摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。

關(guān)鍵詞：安全工作區(qū)  失效機(jī)理  短路電流Tsc

1、  引言

半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱(chēng)SOA）使用引起的。因此全面了解SOA，并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極—發(fā)射極電壓Vce控制在SOA之內(nèi)是十分重要的。SOA分為正偏安全工作區(qū)（FBSOA）、反偏安全工作區(qū)（RBSOA）、開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)（SSOA）和短路安全工作區(qū)（SCSOA）。

2、  各安全工作區(qū)的物理概念

IGBT的SOA表明其承受高壓大電流的能力，是可靠性的重要標(biāo)志。

2.1正偏安全工作區(qū)（FBSOA）

FBSO是處于Vge>閾值電壓Vth的輸出特性曲線的有源區(qū)之內(nèi)，如圖1所示。圖1中ABCDO所包圍的區(qū)域?yàn)橹绷靼踩ぷ鲄^(qū)。AB段為tc=80℃限制的最大直流電流Ic。B點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IC和Vce的乘積等于最大耗散功率Pcm。BC段為等功耗線。CD段為二次擊穿限制的安全工作區(qū)的邊界，此段不是等功耗。隨著Vce的增加功耗下降，Vce越高功耗越低。這說(shuō)明高電壓強(qiáng)電場(chǎng)狀態(tài)更容易出現(xiàn)失效。

由圖1可見(jiàn)，隨著脈沖寬度減小SOA擴(kuò)大。這里要說(shuō)明的是手冊(cè)給的FBSOA，除DCSOA之外。一定脈沖寬度下的脈沖SOA，均是單脈沖安全工作區(qū)。而且FBSOA只考慮導(dǎo)通損耗，不包括開(kāi)關(guān)損耗。所以FBSOA只適用功率放大器的A類(lèi)、B類(lèi)及短路工作沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗的工作狀態(tài)。對(duì)于一定脈寬和占空比的連續(xù)工作，其安全工作區(qū)應(yīng)使用瞬態(tài)熱阻曲線的計(jì)算來(lái)確定。

2.2反偏安全工作區(qū)（RBSOA）

RBSOA是表明在箝位電感負(fù)載時(shí)，在額定電壓下關(guān)斷最大箝位電感電流Ilm的能力。Ilm一般是最大DC額定電流的兩倍，而額定電壓接近反向擊穿電壓。PT型IGBT和NPT型IGBT的反偏安全工作區(qū)略有不同。PT型IGBT的RBSOA是梯形SOA，NPT型IGBT的RBSO是矩形SOA。如圖2所示。可見(jiàn)NPT型IGBT。在額定電壓下關(guān)斷箝位電感電流的能力強(qiáng)于PT型IGBT。因此，PT型IGBT不適用于電感負(fù)載電路和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等電路，而且短路持續(xù)時(shí)間TSC較短，一般不給出短路安全工作區(qū)。所以，NPT型IGBT的可靠性高于PT型IGBT。

2.3開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)（SSOA）

開(kāi)關(guān)字全工作區(qū)如圖3所示。由圖2和圖3可見(jiàn)，SSOA和RBSOA相似，都是矩形的。所不同的是RBSOA只考慮關(guān)斷時(shí)承受高電壓大電感電流的能力。SSOA不僅考慮關(guān)斷狀態(tài)，同時(shí)也考慮開(kāi)啟瞬間。所以SSOA兼顧FBSOA和RBSOA兩種狀態(tài)的考慮。另外，縱坐標(biāo)的電流，RBSOA是Iim ；而SSOA是最大脈沖電流Icm。一個(gè)是最大箝位電感電流，一個(gè)是最大脈沖電流。而且兩者在手冊(cè)中給出的數(shù)值又是相等的?，F(xiàn)在有的公司只給出SSOA，不再給出FBSOA和RBSOA。在IGBT開(kāi)啟時(shí)，往往是Vce沒(méi)有降下來(lái)，Ic就達(dá)到負(fù)載電流Il。在有續(xù)流作用時(shí)還要達(dá)到Ic +Ir r m。Ir r m為續(xù)流二極管的最大反向恢復(fù)電流，因此導(dǎo)通過(guò)程也存在高壓大電流狀態(tài)。

