東芝
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利用創(chuàng)新技術(shù) 東芝促進存儲與能源產(chǎn)業(yè)的智能化發(fā)展
【導讀】成立于1875年，擁有55年半導體市場經(jīng)驗的東芝，正在以更積極的形象詮釋其半導體業(yè)務(wù)。 摘要： 成立于1875年，擁有55年半導體市場經(jīng)驗的東芝，正在以更積極的形象詮釋其半導體業(yè)務(wù)。關(guān)鍵字： 東芝，電子
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SanDisk與東芝合力擴建Fab 5
【導讀】SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點面臨微縮瓶頸
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東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
21ic訊 東芝公司旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其 650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
21ic訊 東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6
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三星與Interdigital和解；東芝控告力積等4家臺廠侵權(quán)
1.三星與專利授權(quán)公司Interdigital達成和解 獲專利授權(quán)；2.東芝控告力積等4家臺廠侵權(quán) 初步求償1億臺幣；3.蘋果耳機專利：內(nèi)置傳感器自動關(guān)閉降噪功能；4.歐洲專利體系改革 可能引來更多訴訟；5.旺宏電子重申絕未侵害
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東芝 控告四臺廠侵權(quán)
日本東芝公司3日宣布，已在臺灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽科技（C.T.C），指控四家臺灣公司侵害東芝NAND快閃存儲器專利。力晶表示，目前已收到相關(guān)文件，快閃存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)占力晶業(yè)務(wù)比重低，對公
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東芝目前要求新臺幣1億元賠償金
飛索（Spansion）向美國國際貿(mào)易委員會（ITC）提告旺宏（2337）專利侵權(quán)，ITC已同意進行調(diào)查。旺宏昨（3）日表示，ITC只是同意調(diào)查，并未認定侵權(quán)。旺宏強調(diào)絕未侵害他人專利，對飛索用訴訟打擊旺宏客戶信心，將依法
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東芝控告力積等4家臺廠侵權(quán) 初步求償1億臺幣
全球第2大NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠商東芝(Toshiba)3日發(fā)布新聞稿宣布，已向臺灣智慧財產(chǎn)法院控告力積(Zentel Electronics；3553)、力晶(Powerchip Technology)、Powerflash Technology及C.T.C. Co., Ltd., 等
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東芝佳能研發(fā)3D閃存
據(jù)新華社電為了掌握大容量存儲器新技術(shù)，增強與韓國三星等公司的競爭能力，日本東芝和佳能兩家公司決定聯(lián)合研發(fā)高性能3D閃存，力爭在2016年投入量產(chǎn)。3D閃存是下一代閃存技術(shù)，相對于2D閃存技術(shù)，3D閃存把存儲單元垂
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日本東武鐵道新設(shè)總功率5MW的光伏電站
日本東武鐵道集團將新設(shè)5座光伏電站，總輸出功率為5251kW。其中2座在埼玉縣、2座在栃木縣、1座在千葉縣，將在2014年秋季至2015年春季期間陸續(xù)開始發(fā)電.東武能源管理公司將從東武鐵道，東野交通等
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3D NAND Flash成趨勢 各大廠商“摩拳擦掌”
近日，東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市廠區(qū)的第二廠房，與新帝于同地點攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房，能為后續(xù)帶來更大效益，在價格競爭中取得優(yōu)勢。東芝表示，興建新晶圓廠將有
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2014年度日本前三大半導體廠營運展望趨于樂觀
2013日本會計年度(2013年4月至2014年3月，以下簡稱年度)日本半導體龍頭廠東芝(Toshiba)受惠于NANDFlash平均合約價格高于2012年度，且日圓貶值有利日廠出口，在其記憶體出貨成長的情況下，東芝營收步出2012年度谷底，
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韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為
韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。該機構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓
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力拼三星 東芝砸7千億日圓投資半導體廠
為因應(yīng)持續(xù)成長的智慧手機與平板電腦需求，日本大廠東芝（TOSHIBA）未來3年內(nèi)將在生產(chǎn)半導體的四日市工廠，斥資7000億日圓（2071億元臺幣）投資最新設(shè)備，力拼在NANDFlash全球市占居首的三星電子（SAMSUNG）。去年夏
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東芝開始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片
【導讀】半導體行業(yè)的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態(tài)存儲設(shè)備價格的下降。 過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲驅(qū)動器每GB的價格不到50美分，
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東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨
符合JEDEC UFS 2.0版本標準的嵌入式存儲器將高達64GB的NAND和控制器融合于單一封裝內(nèi)東芝公司旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品
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東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器
21ic訊 東芝公司半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產(chǎn)品“TLP3905”和“TLP3906”即日起投入量產(chǎn)。光電耦合器采用不含MOSFET芯片的光控繼電器結(jié)構(gòu)。用戶可通過
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東芝將推出全球最快的microSD存儲卡
首款符合高速UHS-II接口標準的產(chǎn)品 東芝公司今天宣布，該公司將推出全球速度最快[1] 的microSD存儲卡。該存儲卡符合SD存儲卡標準4.20版定義的超高速串行總線接口UHS-II[2]標準。即日起為智能手機和其他移動設(shè)備制造
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東芝開始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片
半導體行業(yè)的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態(tài)存儲設(shè)備價格的下降。過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲
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東芝推無線SSD固態(tài)硬盤：同時支持8臺設(shè)備
摘要：支持同時連接8臺不同的設(shè)備，普通用戶可將其作為小型的家庭數(shù)據(jù)中心。 雖然我們已經(jīng)開始逐漸使用了無紙化辦公，但是對于實現(xiàn)“無線化”辦公的努力仍然在不斷繼續(xù)。現(xiàn)在在我們的周圍到處都充滿了W
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