全新EPC2107及EPC2108 eGaN功率集成電路包含單片半橋式器件及集成式自舉功能，專為符合無線充電聯(lián)盟(A4WP)第二及第三級規(guī)范的解決方案而設。此外，為了讓客戶容易對氮化鎵元件進行評估，我們也提供開發(fā)板及包含發(fā)射器及接收器的無線電源傳送解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出內(nèi)含集成式自舉功能的場效應晶體管的eGaN半橋功率集成電路 EPC2107(100 V)及EPC2108 (60 V)。該集成電路去除了由柵極驅(qū)動器所引致的反向恢復損耗，也不需高側箝位。這是首次在eGaN功率電路中集成了一個自舉場效應晶體管。

這些產(chǎn)品專為諧振式無線電源傳送應用而設計，可快速設計出高效的終端系統(tǒng)，為無線電源傳送應用的普及做好準備。此外，這些氮化鎵功率集成電路使用超小型的芯片封裝方式，縮小了整個系統(tǒng)的尺寸。由于這些全新晶片系列可減少整體的組件數(shù)量，因此它的成本可以更低 -- 一個氮化鎵器件相對于三個場效應晶體管!

Rezence無線電源技術標準

雖然市場上有多種無線電源傳送的標準，無線充電聯(lián)盟(A4WP)的Rezence技術和規(guī)范為作為終端用戶的消費者提供了優(yōu)越的特性及功能諸如充電時的空間自由度, 使一臺終端不需精確地擺放在充電板上。此外，充電范圍寬泛，使消費者可以隨時隨地“放下設備，即可充電”。該標準也可以對具備不同功率條件的設備同時充電。再者，符合Rezence技術及規(guī)范的無線電源系統(tǒng)可以在有金屬物件諸如鑰匙、輔幣及用具的情況下對設備充電，使之成為車載、零售及家具應用的理想選擇。

總括來說，Rezence技術及規(guī)范所提供的靈活性及性能標準為大眾市場帶來理想的無線充電技術，其新興市場的份額在2020年可達156億美元。

宜普電源轉換公司的氮化鎵器件在該市場為主要供應商之一。宜普公司在2012年推出首個適用于無線電源傳送應用的eGaN FET，我們除了設計符合A4WP Rezence規(guī)范的功率產(chǎn)品外，也出版了專門解答有關設計無線電源系統(tǒng)的問題諸如多模式操作及符合EMI要求的《無線電源手冊》。

宜普電源轉換公司的全新產(chǎn)品及其優(yōu)勢

集成兩個eGaN®功率場效應晶體管而成為一個集成電路可以去除互感及間隙空間。單一個集成式功率組件可以提高效率(尤其是在更高頻時)及功率密度而同時降低無線電源系統(tǒng)設計師的終端產(chǎn)品的組裝成本。

這些器件采用芯片封裝方式(1.35 mm X 1.35 mm)，可縮小尺寸、加快開關速度及提高散熱性能，從而增加功率密度。

無線電源演示系統(tǒng)

宜普電源轉換公司也推出無線電源傳送演示系統(tǒng)及開發(fā)板以幫助工程師容易對EPC2107 及EPC2108 eGaN功率集成電路進行評估。

符合A4WP第三級(EPC9113)及第二級(EPC9114)的無線功率演示系統(tǒng)包含三個組件：

ZVS D類發(fā)射板(放大器)

- Rezence第二級：EPC9114演示系統(tǒng)套件含EPC9510開發(fā)板及采用100 V的EPC2107

eGaN FET。

- Rezence第三級：EPC9113演示系統(tǒng)套件含EPC9509開發(fā)板及采用60 V的EPC2108

eGaN FET。

符合Rezence第二級及第三級標準的發(fā)射(傳送)線圈

符合Rezence第三類標準的接收板(包含線圈)

EPC9113無線電源演示套件符合A4WP第三級標準，可工作在6.78 MHz頻率時對一個DC負載傳送高達16 W電源(也可以調(diào)節(jié)至工作在13.56 MHz 頻率)。EPC9114演示套件符合A4WP第二級標準并傳送10 W電源。演示套件旨在幫助工程師在高效無線電源傳送應用簡化對氮化鎵場效應晶體管進行評估的過程。兩個套件都采用具備高頻開關性能的宜普公司氮化鎵晶體管以實現(xiàn)設計高效無線電源傳送系統(tǒng)。

如果客戶使用自己設計的線圈，各種發(fā)射板(或放大器)可以獨立購買：EPC9509 (采用60 V的 EPC2108) 與 EPC9510 (采用100 V的 EPC2107).

產(chǎn)品價格及供貨詳情

所有產(chǎn)品可透過北高智科技公司及Digi-Key公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術(LiDAR)及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn 。

客戶可以在我們的網(wǎng)頁注冊(http://bit.ly/EPCupdates)，定期收取EPC公司的最新產(chǎn)品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。