第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。與硅(Silicon, Si)、GaAs等半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其中氮化物材料是第三代半導(dǎo)體材料中最引人矚目的材料,尤其是GaN(氮化鎵)基光電子器件在白光照明領(lǐng)域非常成功。然而藍(lán)光LED(發(fā)光二極管)的技術(shù)專利受制于歐美日等從事該行業(yè)較早的國家。因此處于發(fā)展初期的基于AlGaN(鋁鎵氮)材料的紫外LED成為突破專利壟斷的最佳領(lǐng)域。另外,紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢,擁有廣闊的應(yīng)用前景。 目前全球紫外光源市場規(guī)模約為4億2700萬美元,不過傳統(tǒng)紫外汞燈仍然占據(jù)市場主導(dǎo)地位。和汞燈相比,近年發(fā)展迅速的紫外光LED光源,被公認(rèn)具有8大優(yōu)勢。一是體積小,在便攜式、高集成度產(chǎn)品方面有巨大潛力。二是堅固耐用,LED比石英玻璃外殼的汞燈耐沖擊,不易發(fā)生破損。三是能源效率高,與汞燈相比,紫外光LED能量消耗最多可以低70%。四是環(huán)保,紫外LED不含有害物質(zhì)汞,通過ROHS認(rèn)證。五是工作電壓低,紫外LED工作電壓僅3-5伏左右,和高壓汞燈相比,既提高了安全性,也降低了驅(qū)動電路成本。六是功率更易調(diào)節(jié)。七是散熱系統(tǒng)要求低,進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。八是光學(xué)系統(tǒng)簡單,更符合實(shí)際應(yīng)用需要,紫外LED不需要外加透鏡就能得到緊湊的光束角和均勻的光束圖,從而降低成本,增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。正因?yàn)檫@些優(yōu)勢,紫外LED技術(shù)正在成為固態(tài)紫外光源行業(yè)極具吸引力的選擇方案。 同時,與傳統(tǒng)紫外光源汞蒸汽燈、準(zhǔn)分子激光器相比,固態(tài)紫外光源具有小巧便攜、綠色環(huán)保、波長易調(diào)諧、電壓低、功耗小、可集成等諸多優(yōu)點(diǎn),隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,必將成為未來紫外光源的主流。在信息光存儲中,數(shù)據(jù)密度由讀寫的光源波長決定。深紫外激光二極管由于極短的波長,相比于基于藍(lán)光激光器的藍(lán)光存儲(blue-ray)技術(shù),有望可將信息容量提升數(shù)十倍。在生化分析中,大多數(shù)生物分子含有的化學(xué)鍵在紫外光波段(270-350nm )有很強(qiáng)的光學(xué)共振,小型高效的紫外光源可以為生物探測和光電子學(xué)之間提供橋梁,使生物光子學(xué)的應(yīng)用成為可能,例如基于熒光的bioagent識別等;光學(xué)檢測也是研究蛋白質(zhì)結(jié)構(gòu)極為有效的方法,光學(xué)激發(fā)色氨酸和酪氨酸這兩種極為重要的氨基酸需要275 nm 紫外光源。深紫外LED 是理想的新一代光源,市場潛力巨大,同時對智能制造和提升人民生活品質(zhì)也將起到重要作用。 為了加快國內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的發(fā)展,國家科技部實(shí)施了重點(diǎn)研發(fā)計劃專項,開展第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究工作。該項目由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭,集結(jié)了國內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源領(lǐng)域的優(yōu)勢研究院所、高校及行業(yè)龍頭和應(yīng)用企業(yè),集中專業(yè)技術(shù)力量對固態(tài)紫外光源進(jìn)行技術(shù)攻關(guān),以期在5-10年內(nèi)追趕國際先進(jìn)水平,同時盡快實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的市場化應(yīng)用,以市場促發(fā)展,帶動國內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 中科院半導(dǎo)體所是國內(nèi)最早開展氮化物材料研究的單位之一,承擔(dān)并出色完成了多項國家重大研究任務(wù)。項目負(fù)責(zé)人“十一五”期間承擔(dān)國家 863 前沿探索類課題“紫外 LED 用AlGaN材料生長研究”,實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)首個波長短于 300nm 的深紫外 LED 器件毫瓦級光功率輸出,研究成果成為“十一五”863 計劃新材料領(lǐng)域研究亮點(diǎn),并獲得“十一五”二期國家專項的進(jìn)一步支持,承擔(dān) 863 課題“深紫外 LED 制備和應(yīng)用技術(shù)研究”,在基于AlN模板的 MOCVD 外延技術(shù)等方面取得了一系列成果,將深紫外 LED 性能提升近一倍。“十二五”承擔(dān)國家 863 課題“深紫外 LED 外延生長及應(yīng)用技術(shù)研究”,成果經(jīng)專家組鑒定達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。目前承擔(dān) 863 課題“高鋁組分氮化物材料制備技術(shù)研究”,國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)室溫近紫外 377nm 和深紫外 288nm 半導(dǎo)體激光器光泵浦激射。 本項目與以前的深紫外 LED 研究課題一脈相承,并由前期的前沿技術(shù)探索階段轉(zhuǎn)向共性關(guān)鍵技術(shù)突破階段。半導(dǎo)體所材料和器件綜合指標(biāo)一直保持國內(nèi)最好水平,高 Al組分材料質(zhì)量位于國際最好水平;研發(fā)出國內(nèi)第一支深紫外毫瓦級 LED 并始終保持效率領(lǐng)先;國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了GaN基藍(lán)光激光器,首次實(shí)現(xiàn)室溫近紫外 377nm 和深紫外 288nm的激光器光泵浦激射,保持著紫光激光器的領(lǐng)先優(yōu)勢;相關(guān)成果獲得“國家技術(shù)發(fā)明二等獎”1 項,“國家科技進(jìn)步二等獎”1 項,“北京市科技進(jìn)步一等獎”1 項。為項目的順利實(shí)施提供了堅實(shí)的技術(shù)保障。 研究機(jī)構(gòu)Yole Development于2015年2月發(fā)布了最新的市場研究報告,市場在2015年之后將打破平靜開始加速增長,在2018年將出現(xiàn)跨越式地增長,同時該機(jī)構(gòu)認(rèn)為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)第一輪增長的主要因素是始于2012年的光固化應(yīng)用,UV-LED取代汞燈的大趨勢是這一輪增長的主要動力,而殺菌消毒及凈化領(lǐng)域的應(yīng)用將成為產(chǎn)業(yè)增長的第二輪驅(qū)動力,這一輪增長將從2017年開始。在不遠(yuǎn)的將來,光催化、殺菌消毒都有可能成長為數(shù)百億級的市場,而用于治療皮膚病的光療則可能讓UV-LED的應(yīng)用系統(tǒng)成為千億級的市場。 結(jié)合國際上半導(dǎo)體紫外固態(tài)光源研究的主要發(fā)展趨勢,通過本項目的實(shí)施,依托我們的既有工作基礎(chǔ)和優(yōu)勢,系統(tǒng)開展AlGaN基深紫外LED結(jié)構(gòu)的外延生長、器件制備及封裝工藝的研究。本項目科學(xué)意義在于從國家經(jīng)濟(jì)、社會發(fā)展和國防安全對第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件的重大需求出發(fā),建立相關(guān)的高Al組分材料機(jī)理理論和原始技術(shù)創(chuàng)新體系,攻克一系列相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù),獲得高質(zhì)量材料,研制出高性能器件,開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品并開展應(yīng)用示范。同時培育和凝聚一支具有國際水平的研究隊伍,為 III 族氮化物半導(dǎo)體紫外LED在面向空氣和水凈化、其它殺菌領(lǐng)域等方面的重大應(yīng)用奠定重要的科學(xué)基礎(chǔ),并為國家安全和促進(jìn)相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。 具體來看,首先可以促進(jìn)國內(nèi)固態(tài)紫外光源制造裝備的發(fā)展。目前國內(nèi)外均沒有成熟的紫外光源制造的商業(yè)生長設(shè)備,可以說,大家處在同一個起跑線上,任何一個技術(shù)的突破都會帶來產(chǎn)業(yè)的巨大發(fā)展。通過發(fā)展高溫MOCVD裝備制造技術(shù),可以帶動國內(nèi)基礎(chǔ)制造業(yè)的發(fā)展。 其次可以促進(jìn)國內(nèi)材料、芯片等上游企業(yè)的發(fā)展。