掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
要設(shè)計(jì)一套通信用開關(guān)電源系統(tǒng),首先要明白對(duì)它的全面要求,然后再設(shè)計(jì)系統(tǒng)的各個(gè)部分。高頻開關(guān)電源主回路和控制回路所用的電路形式,元器件,控制方式都發(fā)展很快。它們的設(shè)計(jì)具有特殊的內(nèi)容和方法。
1設(shè)計(jì)要求和具體電路設(shè)計(jì)
通信基礎(chǔ)開關(guān)電源系統(tǒng)的關(guān)鍵部分是開關(guān)電源整流模塊。整流模塊的規(guī)格很多,結(jié)合在工
作中遇到的實(shí)際情況,提出該模塊設(shè)計(jì)的硬指標(biāo)如下:
1) 電網(wǎng)允許的電壓波動(dòng)范圍
單相交流輸入,有效值波動(dòng)范圍:220 V±20%,即176~264 V;頻率:45~65 Hz。
2) 直流輸出電壓,電流
輸出電壓:標(biāo)稱-48V,調(diào)節(jié)范圍:浮充,43~56?5V;均充,45~58V。
輸出電流:額定值:50A。
3) 保護(hù)和告警性能
?、佼?dāng)輸入電壓低到170 VAC或高到270 VAC,或散熱器溫度高到75 ℃時(shí),自動(dòng)關(guān)機(jī)。
②當(dāng)模塊直流輸出電壓高到60 V,或輸出電流高到58~60 A時(shí),自動(dòng)關(guān)機(jī)。
?、郛?dāng)輸出電流高到53~55 A時(shí),自動(dòng)限流,負(fù)載繼續(xù)加大時(shí),調(diào)低輸出電壓。
4) 效率和功率因數(shù)
模塊的效率不低于88%,功率因數(shù)不低于0.99。
5) 其他指標(biāo)
模塊的其他性能指標(biāo)都要滿足“YD/T731”和“入網(wǎng)檢驗(yàn)實(shí)施細(xì)則”等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
由于模塊的輸出功率不大,可采用如下的基本方案來設(shè)計(jì)主電路:
1) 單相交流輸入,采用高頻有源功率因數(shù)校正技術(shù),以提高功率因數(shù);
2) 采用雙正激變換電路拓?fù)湫问?,工作可靠性?
3) 主開關(guān)管采用 VMOSFET,逆變開關(guān)頻率取為50 kHz;
4) 采用復(fù)合隔離的逆變壓器,一只變壓器雙端工作;
5) 采用倍流整流電路,便于繞制變壓器。
依照上述方案,即可設(shè)計(jì)出主電路的基本形式如圖1。
以下即可按照模塊設(shè)計(jì)的要求來確定主電路中各元器件的基本參數(shù)。
1) 輸出整流管的選擇
輸出整流二極管的工作波形如圖2所示。
由圖可見,二極管D5和D6的峰值電流約為50 A,平均電流為25 A。D5和D6承受的最高反向電壓為:
VD=Vidcmax/n=395V/3≈132V
因此,可以選擇300∶400 V,50∶60
A的超快軟恢復(fù)的整流二極管模塊,如ST的STTA12004T(V),260 A等。
2)逆變主開關(guān)管的選擇
開關(guān)管的電流ICM等于逆變變壓器原邊的電流I1,即:
ICM="I1
"=I2/n=25 A/3≈8.3 A
所以,逆變主開關(guān)管T1∶T4可以選擇(550∶600)V,(20∶30)A的VMOSFET,如IR的IRFK3FC50等模塊。
續(xù)流二極管D1∶D4可以選擇(550∶600)V,(15∶20)A的快速恢復(fù)二極管。
3)濾波電感的計(jì)算
直流輸出LC濾波的工作頻率為100 kHz,通信開關(guān)電源整流模塊要求在5%的額定負(fù)載下,保證雜音滿足指標(biāo)。額定情況下,最大占空比:
4)濾波電解電容的計(jì)算
按照離散雜音的要求,電容上允許的100 kHz下的紋波Δuc=3 mV。通過選擇開關(guān)電源專用電解電容并和無極性電容并聯(lián),將總的ESZ控制在1.5 mΩ以下,則有:
C=ΔiLT/(t×ΔVc)≈5 556 μH
2 結(jié)語
現(xiàn)代通信設(shè)備已開始廣泛地采用開關(guān)式基礎(chǔ)電源系統(tǒng)。本文結(jié)合筆者所在的“通信原理試驗(yàn)室”建設(shè)情況,設(shè)計(jì)了開關(guān)電源系統(tǒng)整流模塊的主電路。該電路已經(jīng)成功應(yīng)用于試驗(yàn)室供電系統(tǒng),完全符合設(shè)計(jì)要求,達(dá)到了預(yù)期的目的。
