ROHM集團(tuán)旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體面向需要高速高頻率的日志數(shù)據(jù)獲取和緊急時(shí)高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表/計(jì)量設(shè)備/醫(yī)療設(shè)備/金融終端等，開(kāi)發(fā)出1Mbit鐵電存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱“FeRAM”注1)“MR45V100A / MR44V100A”，并即將于2017年12月開(kāi)始量產(chǎn)銷售。

“MR45V100A”作為SPI注2總線產(chǎn)品，在1.8V～3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)均實(shí)現(xiàn)40MHz的高速工作。這使得該款產(chǎn)品作為大容量的1Mbit FeRAM，在諸如不穩(wěn)定的電源環(huán)境下的電壓急劇下降時(shí)也可高速穩(wěn)定工作，其高速數(shù)據(jù)備份功能有助于提高配套應(yīng)用的可靠性。而“MR44V100A”作為不同的串行總線I2C注3總線產(chǎn)品，則非常適用于不需要速度的應(yīng)用。

另外，為了滿足移動(dòng)應(yīng)用需求，改進(jìn)了待機(jī)(待機(jī))模式，同時(shí)還首次在藍(lán)碧石FeRAM中搭載了睡眠(休眠)模式，以限制數(shù)據(jù)量增加導(dǎo)致的功耗増加。在1Mbit FeRAM中分別實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小級(jí)別※的待機(jī)電流10µA(平均)和睡眠電流0.1µA(平均)，使產(chǎn)品還可用于重視電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間的支付終端和數(shù)據(jù)記錄儀等手持終端和移動(dòng)設(shè)備/終端。

目前本LSI的樣品正在銷售中，預(yù)計(jì)于2017年12月開(kāi)始量產(chǎn)并批量供貨。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部(日本京都)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)。

<背景>

非易失性存儲(chǔ)器FeRAM與EEPROM和FLASH存儲(chǔ)器等非易失性存儲(chǔ)器相比，具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”“耐擦寫性能優(yōu)異”“低功耗”等特點(diǎn)。

藍(lán)碧石半導(dǎo)體凝聚ROHM的鐵電存儲(chǔ)器制造技術(shù)和藍(lán)碧石的存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，從2011年開(kāi)始致力于各種容量和接口的FeRAM開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品已被需要非易失且高速高頻率數(shù)據(jù)擦寫的多功能打印機(jī)、汽車配件、FA(Factory Automation)設(shè)備等廣為采用。

近年來(lái)，電子設(shè)備對(duì)于數(shù)據(jù)規(guī)模增加、更低功耗、移動(dòng)應(yīng)用、瞬間停電等緊急情況下的數(shù)據(jù)安全性提升要求越來(lái)越高。藍(lán)碧石半導(dǎo)體為滿足這些需求，致力于實(shí)現(xiàn)更大容量、更寬電源電壓范圍和高速工作兼?zhèn)?、更低功?包括待機(jī)/休眠時(shí)在內(nèi))的產(chǎn)品，并成功開(kāi)發(fā)出有望應(yīng)用到電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備/終端等的FeRAM。

<特點(diǎn)>

1.可在 1.8V～3.6V的更寬范圍內(nèi)40MHz工作

FeRAM與EEPROM、FLASH存儲(chǔ)器等非易失存儲(chǔ)器相比，可實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)擦寫并低電壓工作，因而具有即使在寫入過(guò)程中發(fā)生瞬間電壓下降或停電，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)也較低的特點(diǎn)。

“MR45V100A”作為SPI總線產(chǎn)品，與藍(lán)碧石以往產(chǎn)品64Kbit FeRAM“MR45V064B”同樣在1.8V～3.6V的整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)確保40MHz工作，性能同等，但容量更大，達(dá)1Mbit。因而在要求高安全性的應(yīng)用中，可直接處理更大規(guī)模的數(shù)據(jù)。

2. 作為大容量FeRAM，實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小級(jí)別的待機(jī)/休眠電流

在電子設(shè)備中，低功耗要求越來(lái)越高，一般采用比如使系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程中無(wú)需工作的部件轉(zhuǎn)入低電流模式，以降低設(shè)備整體平均功耗等手法來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗。

在這種背景下，MR45V100A / MR44V100A通過(guò)以下特點(diǎn)來(lái)降低電子設(shè)備的系統(tǒng)功耗，抑制數(shù)據(jù)量增加導(dǎo)致的功耗増加。

① 改進(jìn)待機(jī)模式，實(shí)現(xiàn)1Mbit FeRAM中業(yè)界最小級(jí)別的10µA待機(jī)電流

待機(jī)(Standby)模式時(shí)徹底關(guān)斷無(wú)需工作的電路的電源，當(dāng)工作恢復(fù)時(shí)僅所需部分快速初始化，從而有效抑制住電流消耗。由此實(shí)現(xiàn)了平均10μA的1Mbit FeRAM中業(yè)界最小級(jí)別※的待機(jī)電流。

② 搭載睡眠模式，實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小級(jí)別的0.1µA睡眠電流和最短睡眠模式恢復(fù)時(shí)間

藍(lán)碧石首家搭載了比傳統(tǒng)待機(jī)(Standby)模式功耗低幾個(gè)數(shù)量級(jí)的的睡眠(休眠)模式，而且睡眠模式下的平均消耗電流僅為0.1μA，屬于業(yè)界最小級(jí)別※。不僅如此，從睡眠模式的恢復(fù)時(shí)間僅為100μs，為業(yè)界最短※，從而在希望休眠時(shí)間要短的應(yīng)用中也可適用睡眠模式。