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[導讀]美國國家半導體(National Semiconductor)發(fā)布了將電源電路所需的穩(wěn)壓器IC、MOSFET及電感器等大部分部件集成在一個封裝內(nèi)的電源模塊“SIMPLE SWITCHER Power Module”。因不再需要外置電感器,因此容易進行電源電路

美國國家半導體(National Semiconductor)發(fā)布了將電源電路所需的穩(wěn)壓器IC、MOSFET及電感器等大部分部件集成在一個封裝內(nèi)的電源模塊“SIMPLE SWITCHER Power Module”。因不再需要外置電感器,因此容易進行電源電路設計。適用于醫(yī)療設備、廣電視頻設備、通信設備及產(chǎn)業(yè)設備等配備的FPGA、微處理器以及為DSP供電的負載點(point of load,PoL)轉換器等。

該產(chǎn)品的特點是,與其他公司封裝內(nèi)含有電感器的產(chǎn)品相比,電力轉換效率高出3~5百分點,運行時封裝的表面溫度只有10℃左右。據(jù)介紹,此次采用了導通電阻較低的MOSFET,且優(yōu)化了開關電路,從而提高了電力轉換效率,散熱性方面,通過在封裝底面設置大面積銅散熱區(qū)域,將封裝的熱電阻(θJA)降低到了20℃/W。內(nèi)置的電感器附帶屏蔽罩,而且采用可降低EMI的封裝技術,從而滿足了CISPR22 B類電磁波輻射標準的要求。其內(nèi)置的電感器系從其他公司采購,采用了標準技術。電源模塊的開關頻率為1MHz。

以前,封裝內(nèi)含有電感器電源模塊需要在封裝底面分別配置端子和散熱墊,而國家半導體此次將端子作為引線設置在封裝的側面,只在封裝底面配置了散熱墊。通過這種方法,排除了發(fā)生目視無法判別的焊錫橋接的可能性,實現(xiàn)了從封裝底面有效散熱。

此次發(fā)布了輸入電壓范圍和最大輸出電流分別為+6~42V和3A的“LMZ14203”、+4.5~20V和3A的“LMZ12003”和+2.95~5.5V和4A的“LMZ10504”3款產(chǎn)品。外形尺寸均為寬10.16mm×長13.77mm(含端子部分)×厚4.57mm。目前已開始供貨,批量購買500個時,LMZ14203的單價為9.50美元,LMZ12003為7.25美元,LMZ10504為7.10美元。

除了上述3款已開始量產(chǎn)的產(chǎn)品之外,該公司還將在輸入電壓范圍為+6~42V和+4.5~20V的產(chǎn)品中陸續(xù)供貨輸出電流為1A和2A的款式,在輸入電壓范圍為+2.95~5.5V的產(chǎn)品中陸續(xù)供貨輸出電流為3A和5A的款式。封裝均與先行供貨的3款產(chǎn)品相同。另外,該公司還表示,今后在推出輸出電流更大的產(chǎn)品時,準備采用散熱特性更高的封裝。

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