2.4短路安全工作區(qū)（SCSOA）

SCSOA是IGBT C—E間處于高壓(額定反向電壓)下，G—E間突然加上過(guò)高的柵壓Vg，過(guò)高Vg和高垮導(dǎo)的作用出現(xiàn)短路狀態(tài)，其短路電流ISC可高達(dá)10倍的額定電流IC。這和SSOA的開(kāi)通狀態(tài)比較相似，但I(xiàn)SC>Icm。在整個(gè)短路時(shí)間Tsc中，IGBT始終處于導(dǎo)通狀態(tài)。在此狀態(tài)下IGBT的耗能在四種安全工作區(qū)最大，出現(xiàn)失效的幾率也最高。SCSOA如圖4所示。

3、  超SOA的失效機(jī)理

安全工作區(qū)，顧各思義工作在SOA內(nèi)是安全的，超出將是不安全的，或引起失效。由于四種安全工作區(qū)的偏置狀態(tài)不同，超出SOA的失效機(jī)理也是不同的。FBSOA、SCSOA和SSOA的開(kāi)啟狀態(tài)均為正偏，而RBSOA為反偏。眾所周知，IGBT失效的主要原因是寄生SCR的鎖定（Latch-up）和超結(jié)溫tj工作出現(xiàn)的燒毀。

（1）RBSOA的失效：在額定電壓下關(guān)斷箝位電感電流Ilm時(shí)，由于關(guān)斷來(lái)自IGBT發(fā)射極的溝道電子電流，寄生PNP管發(fā)射極注入到高阻漂移區(qū)（PNP管的是基區(qū)）的少子空穴一部經(jīng)過(guò)PNP管的基區(qū)從IGBT的發(fā)射極流出。當(dāng)該空穴電流Ih在NPN管的基區(qū)電阻R b上壓降Ih·R≥0.7V時(shí)，NPN管導(dǎo)通，其共基極放大系數(shù)αnpn迅速增大。同時(shí)由于PNP管的集電極處于高壓，集電結(jié)耗盡層寬度（Xm）很寬，使PNP管的有效基區(qū)Wb變窄，α pnp也增大。當(dāng)α npn+α pnp1時(shí)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)鎖定而燒毀。因此直角安全區(qū)是IGBT可靠性的重要標(biāo)志。由圖2可見(jiàn)NPT型IGBT具有直角SOA，而PT型IGBT是梯形安全工作區(qū)。這說(shuō)明PT型IGBT在額定電壓下關(guān)斷的箝位電感電流Ilm比NPT型IGBT要小。其抗高壓大電流沖擊能力和短路能力都不如NPT型IGBT。

對(duì)于SSOA的關(guān)斷失效機(jī)理和RBSOA的失效是相同的。

對(duì)于FBSOA、SCSOA和SSOA的開(kāi)啟狀態(tài)，三者都工作在有源區(qū)的高壓大電流狀態(tài)，因?yàn)樘幱谡查g電流為DC額定電流的2-10倍。IGBT中寄生的NPN管和PNP管的α npn和α pnp均隨工作電流的增加而增大。當(dāng)α npn+αpnp1時(shí)出現(xiàn)靜態(tài)鎖定燒毀。

（2）SCSOA的失效：由于短路電流ISC可能高達(dá)10倍于直流額定電流，在短路時(shí)間TSC內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱過(guò)量，來(lái)不及消散而產(chǎn)生熱燒毀。

例如：100A 1200V的NPN型IGBT，當(dāng)TSC=10μs時(shí)產(chǎn)生的能量：

ESC=Vce·Ic·Tsc=12焦耳。

該能量產(chǎn)生在P阱PN結(jié)耗盡層X(jué) m中，耗盡層中的電場(chǎng)ε=1200V/Xm。這時(shí)，Xm （1200V）約為200μm，所以ε=6×104V/cm。定義εm≥3×104V/cm為強(qiáng)電場(chǎng)，現(xiàn)在，ε>εm電子在強(qiáng)電場(chǎng)下的漂移速度達(dá)到飽和。飽和的原因是強(qiáng)電場(chǎng)下光學(xué)波聲子散射，通過(guò)光學(xué)波聲子散射將外電場(chǎng)的能量傳遞給遭散射的晶格。量子物理提出一個(gè)基本事實(shí)：“盡管在固體里面電子是在密集的原子之間高速運(yùn)動(dòng)，只要這些原子按嚴(yán)格的周期性排列，電子的高速運(yùn)動(dòng)并不遭受散射”。Si單晶片和外延片中的缺陷就是晶格周期排列的破壞。缺陷密度大的部位散射截面就大，這時(shí)，從外電場(chǎng)接受的能量就多，該部位晶格振動(dòng)就劇烈，使晶格溫度t1升高。當(dāng)t1大于硅的熔點(diǎn)(1415℃)時(shí)，出現(xiàn)Si熔洞而燒毀。這就是為什么燒毀的器件解剖后均發(fā)現(xiàn)Si熔洞的原因。這里我們從超出SCSOA的應(yīng)用為例對(duì)燒毀機(jī)理做了上述分析。對(duì)于超出SCSOA的應(yīng)用為例對(duì)燒毀機(jī)理做了上述分析。對(duì)于超出FBSOA、SSOA和RBSOA一樣，只要偏置電壓和偏置電壓對(duì)應(yīng)的耗盡層寬度Xm之比大于3×104V/cm，均可能產(chǎn)生上述燒毀。