目前,藍(lán)光LED上游企業(yè)已處于飽和狀態(tài),通過紫外光源的發(fā)展,可以促進(jìn)上游LED企業(yè)的轉(zhuǎn)型和升級,帶動國內(nèi)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 最后通過應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā),可以促進(jìn)國內(nèi)封裝、應(yīng)用等下游應(yīng)用企業(yè)的發(fā)展。利用紫外LED的殺菌功效,就可以在白色家電產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用,例如冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)、空氣凈化器、飲水機(jī)等等都會采用紫外LED來殺菌消毒,這些產(chǎn)品中的殺菌功能將會成為產(chǎn)品的標(biāo)配功能。僅中國的冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)、空氣凈化器、飲水機(jī)等產(chǎn)品,每種產(chǎn)品每年的產(chǎn)銷量就達(dá)到幾千萬、甚至上億臺。據(jù)統(tǒng)計,2013年我國冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、空氣凈化器、飲水機(jī)的總產(chǎn)量為30,486萬臺。如果在這些產(chǎn)品中都使用紫外LED燈進(jìn)行殺菌消毒,將會是一個廣闊的應(yīng)用市場,這些原有市場的替代和新市場應(yīng)用的產(chǎn)生必將極大提高人民的生活水平,為任何時候任何地點(diǎn)提供清潔的空氣,清潔的水,改善生活環(huán)境讓更多的人享有健康。同時LED的長產(chǎn)業(yè)鏈和人才技術(shù)密集特點(diǎn)也將產(chǎn)生成千上萬的就業(yè)機(jī)會,對社會產(chǎn)生積極影響,獲得良好的社會效益。 “第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”重點(diǎn)研發(fā)計劃專項的實(shí)施,是國家科技體制改革的重要變化之一,通過集中國內(nèi)最優(yōu)勢的團(tuán)隊進(jìn)行技術(shù)攻關(guān),重點(diǎn)突出,以點(diǎn)帶面,全面促進(jìn)國內(nèi)科技創(chuàng)新和技術(shù)突破。
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報告指出,2015與2016年發(fā)生的大規(guī)模并購(M&A)活動已經(jīng)改變了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局,大型廠商在市場占據(jù)的比例越來越大。 IC Insights預(yù)測,全球排名前五大的半導(dǎo)體供貨商英特爾(Intel)、三星(Samsung)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)與SK海力士(Hymox),在2016年的全球市占率總和將達(dá)到41%;該數(shù)字比十年前的32%增加了9個百分點(diǎn)。 此外估計2016年全球前十大半導(dǎo)體供貨商的市占率總和56%,較2006年的45%增加了11%;至于全球前二十五大半導(dǎo)體供貨商今年的全球市占率總和則超過四分之三的市場。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼2015年發(fā)生史上規(guī)模最大的M&A風(fēng)潮之后,2016上半年稍微平息;不過2016年預(yù)期將會是IC產(chǎn)業(yè)M&A規(guī)模第二大的年份,因?yàn)榻刂恋谌居腥龢犊偨痤~達(dá)510億美元的收購案發(fā)生,包括軟銀(Softbank)收購ARM、ADI宣布收購凌力爾特(Linear),以及瑞薩(Renesas)收購Intersil。 隨著接下來幾年產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮持續(xù)延燒,IC Insights預(yù)期大型半導(dǎo)體廠商在全球市場占據(jù)的比例將持續(xù)增加,甚至將邁向新高水平。
臺積電前營運(yùn)長蔣尚義近日表示,他出任中芯國際獨(dú)立董事后,不會倍增中芯的實(shí)力,他也沒這么大的本事。 大陸晶圓代工廠中芯國際于2016年12月21日證實(shí),蔣尚義出任中芯獨(dú)董,震撼半導(dǎo)體業(yè)界。中芯強(qiáng)調(diào),蔣尚義并未在中芯擔(dān)任任何職位,也未在公司其它成員公司擔(dān)任任何職位,單純只是出任中芯董事會的獨(dú)立董事。 臺積電曾對此表示,蔣尚義前往中芯擔(dān)任獨(dú)董,事先有告知董事長張忠謀。 蔣尚義接受中央社記者訪問時表示,雖然中芯為中國最大晶圓代工廠,但與臺積電無論在技術(shù)、公司規(guī)模及業(yè)績的差距都不小,目前中芯營業(yè)額約為臺積電的1/10, 獲利則連1/10都不到,技術(shù)落后二代。 蔣尚義強(qiáng)調(diào),2家公司的差距不會因他一年參加4次董事會就可以立刻縮短。他笑著說:“大家太看得起我了,我本事沒那么大。” 蔣尚義也指出,他絕對不會做傷害臺積電的事。在與中芯的合約中明白指出,獨(dú)董不能參與公司經(jīng)營,也不能擔(dān)任公司顧問,對他這樣退休的人是一個很合適的工作。
高通26日發(fā)布2017最新財報顯示季度營收符合分析師的預(yù)期,3G和4G裝置增長8%,使專利授權(quán)飛速增長。但高通在獲利部分低于預(yù)期,高通財務(wù)長GeorgeDavis告訴外國媒體CNBC:中國業(yè)務(wù)疲軟,特別是晶片部門。高通第一季度每股利益(EPS)為1.19美元。季獲利來到59.9億美元,相較于去年同期美股利益97分美元,以及58億美元的獲利。 其中一個中國客戶和高通發(fā)生信用問題,高通財務(wù)長稱,不確定中國的疲軟是否是淡季造成。 有分析師表示并不認(rèn)為是淡季問題,而是因?yàn)橹袊謾C(jī)市場表現(xiàn)不優(yōu)異,才是沖擊高通的原因。預(yù)期由華為和OPPO主導(dǎo)市占率的情況下,產(chǎn)業(yè)其他從業(yè)者也能感受到手機(jī)市場的低迷。 還有分析師評論,近期的訴訟比預(yù)期來得強(qiáng)烈和廣泛??紤]到近期與QTL的爭議,他相信能合理推測美國、歐洲、亞洲的監(jiān)管機(jī)構(gòu)將花費(fèi)更多的時間來核準(zhǔn)恩智普的交易。 至于高通并購恩智普半導(dǎo)體,高通表示將預(yù)期在2017年底結(jié)算。 2017年CES展會上,史蒂夫·莫倫科夫(Steve Mollenkopf)展示了高通的最新處理器龍驍龍835,將搭配在三星Galaxy S7 edge,黑莓安卓裝置,和Google Pixel中。高通推出新的5G芯片預(yù)期將推進(jìn)產(chǎn)業(yè)包括虛擬現(xiàn)實(shí)、串流視頻、無人機(jī)和物連網(wǎng)。 北京時間近日消息,高通今天發(fā)布了2017財年第一財季財報。報告顯示,高通第一財季凈利潤為7億美元,比去年同期的15億美元下滑54%;營收為60億美元,比去年同期的58億美元增長4%。高通第一財季業(yè)績超出華爾街分析師預(yù)期,對第二財季業(yè)績的展望也同樣超出預(yù)期,但其盤后股價仍下跌逾2%。
中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積極,近期產(chǎn)能大開、擴(kuò)廠消息頻繁,先前國際半導(dǎo)體協(xié)會(SEMI)預(yù)估,未來兩年新建的 19 座晶圓廠有 10 座就建于中國,今 14 日 SEMI 再發(fā)布最新報告,預(yù)測至 2020 未來四年間將有 62 座晶圓廠,而中國大陸地區(qū)就將占 26 座,半導(dǎo)體設(shè)備市場也有望迎來大好年。 據(jù)國際半導(dǎo)體協(xié)會(SEMI)最新數(shù)據(jù),預(yù)估 2017 年到 2020 年未來四年將有 62 座新晶圓廠投產(chǎn),其中將有四成晶圓廠共 26 座新晶圓廠座落中國,美國將有 10 座位居第二,中國臺灣地區(qū)估計也會有 9 座。SEMI 估計,新晶圓廠中將有 32% 用于晶圓制造、21% 生產(chǎn)內(nèi)存、11% 與 LED、MEMS、光學(xué)、邏輯與模擬芯片等相關(guān)。 而全球半導(dǎo)體設(shè)備市場也有望蓬勃發(fā)展,據(jù) SEMI 日本估計,全球半導(dǎo)體設(shè)備市場今年將達(dá)到 397 億美元,較去年同期成長 8.7%,其中占比最高的晶圓加工設(shè)備 2016 年產(chǎn)值將達(dá) 312 億美元,年成長約 8.2%,封測設(shè)備市場產(chǎn)值約 29 億美元,也有 14.6% 的成長,半導(dǎo)體測試設(shè)備產(chǎn)值則在 39 億美元,年成長約 16%。 SEMI 也預(yù)測至 2017 年總體產(chǎn)值將進(jìn)一步成長至 434 億美元,年成長率約 9.3%。 中國臺灣地區(qū)與韓國同樣為半導(dǎo)體設(shè)備支出最主要區(qū)域,值得關(guān)注的是,2016 年中國大陸擠下日本,首次成為半導(dǎo)體設(shè)備支出第三大區(qū)域。SEMI 預(yù)期,2017 年半導(dǎo)體設(shè)備銷售成長力道主要在歐洲,估計銷售額將有 51.7% 的成長,來到 280 億美元。而中國臺灣地區(qū)、韓國、中國大陸同樣將為半導(dǎo)體設(shè)備支出最多的區(qū)域。
