Vishay發(fā)布4款新型D/CRCWe3厚膜片式電阻的工程設計包
[導讀]21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
21IC訊 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通過AEC-Q200認證的D/CRCW e3厚膜片式電阻的新型工程設計套件。套件可幫助設計者選擇最適合其應用的電阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選阻值，同時樣片封裝在卷帶條并附有單獨的標簽。
本次發(fā)布的4款設計套件采用E96系列阻值標準，范圍從10Ω到1MΩ(每檔間隔４個阻值)，同時額外包含一個0Ω跳線，每款套件總共包含122種不同的阻值。電阻的容差為±1%，TCR為±100ppm/K，功率耗散為0.063W～0.25W，電阻芯電壓為50V～200V。
D/CRCW e3厚膜片式電阻非常適合汽車、工業(yè)設備、通信基礎設施、消費品和計算機等領域的應用。器件符合RoHS指令2011/65/EU，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。
規(guī)格表：
| 產品 | 額定耗散 P70 | 電壓 | 數量 |
|---|---|---|---|
| D10/CRCW0402 e3 | 0.063 W | 50 V | 122 x 100 |
| D11/CRCW0603 e3 | 0.10 W | 75 V | 122 x 50 |
| D12/CRCW0805 e3 | 0.125 W | 150 V | 122 x 50 |
| D25/CRCW1206 e3 | 0.25 W | 200 V | 122 x 50 |
新款工程設計套件現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為六周。
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器和電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用在工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍工、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備當中。憑借產品創(chuàng)新、成功的戰(zhàn)略收購，以及“一站式”服務，Vishay成功躋身業(yè)界領導廠商之列
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