21ic訊 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產(chǎn)品線，以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)/錯誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、航空電子系統(tǒng)以及電子游戲機等關(guān)鍵任務(wù)應用的需求。

16 Mb nvSRAM是市場上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實時時鐘(RTC)，以便在重要數(shù)據(jù)日志中標記時間。賽普拉斯的nvSRAM具有無限次讀、寫和恢復的特點，在85˚C的溫度下數(shù)據(jù)可保存20年，65˚C下則可以保存150年。賽普拉斯的nvSRAM對于需要連續(xù)高速讀寫數(shù)據(jù)和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應用來說，是非常理想的選擇。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說：“關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數(shù)據(jù)的高性能存儲器。賽普拉斯的16 Mb nvSRAM能夠?qū)崿F(xiàn)絕對的數(shù)據(jù)安全，并且是業(yè)界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶也可以享受到我們nvSRAM無與倫比的性能。”

供貨情況

16 Mb nvSRAM目前可以提供樣片，預計于2014年第三季度量產(chǎn)。ONFI 1.0器件的供電電壓為3V，IO電壓為1.8V，數(shù)據(jù)總線寬度為8比特和16比特，封裝方式為165-ball FBGA。異步并行器件可選擇帶或不帶RTC，數(shù)據(jù)總線寬度為8、6、132比特，供電電壓為3V、5V，以及1.8V IO電壓的3V供電。其封裝方式為44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、54-pin TSOPII以及165-ball FBGA。