解剖發(fā)現(xiàn)Si熔洞的面積A si約100μm2~1mm2。晶格溫度為：

T1=Ic·Vce·Tsc/Dsi ·Csii·Asi·X m       （1）

式中Dsi和Csi分別為Si比重和熱比。Csi=0.7焦耳/克℃，Dsi=2.328克/cm3。我們假設(shè)在10μs的短路時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生能量的10%讓強(qiáng)散射區(qū)吸收，并取Asi=1mm2，將相關(guān)數(shù)據(jù)代入（1）式得：t1=3600℃。該溫度已大大超過(guò)Si的熔點(diǎn)1415℃，難怪燒毀后的Si片出現(xiàn)熔洞。

4、  短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)越大Tsc的關(guān)系

圖5表示Tsc ~Vce (on)的關(guān)系曲線，可見(jiàn)集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce（on）越大Tsc越長(zhǎng)。圖6表示Vg和Isc、Tssc的關(guān)系，由圖6可見(jiàn)隨著Vg的增加Tsc下降而Isc上升。

從目前IGBT生產(chǎn)中所用Si材料來(lái)講，有外延材料和高阻單晶材料兩種。用外延材料生產(chǎn)的IGBT在高壓擊穿時(shí)耗盡層穿通高阻移區(qū)而稱(chēng)為PT—IGBT。用高阻單晶片生產(chǎn)的IGBT，由于高阻漂移區(qū)較厚，高壓擊穿時(shí)不被穿通而稱(chēng)為NPT—IGBT。從溝道來(lái)分有平面柵和溝槽兩類(lèi)。PT-IGBT又分為PT、SPT（軟穿通）和FS（場(chǎng)中止）IGBT。PT、SPT和FS-IGBT都有緩沖層，F(xiàn)S實(shí)際也是緩沖層，其結(jié)內(nèi)電場(chǎng)為梯形分布。PT、SPT和FSIGBT可以做成平面柵，也可以做成溝槽柵。溝槽柵具有更低的導(dǎo)通壓降Vce(on)。外延PT—IGBT的最高擊穿電壓為1200V。1700V以上的IGBT多用于高阻單晶材料，其結(jié)構(gòu)為NPT結(jié)構(gòu)。NPT—IGBT可做成平面柵，也可做成溝槽柵。加緩沖層的NPT結(jié)構(gòu)又稱(chēng)FS—IGBT。

從短路能力來(lái)講，外延片產(chǎn)生的PT、SPT或FS—IGBT，手冊(cè)中均沒(méi)給出SCSOA。不能滿足Isc/Ic=103Vg≥15V，在額定電壓下Tsc達(dá)不到10μs。此結(jié)構(gòu)的IGBT的Vce(on)為負(fù)溫度系數(shù)，不適于并聯(lián)使用，適于開(kāi)關(guān)電源電路。不適于有短路要求的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路和電壓型逆變電路。用高阻單晶Si生產(chǎn)的NPN—IGBT和溝槽柵場(chǎng)終止IGBT都給出了短路額定值SCSOA。在Tsc≤10μs，NPT—IGBT在額定電壓下Isc/Ic=10，溝槽柵場(chǎng)終止IGBT Tsc≤10μs時(shí)，Isc/Ic=4。Tsc除了和結(jié)構(gòu)有關(guān)外，尚和IGBT自身的垮導(dǎo)gm以及使用的Vg有關(guān)。在Vg一定的情況下，Gm越大Isc越高而Tsc越短。在不影響導(dǎo)通損耗的情況下，適當(dāng)降低Vg使其不要進(jìn)入深飽和區(qū)，可降低Isc和增加Tsc。Tsc越長(zhǎng)過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)越容易滿足。