Gartner日前發(fā)布最新預(yù)估報告指出,經(jīng)過2015、2016年的小低潮后,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在2017年再度出現(xiàn)高達(dá)7.2%的成長,總市場規(guī)??赏_(dá)到3,641億美元。 依應(yīng)用領(lǐng)域別來看,汽車電子、工業(yè)與儲存是三個最值得關(guān)注的市場;這三個市場雖然目前規(guī)模不大,但成長速度卻非常快速。 至于半導(dǎo)體傳統(tǒng)上最主要的應(yīng)用出???-PC及智能型手機(jī),則仍將維持緩慢成長的格局。
美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)宣布即將退休,美光宣布董事會已組成監(jiān)督接班程序的特別委員會,并且在高管搜尋咨詢公司的協(xié)助下尋找與審查適合人選。 美光合并華亞科后,臺灣部分也在新年度展開高層人事調(diào)整,原華亞科總經(jīng)理牟瑞德在春節(jié)后轉(zhuǎn)調(diào)日本,另調(diào)派一位新加坡籍華人來臺接任。 外界關(guān)注美光是否會啟動收購東芝半導(dǎo)體部門及出售編碼型閃存(NOR Flash)事業(yè),以及是否重啟和大陸的內(nèi)存合作。 美光表示,董事會還未針對鄧肯退休有明確時間表,但強(qiáng)調(diào)會慎重對候選人進(jìn)行審查,為美光開創(chuàng)美好未來。 在未找到人選接棒前,鄧肯仍將以執(zhí)行長身分帶領(lǐng)美光,并協(xié)助尋找接替人選和后續(xù)的交棒事宜。 據(jù)了解,鄧肯在完成收購華亞科后,仍計劃出售旗下的編碼型內(nèi)存事業(yè),專注沖刺儲存型閃存(NAND Flash)及在臺灣擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能和后段先進(jìn)3D DRAM事業(yè),并暫時停止和大陸的內(nèi)存合作事宜。 未來鄧肯退休后,相關(guān)后續(xù)計劃進(jìn)度,將備受關(guān)注。 尤其近期東芝計劃出售最賺錢的閃存事業(yè),據(jù)傳美光也有興趣收購。 鄧肯宣布將退休的消息,并未對美光股價帶來重大沖擊,美光上周五股價一度沖上廿五點(diǎn)二五美元,創(chuàng)二年半來新高,最后收廿四點(diǎn)六美元,小跌百分之零點(diǎn)七七。
日本東芝公司計劃通過發(fā)行優(yōu)先股的方式,融資27億美元,擺脫美國核電資產(chǎn)減記帶來的危機(jī)。 之前,東芝已經(jīng)決定將其優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)閃存業(yè)務(wù)分拆為獨(dú)立公司。東芝將利用這家公司發(fā)行不具有投票權(quán)的優(yōu)先股,總額為3000億日元,相當(dāng)于26.6億美元。 據(jù)報道,東芝公司目前已經(jīng)陷入困境,如果利用母公司發(fā)行股權(quán),預(yù)期沒有外部公司有興趣購買。 之前,東芝公司旗下的美國核電業(yè)務(wù)出現(xiàn)了資產(chǎn)高估問題,將面臨幾十億美元的重大資產(chǎn)減記,具體金額將會在二月份出臺。為了避免陷入資不抵債,東芝急需要引入外部資金。 據(jù)悉,愿意入股東芝閃存公司的外部企業(yè)包括日本佳能公司,西部數(shù)據(jù)公司。 東芝閃存業(yè)務(wù)僅次于三星電子,是全球第二大閃存芯片制造商。
1.臺積電接班人選 引發(fā)市場聯(lián)想; 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會將在下月底改選理監(jiān)事,臺積電董事長張忠謀欽點(diǎn),現(xiàn)任臺積電共同執(zhí)行長魏哲家出任下屆理事長。 由于張年假期間在家中不慎跌倒,引起各界關(guān)注其健康及后續(xù)接班規(guī)劃,此安排是否為接班鋪路,引發(fā)聯(lián)想。 臺積電內(nèi)部證實(shí),魏哲家將任角逐下屆理事長改選,但不對相關(guān)布局做進(jìn)一步評論。 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會成立于1996年,是一個以「關(guān)心產(chǎn)業(yè)發(fā)展」為出發(fā)點(diǎn)的民間團(tuán)體,希望透過協(xié)會的活動凝聚業(yè)界對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共識,以促成競爭中的合作,促進(jìn)整體產(chǎn)業(yè)的健全發(fā)展。 魏哲家 張忠謀目前是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的名譽(yù)理事長,但據(jù)了解,由于他在臺灣、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都執(zhí)牛耳,因此近年來歷任理事長人選,幾乎都要他點(diǎn)頭。 在張忠謀后接任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長的人選,包括現(xiàn)任力晶集團(tuán)執(zhí)行長黃崇仁、前臺積電總經(jīng)理蔡力行、鈺創(chuàng)科技董事長盧超群等。 由于盧超群任期將于下月底屆滿,消息人士透露,張已欽點(diǎn)魏哲家出任下屆理事長,也是經(jīng)過七年后,臺積電決定再派核心決策人士出任理事長,代表臺灣半導(dǎo)體業(yè)界與政府,甚至和快速崛起的中國大陸展開對話。 根據(jù)臺灣半導(dǎo)體協(xié)會官網(wǎng),魏哲家已是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會現(xiàn)任常務(wù)理事,且又獲張忠謀欽點(diǎn),加上臺積電是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍點(diǎn),預(yù)料魏哲家角逐下屆理事長,可望順利當(dāng)選。 至于張忠謀欽點(diǎn)魏哲家出任下屆臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長,是否為他未來的接班鋪路,也引發(fā)聯(lián)想。 張忠謀年假期間在家中不慎絆倒,顏面有小擦傷,引起各界驚恐,密切關(guān)注張忠謀的健康及后續(xù)接班規(guī)劃,張此刻拋出欽點(diǎn)魏哲家接掌帶領(lǐng)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大旗,也被外界視為一種風(fēng)向球。 不過,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士分析,臺積電近來大舉在臺灣擴(kuò)充,都需要政府的協(xié)助和幫忙,必須借重協(xié)會的角色,做為發(fā)話的窗口,而魏哲家做事沉穩(wěn),善于溝通,是張推他上陣的關(guān)鍵,至于接棒臺積電,恐還為時過早。 2.誰是臺積電接班人? 魏哲家劉德音 各擅勝場; 被視為臺積電接班人選之一的臺積電共同執(zhí)行長魏哲家,個性爽朗,和另一個執(zhí)行長劉德音個性內(nèi)斂,是兩個完全不同性格。 臺積電董事長張忠謀上周主動露臉,直接打臉外傳他跌倒傷重的不實(shí)傳言,今日上班,外界更高度關(guān)切他的健康和未來的接班規(guī)劃。 觀察臺積電接班規(guī)劃的半導(dǎo)體界人士分析,張忠謀交棒給誰,還是讓外界霧里看花。 例如有關(guān)和政府打交道的公共事務(wù),大多委由魏哲家出面,但臺積電供貨商管理大會,卻多半是由劉德音出面。 在法說會時,張忠謀丟出由兩人回答問題時,也是劉德音針對未來前瞻規(guī)劃的多;魏哲家則回答臺積電目前現(xiàn)況的多。 某種程度也可看出在決策前瞻規(guī)劃,張忠謀認(rèn)為劉德音特質(zhì)勝于魏哲家。 不過,在出席SEMI舉辦的活動時,魏哲家多半出席在SEMI China的論壇,劉德音則擔(dān)任SEMI Taiwan的專題演講關(guān)鍵人物,讓外界摸不清何者才是張矚意的接班人。經(jīng)濟(jì)日報 3.臺灣半導(dǎo)體協(xié)會理事長 張忠謀欽點(diǎn)魏哲家; 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會下月底改選,臺積電董事長張忠謀欽點(diǎn)現(xiàn)任臺積電共同執(zhí)行長魏哲家出任下屆理事長,是否為接班鋪路,引發(fā)聯(lián)想。 張忠謀年假期間在家中不慎絆倒,眼睛附近擦傷,引起外界密切關(guān)注張忠謀的健康及后續(xù)接班規(guī)畫,張忠謀今天恢復(fù)上班,此刻拋出欽點(diǎn)魏哲家接掌帶領(lǐng)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大旗,被外界視為一種風(fēng)向球。 臺積電內(nèi)部證實(shí)魏哲家將任角逐下屆理事長改選,但不對相關(guān)布局做進(jìn)一步評論。 現(xiàn)任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長由鈺創(chuàng)科技董事長盧超群出任,他的任期下月底屆滿。 消息人士透露,張忠謀欽點(diǎn)魏哲家出任下屆理事長,也是經(jīng)過七年后,臺積電再派核心決策人士出任理事長,代表臺灣半導(dǎo)體業(yè)界與政府,甚至和快速崛起的中國大陸展開對話。 張忠謀現(xiàn)任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會名譽(yù)理事長,據(jù)了解,張在臺灣、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都執(zhí)牛耳,近年來歷任理事長人選,幾乎都需張點(diǎn)頭。 魏哲家現(xiàn)任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會現(xiàn)任常務(wù)理事,又獲張忠謀欽點(diǎn),加上臺積電是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍頭,預(yù)料魏哲家可望順利當(dāng)選下屆理事長。 