯片制造商越來越謹慎增加產(chǎn)能的一個信號。

國內(nèi)fab產(chǎn)能增長的主要來源一直是從國外轉(zhuǎn)移過來的產(chǎn)能，并且以后也會如此。二手設備有兩種方式進入國內(nèi)：以二手fab的形式引進整套晶圓加工生產(chǎn)線（如上海TSMC 200毫米fab和無錫的Hynix-ST 200毫米fab），或者二手設備在國內(nèi)以單件方式出售，幫助已建立的fab擴大產(chǎn)能。

圖1表示2001年至今及在2007-2010年預測期內(nèi)由SMIC、HHNEC、HJTC、GSMC、ASMC、 Hynix-ST、TSMC（上海）、CSMC、GMIC、ProMOS、PowerChip、IC Spectrum及英特爾向中國實際轉(zhuǎn)移和可能轉(zhuǎn)移的200-300毫米晶圓制造產(chǎn)能。該圖同時顯示出了這些芯片生產(chǎn)商200毫米同等設備的總產(chǎn)能。轉(zhuǎn)移產(chǎn)能與總產(chǎn)能的比率表明，利用轉(zhuǎn)移設備，中國的晶圓制造產(chǎn)能趨向于增大。
從2001年到2004年，轉(zhuǎn)移的200毫米晶圓制造產(chǎn)能大部分歸因于TSMC（上海）和和艦。Hynix-ST轉(zhuǎn)移一座200毫米fab和ASMC擴張200毫米fab使2006年又成為向中國轉(zhuǎn)移設備的高峰年。2006年以前，國內(nèi)幾乎所有的頂級fabs都在采用或者考慮采用二手設備來擴大200毫米晶圓產(chǎn)能——包括SMIC、HHNEC和GSMC。將來三年，200-300毫米晶圓制造產(chǎn)能的增長速度和累計轉(zhuǎn)移產(chǎn)能的增長速度都會遠遠小于2002-2007年期間的增長速度。盡管2010年前國內(nèi)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移仍會十分活躍，但國內(nèi)安裝的所有200-300毫米晶圓制造產(chǎn)能幾乎有一半可能是從國外市場上轉(zhuǎn)移而來。

與圖1相似，圖2表示CSMC、SG-NEC、上海貝嶺、ASMC、BCD、SinoMOS、ACSMC、CSWC、士蘭微電子、方正微電子、福建富順微電子有限公司、XETC和Anadigics（昆山）在2001年至2006年間轉(zhuǎn)移到國內(nèi)的150毫米集成電路晶圓制造產(chǎn)能，以及對2007年到2010年的預測。同時還顯示出這些芯片制造商的150毫米晶圓總產(chǎn)能，以及年末累計轉(zhuǎn)移產(chǎn)能和每年的增長率。

荒原

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