5、  幾個(gè)問(wèn)題的討論

5.1 如何評(píng)價(jià)IGBT的短路能力

短路安全工作區(qū)實(shí)際是脈沖寬度為T(mén)sc的單脈沖工作狀態(tài)。單脈沖下的耗散功率為

     Psc= t j –t c/Z th  (T sc)            （2）
  式中t j和t c分別為結(jié)溫和殼溫，Z th  (T sc)為脈寬下Tsc的單脈沖瞬態(tài)熱阻。短路時(shí)：

     Psc = Vce·Isc   代入（2）式得

     Isc = t j –t c/Z th  (T sc)·Vce      （3）

   或  Z th  (T sc) = t j –t c/Vce ·Isc    （4）

圖7是100A/1200V NPT—IGBT的瞬態(tài)熱阻曲線。

當(dāng)已知Tsc時(shí)，可求出脈寬為T(mén)sc時(shí)的Z thjc。這時(shí)，t j應(yīng)為150℃，t c=80℃，代入（3）式可求短路時(shí)間下的。由（4）式可求出Vce和Ise下的Z th  (T sc)。由可用圖7查找脈動(dòng)沖寬度Tsc。

例如：Tsc=10μ，Vce=1200V，t j =150℃和t c =80℃時(shí)求可承受的短路Ise。由圖7可查得Tsc=10μs時(shí)Z th  (T sc)=2.3×10-4℃/W，代入（3）得：Ise=253.6A。若Ise=1000A，Vce=1200V代入<4>式求出Z th  (T sc)=5.83×10-5℃/W，由圖7可知Tsc<10μs。

5.2Vce(on)越高越長(zhǎng)的討論

    NTP-IGBT的Vce(on)大于PT-IGBT的Vce(on)。在額定電壓和電流相同情況下，NPT-IGBT的Vce(on)大的原因主要其高阻漂移區(qū)W n寬，在額定電壓下對(duì)應(yīng)的耗盡層寬度X m沒(méi)有完全穿透W n即W n>X m。尚存在一定厚度的高阻區(qū)所致。我們可以認(rèn)為IGBT的導(dǎo)通電阻Rce(on)= Vce(on)/Ic。在一定的Ic下Vce(on)越高Rce(on)越大。該電阻實(shí)際上是寄生PNP的管基區(qū)的縱向電阻，它對(duì)由PNP管發(fā)射區(qū)P+注入來(lái)的空穴電流起到均流作用，這樣流過(guò)強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)的空穴電流較均勻，使得整個(gè)空間電荷區(qū)內(nèi)功率密度均勻，減緩熱點(diǎn)的產(chǎn)生，從而延長(zhǎng)了短路時(shí)間Tsc。另外，當(dāng)出現(xiàn)過(guò)載或短路時(shí)劇增。在Rce(on)上的壓降增加。這時(shí)耗盡層X(jué) m中的電壓為Vce(on)—Ic ·Rce(on)。所以Rce(on)（Vce(on)）越大，X m中的電場(chǎng)子越弱T1也就越低，Tsc就越長(zhǎng)。

5.3為什么PT—IGBT不能用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路

PT—IGBT手冊(cè)中均沒(méi)有給出SCSOA。也不希望用在有短路出現(xiàn)的電路。正如前述PT—IGBT是用高阻厚外延Si片產(chǎn)生的。高阻厚外延是重?fù)诫sP+單晶片上，通過(guò)外延技術(shù)生長(zhǎng)N+和N-外延層。重?fù)诫sP+單晶片本身缺陷就較多，而外延生長(zhǎng)過(guò)程中又要引進(jìn)大量的層錯(cuò)、位錯(cuò)外延缺陷。所以PT—IGBT在高壓（強(qiáng)電場(chǎng)）大電流下工作，強(qiáng)散射區(qū)較多，容易產(chǎn)生發(fā)熱點(diǎn)，在較低能量狀態(tài)下則出現(xiàn)燒毀。這就是說(shuō)短路時(shí)間Tsc和IGBT生產(chǎn)材料、工藝及結(jié)構(gòu)有重大關(guān)系。

6 結(jié)語(yǔ)

    半導(dǎo)體器件失效機(jī)理是一個(gè)比較復(fù)雜的問(wèn)題，現(xiàn)在正處于認(rèn)識(shí)的不斷深化階段，本文提出強(qiáng)電場(chǎng)機(jī)理，僅供分析中參考。