魏哲家個性爽朗,臺積電另一位共同執(zhí)行長劉德音個性內(nèi)斂,兩人風(fēng)格完全不同。 張忠謀先前在臺積電運(yùn)動會和媒體侃侃而談,已不再堅持十年交棒計劃,也贊賞兩位接班人在管理臺積電表現(xiàn)大有進(jìn)步,是他首度釋出可能會提早交棒的訊息。 觀察臺積電接班規(guī)畫的半導(dǎo)體界人士分析,張忠謀交棒給誰,還是讓外界霧里看花。 例如有關(guān)和政府打交道的公共事務(wù)大多由魏哲家出面,但臺積電供貨商管理大會卻多半是劉德音出面。 在法說會時,也是劉德音針對未來前瞻規(guī)畫的多,魏哲家回答臺積電目前現(xiàn)況的多。 某種程度可看出在決策前瞻規(guī)畫,張忠謀認(rèn)為劉德音特質(zhì)勝于魏哲家。 產(chǎn)業(yè)人士指出,臺積電近來大舉在臺灣擴(kuò)充,包括后續(xù)的五奈米和三奈米投資案,都需要政府的協(xié)助,加上大陸快速崛起,若直接由臺積電和兩邊政府直接對話,可能會引發(fā)相關(guān)后遺癥,必須借重協(xié)會的角色,做為對話窗口。 魏哲家做事沈穩(wěn),為人風(fēng)趣,善于溝通,是張忠謀推他上陣的關(guān)鍵;至于接棒臺積電,恐還為時過早。 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會一九九六年成立,是一個以「關(guān)心產(chǎn)業(yè)發(fā)展」為出發(fā)點(diǎn)的民間團(tuán)體,希望透過協(xié)會的活動凝聚業(yè)界對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共識,以促成競爭中的合作,促進(jìn)整體產(chǎn)業(yè)的健全發(fā)展。
據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner最新研究結(jié)果,中國國有企業(yè)將成為全球最活躍的投資者,竭力在增長緩慢的半導(dǎo)體市場內(nèi)躋身為世界級廠商。因此,各半導(dǎo)體企業(yè)技術(shù)業(yè)務(wù)部的領(lǐng)導(dǎo)者們應(yīng)針對未來在華業(yè)務(wù)制訂新計劃。 Gartner對于半導(dǎo)體投資市場的預(yù)測具體如下: 1000多億美元的投資將令中國本土半導(dǎo)體企業(yè)的營收到2025年提升3倍 中國政府擁有強(qiáng)大的力量,以引導(dǎo)國內(nèi)資本重點(diǎn)流向由國有或國家持股公司所運(yùn)營的特定行業(yè)。對于需大規(guī)模投資的行業(yè)(如:LCD面板、高速鐵路、太陽能和LED市場),中國政府的指導(dǎo)模式一直卓有成效。為了實(shí)現(xiàn)指導(dǎo)方針中的既定目標(biāo),國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(CICIIF)的首輪基金約為200億美元,但據(jù)市場估算,當(dāng)?shù)卣c國有企業(yè)的投資總額將首輪超過1000億美元。截至2016年9月,在CICIIF批準(zhǔn)的100億美元基金中,約60%投向芯片制造,27%投向芯片設(shè)計,8%投向封裝與測試,3%投向設(shè)備,物料投資則占比為2%。 在此輪投資中,半導(dǎo)體設(shè)備提供商將會看到中國市場對于新的晶圓加工廠需求不斷增加。我們認(rèn)為大部分晶圓加工廠將于2020年之前正式投產(chǎn)。雖然大部分廠家的工藝無法在近期內(nèi)達(dá)到世界領(lǐng)先水平,但12英寸與8英寸晶圓廠的新增產(chǎn)能將在2020年之前對現(xiàn)有的晶圓代工廠市場造成一定影響。截至2025年的第二輪投資將基于市場的成功經(jīng)驗(yàn)重點(diǎn)注入更加先進(jìn)的技術(shù)工藝。 為了實(shí)現(xiàn)2025年甚至2030年的宏偉目標(biāo),對半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行大規(guī)模投資應(yīng)是中國政策的一貫戰(zhàn)略。在中國企業(yè)有能力提供設(shè)備、服務(wù)或工業(yè)生產(chǎn)之前,上游供應(yīng)鏈的供應(yīng)商們將是主要的受益者。 中國晶圓代工廠未來5年將總體實(shí)現(xiàn)最低20%的年度收入增長 隨著中國基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)在過去10年內(nèi)得到顯著改進(jìn)(或升級),中國無廠半導(dǎo)體企業(yè)的收入在過去幾年內(nèi)每年增長20%。而這一趨勢將延續(xù)下去,使得未來5年內(nèi)中國代工廠對于晶圓的采購量增加20%。 由于中國政府大力扶持半導(dǎo)體行業(yè),全球半導(dǎo)體公司都主動將各自的中國戰(zhàn)略確定為與中國廠商開展協(xié)作,以免被排除在外。未來5年內(nèi),一些國際化無廠半導(dǎo)體企業(yè)可能將多達(dá)50%的晶圓采購需求轉(zhuǎn)向中國代工廠。 在過去兩年間,中國代工廠在開發(fā)與量產(chǎn)28納米(nm)邏輯電路工藝方面一直進(jìn)展緩慢,而與此同時,其他領(lǐng)先的代工廠在2015年轉(zhuǎn)至14nm,并將于2017年開始10nm工藝的生產(chǎn)。未來5年內(nèi),中國代工廠將繼續(xù)與最領(lǐng)先的邏輯電路技術(shù)公司展開艱難競爭。強(qiáng)勁的收入增長將局限于不具有領(lǐng)先優(yōu)勢的工藝領(lǐng)域。 到2025年,30%面向本地PC和服務(wù)器的處理器將通過現(xiàn)有處理器廠商簽訂許可證協(xié)議的形式在中國境內(nèi)設(shè)計與制造 為了確保IT基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備自立自足,中國政府多年來一直投資開發(fā)不同架構(gòu)的高性能處理器——包括:x86、ARM、Power和Alpha——但依然難以使之商業(yè)化并推向主流市場。 通過合資與許可證授權(quán)的方式,中國企業(yè)可以獲得設(shè)計與生產(chǎn)先進(jìn)處理器的能力,而成熟的國際化企業(yè)也能確保在中國市場的商業(yè)機(jī)會。 中國本土晶圓加工廠計劃于2020年獲得14nm節(jié)點(diǎn)制造能力,到2030年達(dá)到世界領(lǐng)先水平,從而在國內(nèi)生產(chǎn)主流處理器。
根據(jù)Computer World報導(dǎo),英特爾今年底就將開始導(dǎo)入 7 納米晶圓制程,時間提前于臺積電與三星等競爭者,鞏固其半導(dǎo)體龍頭的位置。日前,英特爾在盈余電話會議上宣布,為了進(jìn)一步探索芯片生產(chǎn)工藝,公司將在今年建立一座 7nm 試驗(yàn)工廠。 臺積電與三星今年均在努力提高 10 納米制程良率,不過一般認(rèn)為 10 納米只是過渡,7 納米才是主戰(zhàn)場,包含 AMD、Nvidia 等大客戶此前均曾暗示跳過 10 納米、直接晉升 7 納米,而臺積電、三星還要等到 2018 年才會開始試產(chǎn) 7 納米制程。 英特爾擁有最先進(jìn)的晶圓廠,長久以來,英特爾一直都是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)頭羊,直至近幾年才被亞洲后輩超前,但無論如何姜還是老的辣,看來英特爾已準(zhǔn)備好搶回領(lǐng)先位置。 不過制程微縮越精細(xì)越難生產(chǎn),因此 7 納米初期的良率應(yīng)該不會太好,預(yù)料英特爾剛開始只會少批量試作樣本,借以了解制程瓶頸,并作為改進(jìn)良率的依據(jù)。英特爾目前也還沒公布 7 納米產(chǎn)品的時間表,實(shí)際量產(chǎn)還有待后續(xù)追蹤。 目前英特爾已經(jīng)不再憂慮于在每一代芯片當(dāng)中把晶體管數(shù)量翻倍了,他們現(xiàn)在對于摩爾定律的詮釋更符合每晶體管成本相關(guān)的經(jīng)濟(jì)學(xué),它可在產(chǎn)量提升之后降低。對于摩爾定律而言,這也是非常重要的一部分。 英特爾表示,他們將視圖憑借著7nm工藝回到2年生產(chǎn)周期,同時使用更智能的芯片設(shè)計。7nm工藝將為芯片帶來更大的設(shè)計變化,使其變得更小也更節(jié)能。英特爾計劃使用奇特的III-V材料(比如氮化鎵)來進(jìn)行芯片生產(chǎn),在提高性能速度的同時實(shí)現(xiàn)更長續(xù)航。
據(jù)共同社報道,處于重組期的東芝3日為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正式啟動了招標(biāo)程序。為獲得股份的首輪報價已進(jìn)入最后階段,由于出售的股份少于兩成,擬參與投標(biāo)陣營的部分企業(yè)出現(xiàn)觀望情緒,東芝能否如期推進(jìn)變得撲朔迷離。 東芝將拆分半導(dǎo)體主力產(chǎn)品“閃存”業(yè)務(wù)另外建立公司。19.9%的股份預(yù)計將賣出2000億至3000億日元(約合人民幣121億至182億元)。東芝的美國核電業(yè)務(wù)預(yù)計最大損失達(dá)7000億日元,此舉旨在避免陷入資不抵債的境地。 由于獲得不足兩成的股份幾乎無法參與經(jīng)營,除最初有意競標(biāo)的佳能表示暫不投資外,也有基金相關(guān)人士透露稱“條件太差”,可能還會讓東芝附上增加股份出讓等條件。 如果東芝在財年結(jié)束的3月底出現(xiàn)資不抵債,其股票將從東京證券交易所主板降至二板。拆分業(yè)務(wù)需要在3月下旬的臨時股東大會上獲得批準(zhǔn)。由于時間有限,緊張的協(xié)調(diào)工作或還將繼續(xù)。
