恩智浦半導體擴張其業(yè)界領先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。
針對大范圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。
恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括：
• 500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時）
• 17dB增益
• 50%漏極效率
• 更佳耐用度
• 能夠承受高達5dB的過驅(qū)動能力
• 更佳脈沖頂降 （低于0.2dB）
• 供電電壓50V
• 無毒封裝、符合ROHS標準
恩智浦的這款器件結合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設計的LDMOS技術優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。
上市時間
恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。
針對大范圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。
恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括：
• 500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時）
• 17dB增益
• 50%漏極效率
• 更佳耐用度
• 能夠承受高達5dB的過驅(qū)動能力
• 更佳脈沖頂降 （低于0.2dB）
• 供電電壓50V
• 無毒封裝、符合ROHS標準
恩智浦的這款器件結合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設計的LDMOS技術優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。
上市時間
恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。
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