為增進(jìn)大家對(duì)開關(guān)電源的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)高頻開關(guān)電源予以介紹,主要在于介紹高頻開關(guān)電源的發(fā)展趨勢。
關(guān)鍵字: 高頻開關(guān)電源 開關(guān)電源 指數(shù)為增進(jìn)大家對(duì)開關(guān)電源的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)高頻開關(guān)電源的發(fā)展、高頻開關(guān)電源的工作原理予以介紹。
關(guān)鍵字: 高頻開關(guān)電源 指數(shù) 開關(guān)電源構(gòu)建可靠的硬件要求我們?cè)谠O(shè)計(jì)階段考慮所有公差。許多參考文獻(xiàn)討論了參數(shù)偏差導(dǎo)致的有源元件誤差——展示了如何計(jì)算運(yùn)算放大器失調(diào)電壓、輸入電流和類似參數(shù)的影響——但很少有人考慮無源元件容差。確實(shí)考慮了組件容差的參考文獻(xiàn)是從科學(xué)...
關(guān)鍵字: 元件公差 電路設(shè)計(jì)對(duì)于非比例電路,我們必須假設(shè)完整的電阻容差,因?yàn)槿莶畈粫?huì)分開。我們可以將輸出電壓計(jì)算為 V OUT =IR,其中 I 是理想的 1mA 電流源,R 是 5% 的電阻器(圖 1a)。V OUT =1 mA (1±0.05±...
關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì) 非比例電路我們是否設(shè)計(jì)了一個(gè)電源,后來才發(fā)現(xiàn)我們的布局效率低下?按照這些關(guān)鍵提示創(chuàng)建電源布局并避免調(diào)試壓力。什么是電源設(shè)計(jì)的布局?你知道嗎?一個(gè)完美的電路設(shè)計(jì),電源布局顯得尤為重要。由于不同的設(shè)計(jì)方案的出發(fā)點(diǎn)不同,而有所差異,但是...
關(guān)鍵字: 電源布局 電路設(shè)計(jì)摘要:基于攝像機(jī)遠(yuǎn)程操作技術(shù),利用單片機(jī)控制步進(jìn)電機(jī),建立攝像鏡頭的電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。此系統(tǒng)節(jié)約了經(jīng)濟(jì)成本,通過人機(jī)交互閉環(huán)系統(tǒng)、模塊化等方法,進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的通用性,使其可以應(yīng)用于工程。
關(guān)鍵字: 步進(jìn)電機(jī) 單片機(jī) 電路設(shè)計(jì)一直以來,智能硬件都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)碇悄芄β誓K的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
關(guān)鍵字: 智能功率模塊 IPM 電路設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)聚合物電容器相比,多層陶瓷電容器 (MLCC) 在電力電子設(shè)計(jì)中很受歡迎,原因有很多: MLCC 提供: · 具有相對(duì)較高電容的小輪廓。 · 非常低的等效串聯(lián)電阻 (ESR)。 · 非常低的等效串聯(lián)電感 (...
關(guān)鍵字: MLCC電容 電路設(shè)計(jì)許多同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員面臨一個(gè)共同的問題:如何最好地連接開漏電源良好標(biāo)志,也稱為電源良好 (PGOOD) 引腳。在這篇文章中,我將探討電源良好與各種不同的上拉源相關(guān)聯(lián)時(shí)的預(yù)期行為。有一些錯(cuò)誤信息四處流傳,希望這篇文章...
關(guān)鍵字: 降壓轉(zhuǎn)換器 電路設(shè)計(jì)嵌入式開發(fā)是指利用分立元件或集成器件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),再進(jìn)行軟件編程(通常是高級(jí)語言),實(shí)驗(yàn),經(jīng)過多輪修改設(shè)計(jì)、制作,最終完成整個(gè)系統(tǒng)的開發(fā)。
關(guān)鍵字: 嵌入式開發(fā) 電路設(shè)計(jì) 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)