每年的1月或2月,正是中國人歡慶春節(jié)的時候。而在大洋彼岸的美國,全球半導(dǎo)體人士也聚集加州舊金山,參加ISSCC(國際固態(tài)電路會議)。 今年2月5日--9日將在美國加州舊金山萬豪酒店召開。 1、什么是ISSCC? ISSCC(國際固態(tài)電路會議)是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫,是國際學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計領(lǐng)域最高級別會議,被認(rèn)為是集成電路設(shè)計領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會”。每年吸引了超過3000名來自世界各地工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的參加者。 ISSCC始于1954年,每年一屆,是由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(SSCS)主辦的最著名的半導(dǎo)體集成電路國際學(xué)術(shù)會議。ISSCC也是世界上規(guī)模最大、水平最高的固態(tài)電路國際會議,歷屆都有遍及世界各地的數(shù)千名學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界人士參加。 在ISSCC60年的歷史里,眾多集成電路歷史上里程碑式的發(fā)明都是在這上面上首次披露。比如世界上第一個TTL電路 (1962年),世界上第一個集成模擬放大器電路(1968年), 世界上第一個1kb的DRAM (1970年), 世界上第一個CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一個8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一個32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一個1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一個1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一個集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一個GHz的微處理器 (2002), 世界上第一個多核處理器 (2005年)等等。 2、ISSCC的起源 1954年首次會議的早期參與者屬于無線電工程師協(xié)會(IRE)電路理論小組和IRE晶體管電路委員會。會議在費(fèi)城舉行。后來在AIEE和IRE合并成為當(dāng)今的IEEE。 第一次會議包括六個組織的論文:Bell Telephone Laboratories, General Electric, RCA, Philco, Massachusetts Institute of Technology and the University of Pennsylvania。注冊費(fèi)為4美元(提前注冊為3美元),注冊的人數(shù)為601人。 1954年會議的名稱出現(xiàn)在各種出版物和文件中:“晶體管會議”,“晶體管電路會議”,“費(fèi)城會議”或“國家晶體管電路會議”。 1960年會議名稱固定為“國際固態(tài)電路會議”。 雖然ISSCC成立于費(fèi)城,在20世紀(jì)60年代中期,美國半導(dǎo)體開發(fā)中心向西移動。 1978年,該會議在紐約的替代海岸舉行,很快取代費(fèi)城。 1990年,舊金山成為會議的永久之家。 2011年,ISSCC的會期固定為五天。 3、ISSCC涉及的電路領(lǐng)域 近年來,ISSCC的論文涉及的集成電路領(lǐng)域包括九個Track: 模擬電路(傳統(tǒng)模擬電路、模擬電源管理); 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC/TDC); 數(shù)字架構(gòu)與系統(tǒng)(處理器、通信與多媒體電路、人工智能); 數(shù)字電路(時鐘、數(shù)字電源管理); IMMD(圖像、MEMS、生物醫(yī)學(xué)、顯示); 存儲器(存儲單元、控制器); 射頻與無線系統(tǒng)(收發(fā)機(jī)、毫米波、太赫茲); 有線通信(SerDes/2.5/3D互聯(lián)); 前沿工藝設(shè)計(非硅集成電路、量子、柔性材料)。 page 4、今年ISSCC的議程 最近幾年的ISSCC都是從周日開始,周四下午結(jié)束。今年同樣如此。 今年周日白天是課程和論壇,可以從10個課程中最多選擇4個(有四個時間點(diǎn)可選);或從2個全天的高級論壇中選擇1個。 晚上是有兩個活動,一個是以“智能機(jī)器”為主題的專題會議;一個是學(xué)生研究預(yù)覽(Student-Research Preview)。 周一上午是四個主題報告,分別是臺積電(TSMC)的研發(fā)副總裁Cliff Hou(《A Smart Design Paradigm for Smart Chips》,演講內(nèi)容是結(jié)合3D封裝和SoC技術(shù)的智能芯片設(shè)計新模式),德州儀器(TI)的首席技術(shù)官Ahmad Bahai (《Dynamics of Exponentials in Circuits and Systems》,演講主題是集成電路業(yè)的多維創(chuàng)新模式), 耶魯醫(yī)學(xué)院教授Jonathan Rothberg(《The Development of High-Speed DNA Sequencing: Jurassic Park, Neanderthal, Moore, and You》,演講主題是有關(guān)DNA測序)以及TU Delft的教授Lieven Vandersypen(《Quantum Computing-The Next Challenge in Circuit and System Design》,演講主題是關(guān)于量子計算)。 周一下午到周三下午,共計安排有28個Session 論文報告賣場。 周四安排有一個短期課程和4個專業(yè)論壇,要單獨(dú)付費(fèi)。 5、我國在ISSCC的入選論文情況 一般在學(xué)界,每年有穩(wěn)定的ISSCC paper發(fā)表可以很好地代表了一所學(xué)校、一個實(shí)驗(yàn)室或是一位教授在本領(lǐng)域所具有的世界級研究水平。 記得2014年清華大學(xué)微電子學(xué)研究所教授王志華說過,在ISSCC上發(fā)表論文,至少要滿足四個條件:一是設(shè)計的電路要最好或是首個設(shè)計電路;二是要從原理上說明為什么你提交的電路論文是最好的;三是設(shè)計的IC有什么功能,會產(chǎn)生什么樣的影響力;四是要經(jīng)流片驗(yàn)證確實(shí)可實(shí)現(xiàn)運(yùn)行。 由于受國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的限制,長期以來,ISSCC都與我們無緣,直到2005年,51歲的ISSCC才第一次聽到來自中國大陸的聲音。 我國自2005年在ISSCC上實(shí)現(xiàn)零的突破,至2017年,我國共有19篇論文入選,主要集中在模擬和處理器方面。 19篇論文中,清華大學(xué)6篇,復(fù)旦大學(xué)6篇,中科院3篇,產(chǎn)業(yè)界有4篇(3篇是外資公司撰寫)。 值得慶賀的是清華大學(xué)王志華教授和李宇根教授團(tuán)隊3年共入選5篇,2008年、2009年連續(xù)兩年入選,2014年更為驚人,一年3篇入選。 而復(fù)旦大學(xué)連續(xù)四年(2011、2012、2013、2014)都有論文入選。 圖: 我國從2005-2017年在ISSCC上發(fā)表的文章數(shù)變化(趙元闖整理制圖) 圖:2005-2017年我國在ISSCC發(fā)表的論文情況(趙元闖整理制圖) page 6、思考 我國在ISSCC上平均每年入選僅有1.5篇,其中16篇來自大學(xué)和研究所等學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu),我國產(chǎn)業(yè)界只有4篇入選(3篇為外資企業(yè)撰寫),2017年還依靠ADI北京公司論文才避免再次掛零的情況。我國本土產(chǎn)業(yè)界只有1篇文章在ISSCC發(fā)表,這說明我國產(chǎn)業(yè)界在原始創(chuàng)新方面,還有很長的路要走。 實(shí)際上不管是從投稿數(shù)還是入選數(shù)量上,我們都處于在很低的數(shù)量級上,表明在集成電路設(shè)計方面的水平和世界最頂尖水平還是存在明顯的差距。 針對國內(nèi)有網(wǎng)友評論說目前產(chǎn)業(yè)界不一定要在ISSCC上發(fā)表論文來證明自己,有業(yè)界專家表示,近年來,產(chǎn)業(yè)界在ISSCC上發(fā)表的論文數(shù)量數(shù)量有所下降,但仍占有每年一半的數(shù)量。一半被錄用的稿件來自產(chǎn)業(yè)界,很難下結(jié)論說這是或者不是一件好事。大多數(shù)企業(yè)對于技術(shù)研發(fā)和宣傳的態(tài)度,是以商業(yè)驅(qū)動為主導(dǎo),不排除部分企業(yè)借ISSCC這一平臺來擴(kuò)大自身的影響力。但I(xiàn)SSCC對于文章的錄用是有嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)的,其九大委會員的委員可不是白吃飯的,如果企業(yè)投稿不能詳細(xì)說明令人認(rèn)同的技術(shù)細(xì)節(jié),是不可能被錄用的。對于在ISSCC上發(fā)表論文,產(chǎn)業(yè)界不可太看重,但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄,而不是葡萄酸不酸的問題。 另外在我國一個較迫切的問題是要堅定的走產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的道路。今天,由政府資金推動的大量科研項目,取得了豐富的科研成果,但總體上技術(shù)轉(zhuǎn)化率可能并不高。只有企業(yè)在高??蒲许椖可贤度刖揞~資金時,對于技術(shù)成果轉(zhuǎn)化的要求才會更迫切,高校所受到壓力和推動力也更大,也將更務(wù)實(shí)高效。
