安捷倫科技(Agilent)日前宣布，推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脈沖參數(shù)測試儀，用來檢定使用高級工藝技術(如65 nm技術節(jié)點)制造的器件。通過Agilent 4075和4076，半導體測試工程師可以同時測量RF特點和DC特點，以滿足當前體積日益縮小的多樣化半導體器件需求，如65 nm及更高工藝的超薄柵氧化物晶體管、絕緣體上硅(SOI)晶體管和高介電常數(shù)(高k)器件。

體積縮小和器件速度提高，日益需要在生產過程中實現(xiàn)新的參數(shù)測試功能，而過去只有在實驗室中才需要這些功能。Agilent 4075和4076為精確檢定新的器件結構提供了所需的靈活性，如超薄柵氧化物MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)或通信應用中使用的高速半導體器件。通過先進的設計，Agilent 4075和4076支持10-ns短脈沖式IV測量，對熱量或電荷異常靈敏的器件必需進行此類測量，如高速邏輯應用中使用的SOI晶體管和高介電常數(shù)晶體管。此外，Agilent 4076支持直到1 fA的超低電流測量功能。

與整個4070系列一樣，Agilent 4075和4076支持300 mm SECS/GEM自動化協(xié)議，這些協(xié)議已經在世界各地的生產線中得到驗證。SECS/GEM是半導體行業(yè)的標準，保證制造設備共享一致的界面和行為。

現(xiàn)代超薄柵MOSFET容易受到電子隧道的影響。為檢定其電容和電壓(CV)行為特點，測量頻率必需超過幾兆赫。但是，高頻CV (HFCV)及實現(xiàn)檢定必需的射頻頻率CV (RFCV)測量技術之間相互抵觸。Agilent 4075和4076同時支持HFCV (4294A)儀器和RFCV (ENA/PNA)儀器，使得用戶能夠選擇最佳方法，滿足自己的工藝技術和生產測試需求。

Agilent 4075和4076都把高速電容測量單元(CMU)集成到測試頭中。這一功能可以在1 kHz - 2 MHz頻率范圍內，對層間/層內氧化物非?？焖俚剡M行電容測量，從而改善吞吐量，降低測試成本。

通信應用和高速邏輯應用要求深入檢定高速半導體器件的性能。Agilent 4075與4076皆支持利用PNA進行RF的S參數(shù)測試功能，相對于目前市面上使用VNA的解決方案，以PNA為主的RF解決方案可提供更高的產出速度。 

諸如SOI或高k等最新的先進技術需要超短的脈沖測試能力，以防止產生有害的熱量或電荷敏感效應。然而，生產測試系統(tǒng)的脈沖式測量能力卻只限于測量微秒的范圍。Agilent 4075與4076可提供短至10納秒的超短脈沖式IV測量能力，能有效地測量SOI或高k晶體管等對熱或電荷高度敏感組件的特性。

Agilent 4076還為生產測試提供了實驗室測試功能。高級工藝通常要求在生產中精確測量各種參數(shù)，如MOSFET低于門限的泄漏電流和銅(Cu)金屬Van der Paw電阻。這些測量要求異常精確的電流和電壓測量分辨率，而此前只有實驗室中才能提供這種分辨率。

Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脈沖式IV測量功能都可以在整個新設計的直接對接接口上使用。這種直接對接的設計可通過自動化的探針卡更換機制，讓使用者輕易地控制和變換探針卡，而且這種RF直接對接的方式也不會減少任何的DC針腳。
   
諸如測量鏈接庫和校準工具等操作簡易、采用圖形化使用者接口的軟件皆支持這些RF、HFCV和脈沖式IV測量功能。