研究顯示,綜合大陸相關(guān)法規(guī)政策目標(biāo)與支持方式,預(yù)估,十三五規(guī)劃期間,無論晶圓代工或封裝測試,大陸IC制造產(chǎn)能將大幅成長,結(jié)合“物聯(lián)網(wǎng)+”與“中國制造2025”概念,處理器、現(xiàn)場可程式化閘陣列(FPGA)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與信息安全相關(guān)芯片、存儲器等IC設(shè)計企業(yè)也將獲得政策大力支持。 十三五規(guī)劃期間,中央政府政策目標(biāo)除持續(xù)追求大陸經(jīng)濟(jì)相當(dāng)幅度的成長外,提高物聯(lián)網(wǎng)普及率亦被定為重要政策目標(biāo)。也因此,十三五規(guī)劃期間,中央政府將提高4.5G/5G基地臺、光纖骨干網(wǎng)路、數(shù)據(jù)中心等網(wǎng)通基礎(chǔ)設(shè)施普及率,對大陸IC內(nèi)需市場而言,除會提高相關(guān)IC需求外,包括4.5G/5G智能手機(jī)核心與基地臺相關(guān)芯片、服務(wù)器相關(guān)處理器、存儲器等IC產(chǎn)品都將是十三五規(guī)劃期間重要支持方向。 十三五規(guī)劃期間,中央政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于財稅優(yōu)惠相關(guān)政策主要延續(xù)十二五規(guī)劃期間的國發(fā)(2011)4號文與財稅(2012)27號文。然十三五規(guī)劃期間,中央政府在IC企業(yè)資格認(rèn)定與支持領(lǐng)域較十二五規(guī)劃期間都出現(xiàn)限縮,取而代之的是通過以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡稱為大基金)以直接入股方式,對大陸半導(dǎo)體企業(yè)給予財政支持或協(xié)助購并國際大廠。 十三五規(guī)劃期間中央政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策相關(guān)法規(guī)架構(gòu) 十三五規(guī)劃期間 大陸以提高網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)普及率為重要政策目標(biāo) 由《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)與社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要》觀察與分析,十三五規(guī)劃期間,中央政府仍將延續(xù)十一五與十二五規(guī)劃政策目標(biāo),追求經(jīng)濟(jì)持續(xù)成長。然而,因大陸經(jīng)濟(jì)基期相對偏高,加上全球景氣不確定性攀升等因素干擾,大陸生產(chǎn)總值從2015至2020年的復(fù)合增長率定在6.5%,意即由2015年人民幣67.6萬億元成長至2020年92.7萬億元,成長動能較十二五規(guī)劃期間7%略緩。 中央政府著眼于未來將于物聯(lián)網(wǎng)、云運(yùn)算、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域占有一席之地,加上將制造業(yè)數(shù)字化、網(wǎng)路化、智能化亦為中央政府重要戰(zhàn)略目標(biāo),有別于過去數(shù)個5年規(guī)劃,十三五規(guī)劃期間,大陸亦新增提升物聯(lián)網(wǎng)普及率為重要政策目標(biāo),其中,固網(wǎng)寬頻家庭普及率計劃于2020年提升至70%,移動寬頻用戶普及率則規(guī)劃提升至85%。 十三五規(guī)劃期間重要政策目標(biāo) 數(shù)據(jù)來源:中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)與社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要 結(jié)合“物聯(lián)網(wǎng)+”與“中國制造2025”的概念,一方面為提升物聯(lián)網(wǎng)普及率,普及網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)就成為十三五規(guī)劃期間重要國家建設(shè)與政策發(fā)展方向。除智能手機(jī)、數(shù)字電視,乃至個人電腦與個人云等終端產(chǎn)品普及率將持續(xù)提升外,包括4G、4.5G,至5G基地臺、光纖骨干網(wǎng)路、交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心與企業(yè)機(jī)房服務(wù)器等基礎(chǔ)建設(shè)也將逐步增加與普及。 另一方面,“中國制造2025”最重要的政策目標(biāo)為2020年大陸核心基礎(chǔ)零組件與關(guān)鍵基礎(chǔ)材料自給率達(dá)40%,2025年進(jìn)一步提升至70%。以2015年大陸IC內(nèi)需市場自給率尚不及20%觀察,十三五規(guī)劃期間,除晶圓代工與封裝測試產(chǎn)能必須大幅擴(kuò)充外,大陸IC設(shè)計企業(yè)于關(guān)鍵核心產(chǎn)品亦需投入更多研發(fā)。 由普及網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)的角度反應(yīng)至大陸IC設(shè)計企業(yè)研發(fā)方向,包括4.5G/5G智能手機(jī)核心芯片、數(shù)字電視芯片、4.5G/5G基地臺相關(guān)芯片、服務(wù)器與個人電腦的中央處理器、有線/無線連接芯片、電源管理芯片、存儲器相關(guān)芯片等IC產(chǎn)品都將是十三五規(guī)劃期間,中央政府對IC設(shè)計企業(yè)研發(fā)重要支持方向。 大陸IC制造業(yè)者除產(chǎn)能的提升外,在低功耗與性能兼顧的IC產(chǎn)品發(fā)展方向下,28納米及其以下先進(jìn)制程與電源管理、傳感器等部分特殊制程的研發(fā),亦將成為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持方向。 “互聯(lián)網(wǎng)+”與“中國制造2025” 普及網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)為十三五規(guī)劃期間重要政策方向 延續(xù)十二五規(guī)劃期間所推動七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),十三五規(guī)劃期間,中央政府也將包括新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、生物產(chǎn)業(yè)倍增、空間信息智能感知、儲能與分布式能源、高端材料、新能源汽車列為六大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),其中差異僅少了環(huán)保節(jié)能領(lǐng)域。 與十二五規(guī)劃期間相同,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被歸類于新一代信息技術(shù)下基礎(chǔ)建設(shè)中的一環(huán),意即只要符合條件的相關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)皆可獲得政策支持,其中,包括人工智能、新型顯示器、移動智能終端裝置、5G相關(guān)核心芯片、先進(jìn)感知芯片、可穿戴式裝置等相關(guān)芯片,皆會成為十三五規(guī)劃期間中央政府所規(guī)劃對IC產(chǎn)業(yè)所支持的項目。 十三五規(guī)劃期間六大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè) 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要 因大陸IC產(chǎn)業(yè)面對IC內(nèi)需市場自給率偏低、IC制造與IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)技術(shù)能力不足、產(chǎn)業(yè)集中度不足難以打造產(chǎn)業(yè)鏈,以及欲解決大陸IC制造業(yè)者資金不足問題,國務(wù)院于2014年6月發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》。 其中,對整體大陸IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo),2014年至2020年產(chǎn)值年復(fù)合成長率需超過20%。若以2015年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值人民幣3,500億元推算,至2020年若達(dá)成年成長目標(biāo),則大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)8,710億元,不僅產(chǎn)值將較十二五規(guī)劃期末(即2015年底)成長1倍以上,若以2015年至2020年大陸IC內(nèi)需市場規(guī)模年復(fù)合成長率8%假設(shè)計算,至2020年大陸IC內(nèi)需市場自給率將提升至55%。 大陸IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)則是除持續(xù)發(fā)展移動通訊與網(wǎng)路通訊的IC設(shè)計技術(shù)外,并以此為基礎(chǔ),跨入云運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域。 至于大陸IC制造政策目標(biāo)則是晶圓代工制程技術(shù)在2020年前能將16/14納米制程導(dǎo)入量產(chǎn),封裝測試技術(shù)則能與日月光、艾爾克(Amkor)等國際一線大廠齊平。至于半導(dǎo)體設(shè)備材料領(lǐng)域,則是希望能在2020年前打入國際采購供應(yīng)鏈。 《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》最重要的政策目標(biāo)不僅要打造從半導(dǎo)體設(shè)備、IC設(shè)計、晶圓代工、封裝測試等IC完整產(chǎn)業(yè)鏈,更要進(jìn)一步延展至軟件、整機(jī)、系統(tǒng),乃至信息服務(wù),打造一個從IC到終端市場、甚至是系統(tǒng)平臺服務(wù)的產(chǎn)業(yè)鏈。 要達(dá)到政策目標(biāo),《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》亦對IC產(chǎn)業(yè)給予政策支持,除既有重大科技專項、財稅優(yōu)惠、擴(kuò)大金融支持外,最重要者即在于大基金的設(shè)立,及對國際合作、兩岸合作的支持。 大基金的設(shè)立除可改善大陸IC制造業(yè)者在擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能上資金不足的問題外,大陸IC業(yè)者亦有機(jī)會通過大基金的協(xié)助,購并國際大廠,或與國際大廠透過合資設(shè)立新公司方式進(jìn)行合作。研究認(rèn)為,以大基金為主,乃至于清華紫光、武岳峰等相關(guān)投資基金,通過股權(quán)投資的途徑,將成為十三五規(guī)劃期間帶動大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。 《國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的政策目標(biāo)與政策支持 中國制造2025 著眼于未來能夠在3D打印、云運(yùn)算、大數(shù)據(jù)、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域占有一席之地,打造具國際競爭力的制造業(yè)為重要政策目標(biāo),國務(wù)院于2015年5月發(fā)布國發(fā)(2015)28號文,也正是“中國制造2025”。 實(shí)際上,“中國制造2025”普遍適用于各類型制造業(yè),對于IC產(chǎn)業(yè)討論篇幅相當(dāng)有限,主要著重在IC設(shè)計業(yè)知識產(chǎn)權(quán)(IP)與設(shè)計工具的取得、核心通用芯片的開發(fā)能力、封裝測試業(yè)在高密度封裝與3D IC封裝技術(shù)及測試技術(shù)的掌握,整個政策目的即在于在關(guān)鍵半導(dǎo)體元器件的供貨能力。 然而,通過“中國制造2025”對核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料和產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)(四基)的政策目標(biāo),對應(yīng)到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步分析,在IC設(shè)計部分,至2020年大陸IC內(nèi)需市場自給率目標(biāo)達(dá)40%,2025年將更進(jìn)一步提高至70%。 為滿足提升自給率政策目標(biāo),對IC制造產(chǎn)業(yè)而言,中央政府也將支持晶圓代工與封裝測試業(yè)者于產(chǎn)能上的擴(kuò)充;對半導(dǎo)體設(shè)備與材料業(yè)而言,則將以提高設(shè)備與材料供貨能力為目標(biāo);至于IP與設(shè)計工具業(yè),則以持續(xù)豐富知識產(chǎn)權(quán)與設(shè)計工具為政策目標(biāo)。 為達(dá)IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo),“中國制造2025”亦提出多項政策支持,其中值得注意的政策支持為“加強(qiáng)監(jiān)管,嚴(yán)懲市場壟斷與不正常競爭。”這也意味在十三五規(guī)劃期間,甚至十四五規(guī)劃期間,中央政府依然會對IC產(chǎn)業(yè)實(shí)施保護(hù)主義政策,高通涉嫌壟斷的案例也可能再次發(fā)生。 在大基金與各地方政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金相繼設(shè)立后,運(yùn)用PPP (Public-Private-Partnership,公共私營合作制)模式,將政府資金與民間企業(yè)合資入股設(shè)立新公司,協(xié)助大陸IC制造業(yè)者擴(kuò)充產(chǎn)能,以取代過去直接補(bǔ)貼模式,將為十三五規(guī)劃期間中央政府對IC業(yè)者擴(kuò)充產(chǎn)能與購并的最主要政策支持。 此外,加強(qiáng)海外購并將列入“中國制造2025”政策支持項目,這也說明除星科金朋、豪威科技外,十三五規(guī)劃期間大陸將有更多海外購并案會發(fā)生。 對大陸IC產(chǎn)業(yè),乃至電子產(chǎn)業(yè)而言,“中國制造2025”最終政策目標(biāo)即是希望打造如同韓國三星一樣,從半導(dǎo)體設(shè)備與材料、IC設(shè)計與制造、電子零組件、終端產(chǎn)品都能加以整合的國際品牌巨頭。 “中國制造2025”大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持 “中國制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖 繼2015年5月國務(wù)院發(fā)布“中國制造2025”后,更進(jìn)一步設(shè)立國家制造強(qiáng)國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會,并于同年10月發(fā)布“中國制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖,針對新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高端數(shù)字控制車床與機(jī)械人、航空設(shè)備與機(jī)械、新材料、新農(nóng)業(yè)、新能源汽車等十大重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展目標(biāo)、重點(diǎn)方向、發(fā)展時程進(jìn)行規(guī)劃,其中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被規(guī)劃在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的項目之一。 “中國制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖對IC制造產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃,產(chǎn)能擴(kuò)充與先進(jìn)制程的發(fā)展是最重要兩大政策目標(biāo),其中,在產(chǎn)能擴(kuò)充上,全大陸晶圓代工月產(chǎn)能規(guī)劃由2015年70萬片12吋晶圓擴(kuò)充至2025年100萬片,2030年更進(jìn)一步擴(kuò)充至150萬片。在先進(jìn)制程發(fā)展上,大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)將以2025年14納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)為目標(biāo)。 大陸IC制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)則鎖定新型態(tài)3D電晶體、下一代顯影技術(shù),及超大尺寸晶圓為發(fā)展方向,目標(biāo)則是希望于2030年大陸IC制造技術(shù)能力能與臺積電、英特爾、三星電子等世界級大廠齊平。 2015~2030年大陸IC制造產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn) “中國制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖對IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃,于全球市占率的擴(kuò)張與IC設(shè)計能力的提升為最主要政策目標(biāo),其中,2030年大陸IC設(shè)計產(chǎn)值規(guī)劃達(dá)600億美元,以于全球市占率提升至35%,大陸主要IC設(shè)計企業(yè)將以具備14納米及其以下先進(jìn)制程為政策目標(biāo)。 大陸IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)則鎖定運(yùn)算核心芯片與存儲器為主要目標(biāo),其中,中央政府規(guī)劃2030年大陸IC設(shè)計公司具備PC與服務(wù)器應(yīng)用多核心CPU與移動運(yùn)算應(yīng)用超低功耗多核心CPU等產(chǎn)品的設(shè)計能力,在存儲器方面,也規(guī)劃2030年前,大陸存儲器相關(guān)IC企業(yè)在包括eDRAM(嵌入式DRAM)與3D V-NAND Flash(Vertical NAND Flash)等存儲器具設(shè)計與量產(chǎn)能力。 為達(dá)成“中國制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖的政策目標(biāo),除通過科技專項補(bǔ)貼、加強(qiáng)人力資源培養(yǎng)等政策支持外,中央政府亦計劃逐步擴(kuò)大大基金規(guī)模,亦不排除設(shè)立第二期與第三期半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金。 2015~2030年大陸IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn) 十三五規(guī)劃期間 中央政府財稅優(yōu)惠政策出現(xiàn)限縮 十三五規(guī)劃期間,中央政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于財稅優(yōu)惠相關(guān)政策主要延續(xù)十二五規(guī)劃期間的國發(fā)(2011)4號文與財稅(2012)27號文。 中央政府對半導(dǎo)體企業(yè)財稅優(yōu)惠上,在IC設(shè)計方面,符合條件的IC設(shè)計公司除免征營業(yè)稅外,大陸境內(nèi)新設(shè)IC設(shè)計企業(yè)也能享有企業(yè)所得稅兩免三減半的優(yōu)惠,員工培訓(xùn)費(fèi)用亦能抵減應(yīng)繳納企業(yè)所得稅,至于無形資產(chǎn)與固定資產(chǎn)的折舊或攤提時限亦可縮短為2年。 在IC制造的財稅優(yōu)惠方面,則包括符合條件IC制造的企業(yè)所得稅優(yōu)惠及折舊時限的縮減。 2016年中央政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)租稅優(yōu)惠的政策支持上,相繼發(fā)布財稅(2016)49號文與發(fā)改高技(2016)1056號文。其中,財稅(2016)49號的重點(diǎn)在于對能夠接受國家財稅支持半導(dǎo)體企業(yè)資格認(rèn)定予以明確規(guī)范,發(fā)改高技(2016)1056號文則是對大陸IC設(shè)計企業(yè)產(chǎn)品與研發(fā)范圍認(rèn)定做了更進(jìn)一步規(guī)范。 在IC企業(yè)資格認(rèn)定上,IC設(shè)計企業(yè)與IC制造企業(yè)皆需在大陸成立,并經(jīng)過認(rèn)定取得資格的獨(dú)立法人,排除于臺、港、澳地區(qū)設(shè)立的半導(dǎo)體企業(yè)。此外,財稅(2016)49號文也對包括高學(xué)歷員工與研發(fā)人員占總員工數(shù)、來自IC制造或IC設(shè)計本業(yè)營收占總營收金額比重、研發(fā)金額占營收比重與用于大陸境內(nèi)研發(fā)費(fèi)用占研發(fā)費(fèi)用比重皆有明確規(guī)范。 在IC設(shè)計企業(yè)產(chǎn)品與研發(fā)領(lǐng)域的規(guī)范上,發(fā)改高技(2016)1056號文則明文中央政府將對高性能處理器、FPGA、物聯(lián)網(wǎng)與信息安全相關(guān)芯片、存儲器、電子設(shè)計自動化(EDA)及IC設(shè)計服務(wù)、工業(yè)芯片等六大領(lǐng)域的IC設(shè)計企業(yè)給予財稅上的支持。 十三五規(guī)劃期間中央政策對IC產(chǎn)業(yè)財稅政策支持 結(jié)語 觀察十三五規(guī)劃期間中央政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策支持,相關(guān)法規(guī)架構(gòu)可分為十三五規(guī)劃、大基金、中國制造2025、財稅補(bǔ)貼等四大部分。 十三五規(guī)劃期間,中央政府著眼于來自物聯(lián)網(wǎng)、云運(yùn)算、大數(shù)據(jù)的巨大商機(jī)與成長動能,將提升互聯(lián)網(wǎng)普及率定為新增重要政策目標(biāo)。為達(dá)此目標(biāo),普及包括4.5G/5G基地臺、光纖骨干網(wǎng)路、電信商交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心等網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)就成為十三五規(guī)劃期間重要國家建設(shè)與政策發(fā)展方向。 預(yù)估,提升互聯(lián)網(wǎng)普及率政策方向?qū)哟箨懓?.5G/5G智能手機(jī)核心芯片、4.5G/5G基地臺相關(guān)芯片、服務(wù)器與個人電腦的中央處理器、有線無線網(wǎng)通芯片、電源管理芯片、存儲器等芯片的需求,相關(guān)IC企業(yè)也將成為十三五規(guī)劃期間中央政府支持對象。 此外,提升大陸IC內(nèi)需市場自給率則為十三五規(guī)劃期間中央政府另一項半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策重大目標(biāo),為此,大陸IC制造業(yè)者在先進(jìn)制程產(chǎn)能與部分特殊制程產(chǎn)能提升將獲得中央政府財政支持,大陸IC設(shè)計業(yè)者也將在高性能處理器、FPGA、物聯(lián)網(wǎng)與信息安全相關(guān)芯片、存儲器、EDA及IC設(shè)計服務(wù)、工業(yè)芯片等六大領(lǐng)域獲得財稅上的支持。 對于十三五規(guī)劃期間中央政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶植政策分析,來自01專項與02專項等重大科技專項直接財政補(bǔ)貼已進(jìn)入倒數(shù)計時階段,財稅優(yōu)惠政策則在IC企業(yè)資格認(rèn)定與支持領(lǐng)域方面較十二五規(guī)劃期間都出現(xiàn)限縮。 取而代之則是通過大基金直接入股的途徑,對半導(dǎo)體企業(yè)給予財政上的支持,或?qū)馄髽I(yè)進(jìn)行購并。預(yù)估,以大基金與清華紫光為主的相關(guān)投資基金,將成為十三五規(guī)劃期間帶動大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長的重要動力。
中國大陸進(jìn)口半導(dǎo)體金額超過原油,近年視半導(dǎo)體為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),但誰才是全球半導(dǎo)體的大買家? 國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner表示,2016年三星電子(Samsung Electronics)與蘋果(Apple)仍為全球半導(dǎo)體最大買家,占市場整體需求 18.2%。 其次依序?yàn)榇鳡?、?lián)想、華為。 2016年三星與蘋果一共消費(fèi)了價值617億美元的半導(dǎo)體,較2015年增加4億美元。 2015年全球前10大半導(dǎo)體買家中有9家在2016年仍名列前10,其中2015年位居第10位的思科(Cisco Systems)在2016年因中國智能手機(jī)廠商步步高通訊設(shè)備的快速增長,排名被取代。步步高去年半導(dǎo)體買家排名,從前年第 21 名,躍升到第 9 名。 2016年前10大業(yè)者中包含4家美國公司,3家中國公司,2家韓國公司和1家日本公司。 這是第一次3家中國公司排名前10,證明即使中國的總體經(jīng)濟(jì)情況放緩,其電子市場的重要性仍在成長。 Gartner 統(tǒng)計,去年前 10 大半導(dǎo)體買家,三星、蘋果排名穩(wěn)居居冠、亞軍,其后依序是戴爾 (DELL-US)、聯(lián)想 (0992-HK)、華為、惠普 (HPQ-US)、HPE、SONY、步步高及 LG ,各廠商消費(fèi)金額至少在 51.7 億美元以上。 Gartner首席分析師山路正恒表示,三星電子與蘋果已連續(xù)第六年稱霸半導(dǎo)體消費(fèi)領(lǐng)域,雖然兩家公司在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和價格趨勢持續(xù)發(fā)揮相當(dāng)大的影響力,由于未來成長預(yù)期下滑,影響也已減弱。 他說,半導(dǎo)體芯片供貨商已不能再通過依靠少數(shù)大客戶來確保他們的業(yè)務(wù),特別是在近期市場的變化益發(fā)迅速。 例如步步高通訊設(shè)備于2016年的成長十分快速,這種非??焖俚脑鲩L也突顯中國商業(yè)的多變性。 盡管如此,前十大業(yè)者的綜合設(shè)計總體有效市場(total available market,TAM)仍超過2016年半導(dǎo)體市場的平均成長率。 中國廠商中,聯(lián)想與華為去年與前年排名分別上下挪移 , 聯(lián)想 排名從前年第 3 名掉到第 4 名,遭戴爾擠掉一名,但消費(fèi)金額仍有 128.47 億美元,年減 5.1%,占整體消費(fèi)市場比重約 3.8%。 華為排名則從前年第 6 名進(jìn)步到第 5 名,消費(fèi)金額達(dá) 98.86 億美元,逼近百億美元關(guān)卡,年增 30.1%,占有率也達(dá) 2.9%。 總計去年中國三家廠商的半導(dǎo)體消費(fèi)金額達(dá) 285.51 億美元,占整體市場比重約 8.4%。 整體半導(dǎo)體消費(fèi)市場金額去年達(dá) 3396.84 億美元,較前年 3347.68 億美元增加 1.5%。